2025年兆易创新研究报告：短期看DDR4涨价；中长期看存算一体存储

DDR4 控产叠加涨价有望拉动公司 DDR4 在 2025-2026 年收入

美光，SK 海力士和三星电子预计停产部分 DDR4 产品

手 机 侧 ： 美 光 科 技 、 SK 海 力 士 和 三 星 电 子 陆 续 停 产 LPDDR4X 。根 据 中 国 台 湾 省 科 技 媒 体 technews 报道，三星电子已通知客户于 2025 年 4 月终止 1z 制程的 8Gb LPDDR4 内存生产，并 要求客户 2025 年 6 月前完成最后买进订单（这批最后买进订单预计最迟在 2025 年 10 月前出 货）。根据旺材芯片报道，美光执行副总裁暨业务执行长 Sumit Sadana 接受 DIGITIMES 专访表 示，美光 LPDDR4 DRAM 仅会针对三大领域长期客户（PC、手机和服务器）持续供应。根据半导体 产业纵横 2025 年 7 月 13 日的报道，SK 海力士明确通知客户停止 DDR4 生产，并将最终订购截 止时间设定在 2025 年 6 月初。 PC 和数据中心服务器侧：美光科技、SK 海力士和三星电子逐步停产 DDR4。根据半导体产业纵横 报道，2025 年 6 月，美光确认 DDR4 停产计划并向客户通知 DDR4 产品将进入停产阶段，涉及 PC 和数据中心客户。根据半导体产业纵横 2025 年 6 月 11 日报道，三星电子将仅向汽车或某些长期 客户维持 1z 纳米 DDR4 工艺，总体 DDR4 供应量有望大幅减少。根据半导体产业纵横在 2025 年 6 月 11 日的报道，分销商和内存模块供应商也几乎无法获得三星电子 DDR4 芯片。根据迅丰达存 储，在 2025 年 4 月上旬三星电子传出停产通知后， SK 海力士也向供应商发出 DDR4 颗粒的 EOL 通知，SK 海力士计划开始逐步减少 DDR4 产能，并且预计将 DDR4 产能压缩到 20%左右。我们整 体看到美光科技、SK 海力士和三星电子逐步停产 DDR4，并向 DDR5 切换。

海外停产趋势下，兆易创新有望提升 DDR4 全球市占率

随着三星电子、SK 海力士和美光科技退出 DDR4 和 LPDDR4X 市场，我们看好兆易创新在服务器 和 PC 手机 LPDDR4X 的市占率提升。针对 SK 海力士，半导体纵横 2025 年 7 月 13 日报道 SK 海力士明确通知客户停止 DDR4 生产，并将最终订购截止时间设定在 2025 年 6 月初。我们预测 SK 海力士的 DDR4 产量有望从 2025 年 2 月的 94k WPM 下降到 2025 年底的 39k WPM，并进一步在 2026 年底缩减到 19k WPM。针对美光科技，根据半导体产业纵横报道，2025 年 6 月，美光高管 确认 DDR4 的停产计划并已向客户发出通知，DDR4 产品将进入停产阶段，涉及 PC 和数据中心等 客户。我们预测美光的 DDR4 产量有望从 2025 年 2 月的 56k WPM 下降到 2025 年底的 27k WPM，并进一步缩减到 18k WPM。针对三星电子，根据中国台湾省科技媒体 technews 报道，三星 电子已正式通知客户将于 2025 年 4 月终止 1z 制程的 8Gb LPDDR4 内存生产，并要求客户在 2025 年 6 月前完成最后买进订单。相应地，我们预测三星电子 DDR4 产量有望从 2025 年 2 月的 142k WPM 下降到 2025 年底的 61k WPM，并进一步在 2026 年底缩减到 29k WPM。

