2026年封装测试行业投资策略（半导体中游系列研究之十三）：先进封装大时代，本土厂商崭露头角

先进封装成为算力各环节标配，OSATs AI版图持续扩大

HPC、AI驱动，2025年OSAT行业规模创历史新高

委外测试与封装行业（OSAT）在2025年延续复苏态势，产值不断推高。根据ChipInsights数据， 2025年全球OSAT行业营收合计3332亿元，YoY+9.9%，销售规模创历史新高。 OSAT厂商CR10超80%，相比其他地区中国本土OSAT维持高成长，整体市占率已超30%。 HBM+CoWoS组合成为AI算力芯片标配，带动2.5D/3D等先进封装需求激增，尤其是CoWoS相关产能供 不应求。 根据ChipInsights数据，2025年台积电先进封装营收约130亿美元，如果加入排名将位居第一。

先进封装重要性提升，成为提升系统性能的关键路径

摩尔定律放缓的背景下，先进封装不仅是半导体制造的关键后制工艺，也是持续提升半导体性能， 满足下游产业复杂应用需求的核心技术路径。 传统封装：主要功能是半导体保护、尺寸放大和电连接，通过打线等方法将芯片与外部电路连接起来，并提 供机械保护和散热。 先进封装：在传统封装的基础上，增加了提高功能密度、缩短互联长度、进行系统改造的功能。可在不依赖 于芯片制造工艺的突破的情况下增加产品集成度及功能多样化。 在HPC、AI等高端应用推动下，RDL、Bump、TSV、Wafer等基础工艺技术的倒装芯片结构的 封装、晶圆级封装、系统级封装、2.5D/3D封装所占成本比重越来越大。

高算力芯片中先进封装成本占比已高于20%

过去CPU、GPU、AI芯片、FPGA等高算力芯片的性能提升主要依靠晶圆制造技术的进步，随着 摩尔定律逼近极限，通过制程推进持续提升芯片性能的难度快速增加。芯粒多芯片集成封装技术能 够突破单芯片集成下加工尺寸、功耗墙、内存墙等的限制，可以持续提升芯片系统的性能，是后摩 尔时代持续发展高算力芯片的有效方式。比如，英伟达最主要的Hopper和Blackwell系列AI GPU，以及博通公司最主要的AI芯片均使用2.5D/3DIC的技术方案。

从价值量上看，芯粒多芯片集成封装及配套的测试环节也已进入高算力芯片制造产业的价值链高端， 一定程度上重构了集成电路制造产业链的价值分布。目前较为主流的高算力芯片的成本结构中， CoWoS及配套测试环节的合计价值量已经接近先进制程芯片制造环节。

根据Yole数据，2022-2024年基于硅转接板的2.5D产品的单颗封测成本约为207.5/207.5/206.3美元/颗； 其产品中单片晶圆对应的芯片颗数通常为25~40颗，按照上述价格测算则对应封测价格为5150美元~8300 美元/片。

面板级封装与玻璃基板有望成为先进封装重要技术分支

传统封装以圆形硅晶圆为基础，但芯片多为矩形，在硅片上面积利用率不足80%，面板级封装 （PLP）有望大幅提升生产效率，其通过采用矩形玻璃或有机面板替代圆形晶圆，以提升封装面积 利用率与产能效率，并缓解光罩尺寸与晶圆几何限制。未来由于大尺寸面板带来的成本效益， （Fan-out/Fan-In）PLP或取代FOWLP（扇出晶圆级封装）、WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装） 和QFN（四方扁平封装）封装，将传统圆形硅中介层转换为大型方形Panel RDL的CoPoS技术有 望成为一种AI芯片产能瓶颈的解决方案。

此外，玻璃基板因优异的机械稳定性、低翘曲度和较强的电气性能，能支持更精细的布线与通孔， 看作潜在的硅中介层替代者，有望在高端HPC领域应用。尽管目前仍面临通孔填充、热膨胀系数 匹配等技术难题，但行业头部企业均在积极布局，推动标准化进程。

CPO走向主流，高集成架构利好半导体供应商

因网络通信功耗已占整体系统功耗的比重较高，传统基于铜互连的可插拔光模块在带宽密度和能效 上已逼近极限，信号在PCB上传输超过几厘米就会产生显著损耗，迫使设计者寻找更高效连接方式。

CPO技术将光引擎直接集成至封装边缘，使光电转换发生在芯片附近，大幅缩短高速电信号传输 距离，相比传统方案可实现功耗降低，同时提升带宽密度与信号完整性。

针对Scale-out扩展，2025年英伟达推出Quantum-X采用的是可插拔架构，今年新一代Quantum 115.2T， 预计将显著提升散热性能与带宽。

TSMC已将其紧凑型通用光子引擎（COUPE）整合至CoWoS平台，以SoIC技术将EIC与PIC进行异质整合。

其中涉及到的先进封装技术如2.5D/3D封装用于EIC和PIC堆叠，通过TSV或RDL互连；混合键合 用于CPO光引擎；Fan-Out/PoP用于光引擎与计算芯片集成。

本土厂商崭露头角，涨价与扩产周期共振

前道供给突破，对先进封装提出更高需求

根据TrendForce数据，2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期，其中7nm/6nm工艺 平台份额预计扩张至接近20%。OSAT在本土晶圆厂先进节点的研发和量产过程中发挥了重要的配 套作用，一定程度上共同构建高端制造的完整产业链。

此外，AI时代高阶芯片的放量对后道先进封装的配套能力提出更高要求，未来随着前道良率提升 则KGD（known good dies）数量也有一定提升，需要更多封装产能。

国产存储份额持续提升带动封装配套机会

在封装和测试环节OSAT可以一定程度上进入存储IDM供应链，大部分需要倒装芯片或引线键合技 术，HBM则需要TSV相关技术储备，3D DRAM以及3D NAND则需要融键合、混合键合等能力。 尽管IDM具备封装能力，但还是会将部分封测外包以减轻后端制造线压力，特别是国产存储IDM 需要克服自身的产能限制，并专注于更高利润的工艺。此外，OSAT的成品率高、出货量更大。

DRAM：先进封装的增量主要是HBM、CBA DRAM以及定制化存储的3D架构。

HBM：目前HBM4及以下的产品基本都为TCB的封装形式，在HBM4E/HBM5（≥16Hi）产品中可能使用 混合键合技术（HB）用于堆叠第一层DRAM层和基础/逻辑层。

CBA DRAM：预计DRAM厂或从0a DRAM节点（约2029年）开始使用W2W融键合（FB）技术，用于堆 叠DRAM和CMOS逻辑晶圆。

NAND：先进封装的增量主要是类长江存储的Xtacking架构。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）