DDR4 提价明显，叠加 DDR5 温和上涨，有助兆易创新 2025-2026 年 DDR4 收入

利基 DDR3-DDR4 产品价格已出现明显上涨。传统 PC 和服务器 DDR4 产品价格 2Q25 出现增长。 根据 TrendForce 数据，DDR4 8Gb 产品现货价格 2025 年 6 月 13 日单日涨幅达 7.8%、16Gb 涨 幅达 7.9%。TrendForce 指出此轮暴涨与美光科技宣布停产 DDR4 直接有关。 PC DDR4 方面：TrendForce 指出因 PC OEM 要求 ODM 提高整机组装量，并提高 DRAM 库存水 位，叠加供给产能至服务器 DRAM，压缩 PC DDR4 供应，预计 3Q25 PC DDR4 价格涨幅将扩大至 8%至 13%。 服务器 DDR4 方面：TrendForce 指出 2Q25 的 DDR4 需求激增，促使部分原厂延长产品周期，相 应产品短期供给结构出现调整空窗期。当前预计服务器 DRAM 需求受到数据中心和 AI 服务器支撑， 价格上涨 3-8%。 手机 DDR4 方面：TrendForce 预期手机 LPDDR4X 在 3Q25 价格有望按季环比上涨 23%-28%。 LPDDR5X 短期供给较紧张，叠加原厂有意缩小和其他存储器产品价差，预估 3Q25 合约价按季环 比上涨 5%至 10%。 根据 TrendForce，DDR4 合约价在 1H25 已上涨 40%，若 2H25 较 1H25 环比提升 25%，我们预 计 DDR4 合约价 2025 年或同比上涨 75%。我们预计 2025 年公司利基型 DRAM 收入可达 19.9 亿 元。

存算一体存储业务有望逐步贡献收入

存算一体概念-从近存计算到存内计算

根据半导体行业观察，存算一体是一种突破性计算架构创新，从根本上改变传统计算系统中存储与 计算分离的设计方式。存算一体技术核心在于将计算功能直接集成到存储单元中，通过消除数据在 处理器和存储器之间的频繁搬运，解决困扰计算机系统的"存储墙"和"功耗墙"问题。根据存储与计 算单元的融合程度，存算一体分为三个阶段：1）近存计算：通过 2.5D/3D 等先进封装技术缩短存 储与计算单元之间的物理距离（例如 HBM）；2）存内处理：在存储芯片内部嵌入计算单元；3）存 内计算：打破传统架构界限，直接利用存储单元物理特性来完成计算操作。我们认为这种技术演进 路径正在推动计算架构发生革命性变革。 随着 AI 端侧和大模型应用逐步成熟，我们认为存算一体行业有望 2025 至 2028 年间迎来爆发式增 长。根据 QYResearch 研究显示，2022 年全球存算一体市场规模为 4383 万美元，该机构预计到 2029 年全球存算一体市场规模有望达到 306.28 亿美元，2022-2029 年复合增长率高达 154.68%。 QYResearch 研究显示中国市场在存算一体领域表现突出，2022 年市场规模达到 1596 万美元，占 全球总量的 36.41%，预计到 2029 年将增长至 108.93 亿美元，占全球市场约 35%以上。我们认为 该增速主要得益于：1）大模型训练和推理需求；2）边缘计算发展；3）新型存储 DRAM 推出。

海外厂商布局存算一体

三星电子、美光科技和 SK 海力士布局存算一体。首先，根据半导体行业观察，三星电子不仅推出 具备划时代意义的 HBM 内存产品，还在积极探索 MRAM（磁性随机存储器）等新型存储器存算一 体解决方案。其次，海力士开发出集成计算引擎 GDDR6-AiM 显存。最后美光科技则通过持续优化 DRAM 制程工艺来提升存算效能。我们认为随着这些海外厂商逐步探索存算一体存储，存算一体产 品有望随着新型存储器件技术成熟和制造工艺进步，在 AI 推理、边缘计算、自动驾驶等方面得到充 分应用。 全球海外和国内参与厂商的技术路线存在不同。根据半导体行业观察，海外厂商（Syntiant 和 Mythic）等在商业化进程上领先国内 3-5 年，已实现产品量产。其中 Syntiant 模拟神经网络处理器 已应用于亚马逊等巨头的智能设备，Mythic 则专注于 Nor Flash 存算一体方案。三星、海力士和美 光也在积极布局存算一体技术：三星通过 HBM-PIM 将 AI 计算单元嵌入高带宽内存，实现 1.2TB/s 带宽，适合云端大模型推理；海力士开发 GDDR6-AiM 方案，在现有 GDDR6 内存中集成计算单元， 面向自动驾驶和 AI 加速卡市场；美光则基于 1β纳米制程 DRAM 研发存内计算原型，与 IBM 合作 开发低功耗 AI 加速内存。 相比之下，虽然中国厂商起步较晚，但是已形成完整产业生态。根据半导体行业观察，知存科技量 产了全球首颗基于 Flash 的存算一体 SoC 芯片 WTM2101，九天睿芯神经形态感存算一体架构芯片 在视觉处理领域表现出色，后摩智能则推出了面向智能驾驶的大算力存算一体芯片。从技术路线来 看，海外厂商更倾向于采用模拟计算方案，而中国厂商则在存算和存储器应用方面积极进行了布局。 存算一体存储介质分几种。根据芯师爷，存算一体芯片存储介质分为两大类：一种是易失性存储器， 即在正常关闭系统或者突然性、意外性关闭系统的时候，数据会丢失，如 SRAM 和 DRAM 等。另一 种是非易失性存储器，在上述情况下数据不会丢失，如传统的闪存 NOR Flash 和 NAND Flash，以 及新型存储器：阻变存储器 RRAM（ReRAM）、磁性存储器 MRAM、铁变存储器 FRAM（FeRAM）、 相变存储器 PCRAM（PCM）等。当前存算一体应用在两类场景：1）小算力场景：边缘侧对成本、 功耗、时延、开发难度非常敏感；2）大算力场景：GPU 在算力和能效上都无法同时与专用加速芯 片竞争。

兆易创新推出存算一体存储

国内企业逐步发力端侧低功耗 AIOT 存算一体产品。国内企业，我们看到存算一体芯片企业 2021 年 后逐步实现量产和产业化。闪易、新忆科技、苹芯科技、知存科技等均是专注物联网、可穿戴设备 和智能家居等边缘小算力场景存算一体公司。 兆易创新通过长鑫存储发力 AI 手机大模型推理场景的 DRAM 存算一体芯片业务。根据中国招标网， 长鑫存储计划投入 AI 端侧手机的大模型推理场景项目。该项目拟在厂区现有设施基础上，新增 TSV 回火化学铜电镀机台、物理化学气相沉积机、干法刻蚀机、回火化学铜电镀机台等 DRAM 存算一体 芯片研发和测试所需设备，开展兼容 LPDDR6 标准高带宽高存储密度 DRAM 晶粒设计、面向 AI 大 模型推理的计算单元与逻辑晶粒设计、高效 DRAM-逻辑晶粒定制化接口设计及先进混合键合工艺开 发，完成升级产品 DRAM 存算一体芯片开发。该项目预计到 2027 年底，销售 DRAM 存算一体芯片 不低于 1000 颗，推动 AI 手机大模型技术应用落地，实现新型人工智能芯片自主安全可控。 我们看好兆易创新中长期在 AI 手机大模型对应的 DRAM 存算一体市场中的发展空间。根据 IDC 数 据，2025 年全球手机预计出货 12.3 亿部，按照中性假设旗舰手机占据其中的 20%，并且到 2028 年具备 AI 端侧大模型和 DRAM 存算一体存储，则对应 2.4 亿部。按照兆易创新的（6GB）方案， 每部手机的存算一体存储价值量约 25.2 美金（US$4.2*6GB），按照兆易创新占据全球 20%市占率 估算，我们预计兆易创新 DRAM 存算一体业务对应的市场空间在 2028 年或达 98 亿人民币。

NOR Flash 和 SLC NAND 业务仍维持基本盘

根据兆易创新香港 IPO 招股书及 Frost & Sullivan，全球 NOR Flash 市场规模 2024 年达到 28 亿 美元，并预计 2025-2029 年 CAGR 达到 7.6%。全球 SLC NAND 市场规模 2024 年达到 23 亿美元， 并预计 2025-2029 年 CAGR 达到 5.8%。NOR Flash 层面：根据兆易创新香港 IPO 招股书，在 2019 年推出中国内地首个高速 8 通道 SPI NOR Flash 产品后，2024 年公司推出中国内地首个低 功耗 SPI NOR Flash，主要针对汽车电子、工业控制以及通信设备。SLC NAND 层面：根据兆易创 新香港 IPO 招股书，SLC NAND 相对 NOR Flash 具备容量更大，写入速度快特点，适用于大量数 据存储。相比多级 NAND Flash，SLC NAND 在数据擦写速度和数据安全性上具备显著优势，截至 2024 年底，公司已经推出工业边缘存储、网通和消费电子大容量和高可靠性场景。 我们看好公司在 NOR Flash 和 SLC NAND 行业的市占率提升。公司 2024 年 NOR Flash 收入达到 512 百万美元，全球市占率达到 18.5%。得益于公司在 NOR Flash 和 SLC NAND 有望推出更多新 品，我们预计公司在 NOR Flash 上市占率有望在 2029 年达到 26.2%。我们预计公司在 SLC NAND 上市占率有望在 2029 年达到 5.2%。

财务预测

利基型存储收入 2026 年有望达到 33.4 亿元

根据兆易创新 2024 年报，公司存储业务分为 DDR3/DDR4 (<4Gb)、DDR4 8Gb 以及定制化存储产 品。针对利基存储市场，公司 DDR3/DDR4 位元量 2024 年达到 639 百万 Gb，我们预计 2025 年 公司 DDR3/DDR4 位元量有望达到 786 百万 Gb。价格方面，我们预计 DDR3/DD4 的价格在 2025 和 2026 年分别达到 1.46/1.54 元。针对 DDR4(8Gb)产品，根据 Trendforce，利基型 DDR4(8Gb)有 望 3Q25 价格上涨超 70%。由于供给侧收缩，利基型 DDR4(8bite)价格 4Q25 有望继续上涨 40%。 我们认为由于当前三大原厂退出利基型存储市场，利基 DDR4 价格涨幅有望延续至 2025 年底。考 虑国内利基型 DDR4(8Gb)价格略低于三大原厂给出的利基型 DDR4(8Gb)价格，我们预计公司利基型 DDR4(8Gb)产品价格有望 2025/2026 年分别上涨 78%/15%。 我们看好定制化存储未来营收潜力。根据中国招标网，兆易创新预计通过长鑫存储在 AI 端侧手机的 大模型推理项目上投入更多资源，用于 DRAM 存算一体芯片产品的开发。该项目预计到 2027 年底， 销售 DRAM 存算一体芯片不低于 1000 颗，推动 AI 手机大模型技术应用落地，实现新型人工智能 芯片自主安全可控。我们看好兆易创新在 AI 手机大模型的 DRAM 存算一体芯片中市场空间。根据 IDC 数据，2025 年全球手机预计出货 12.3 亿部，按照中性假设旗舰手机占据其中的 20%，并且到 2028 年具备 AI 端侧大模型和 DRAM 存算一体存储，则对应 2.4 亿部。按照兆易创新的（6GB）方 案，每部手机的存算一体存储价值量约 18 美金（US$3*6GB），按照兆易创新占据全球 20%市占 率估算，兆易创新 DRAM 存算一体业务对应市场空间在 2028 年或达 98 亿人民币。

NOR Flash 及 SLC NAND 收入在 2026 年有望分别达到 52.2 亿元和 6.4 亿元

根据兆易创新香港上市招股书，公司在 NOR Flash 领域在中国大陆地区具备明显竞争优势。根据弗 若斯特沙利文的报告，公司是中国内地首家推出容量高达 2GbSPI NOR Flash 产品的公司。在公司 在 NAND Flash 上面专注于 SLC NAND Flash，容量较 MLC 和 TLC NAND Flash 小，但是具备更高 的可靠性和耐用性。公司的车规级 NAND Flash 和 NOR Flash 搭配应用于智能驾驶舱以及电动汽车 的动力系统中。我们看好公司在 NOR Flash 和 SLC NAND 行业的市占率提升。根据兆易创新香港上 市招股书，公司 2024 年 NOR Flash 收入达到 512 百万美元，全球市占率达到 18.5%。得益于公司 在 NOR Flash 和 SLC NAND 有望推出更多新品，我们预计公司在 NOR Flash 上市占率有望在 2029 年达到 26.2%。我们预计公司在 NOR Flash 上市占率有望在 2029 年达到 5.2%。相应地，我们预 计公司 NOR Flash 及 SLC NAND 收入在 2026 年有望分别达到 52.2 亿和 6.4 亿。公司总收入在 2026 年有望达到 122 亿元。

净利率有望在 2026-27 年逐步提升

我们认为公司毛利率有望在 2024-2027 年逐步提升，从 2024 年的 37.6%提升到 2027 年的 43.2%。首先，我们认为随着 DDR4 的涨价，利基型存储业务利率有望提升。我们预计利基型存储 业务的毛利率有望从 2024 年的 15%提升到 2027 年的 40%。其次，我们看到利基型存储业务在公 司整体中的收入占比在提升。我们预计利基型存储业务在公司整体收入占比有望从 2024 年的 13.8% 提升到 2027 年的 31.6%。

我们认为影响公司净利率主要因素包括：1）毛利率水平；2）研发和营销投入。在 2023-25 财年大 量投入研发之后，我们认为公司 2026-27 财年将控制研发支出和销售人员规模，并提升效率。由此， 我们预计净利率有望从 2025 年的 19.8%提升至 2027 年的 24.0%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）