兆易创新研究报告：存储龙头多元布局，深度受益AI+国产替代.pdf

兆易创新研究报告：存储龙头多元布局，深度受益AI+国产替代。布局存储+MCU+传感器，产品出货量创出新高。兆易创新产品主要覆盖 存储、MCU、传感器三大领域，其中 2024 年存储收入占比 70%以上，公 司在 NOR Flash 领域全球市占率第二，SLC NAND 也逐步占据一定份额， DRAM 业务随着三大原厂逐步退出+端侧定制化方案的顺利推进有望实现 较大增长。2024 年公司产品出货量达到 43.62 亿颗，同比增长 39.72%， 创出历史新高，因行业下游市场需求有所回暖，客户增加备货，公司产品 在消费、网通、计算等多个领域均实现收入和销量大幅增长。公司实现营 业收入 73.56 亿元，同比增长 27.69%；公司归母净利润回升至 11.03 亿 元，同比增加 584.21%。

利基存储格局优化，端侧 AI 推动定制化需求增长。半导体存储主要有 DRAM/NAND/Nor Flash 等，2023 年分别占比 54%/41%/2.5%，2024 年 全年 DRAM 和 NAND Flash 整体销售收入达 1669.79 亿美元，创造历史新 高。兆易创新存储产品主要为 NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM，公 司 2015-2024 年存储收入 CAGR 约 26%，2024 年存储收入 51.9 亿元， 同比+27%，毛利率 40.3%，相比 2023 年的 33.0%显著回暖 7.3pcts，创 2015-2024 年度新高。具体来看：

1）NOR Flash：兆易市占率第二，端侧 AI 助力市场规模提升。NOR Flash 属于通用型非易失性存储芯片，在数据读取效率方面具有显著优势。2023 年全球 NOR FLASH 市场规模约为 23 亿美元，预计于 2028 年增长至约 35 亿美元，2023-2028 年 CAGR 约 9%。短期看，AI 手机/PC 放量直接拉动 NOR Flash 用量；长期看，XR、AI 眼镜等新兴场景叠加汽车电子放量正打 开增量空间。从竞争格局看，华邦全球市占率第一，达 27%；兆易创新 NOR Flash 市场份额排名全球第二，达 23%，公司产品矩阵完善，覆盖 512Kb 到 2Gb 的容量范围，支持 1.2V、1.8V、3V、1.65~3.6V 以及 1.8V VCC & 1.2V VIO 等多种供电类型，并针对不同市场应用需求分别提供高 性能、低功耗、高可靠性、小封装等多个产品系列。我们认为公司市占率 有望稳步提升，同时受益于端侧 AI 带来的市场规模增长。

2）SLC NAND：竞争格局优化，大陆厂商崭露头角。SLC NAND 高性能、 高可靠性的优点让其在需要耐久度和高速的关键任务应用中受到欢迎。根 据华邦电子，2024 年 SLC NAND 市场规模为 12 亿美元。随着闪存行业向 高堆叠层数、大容量的 3D NAND 方向发展，三星、海力士、铠侠、美光 等海外大厂将战略重心转移至 3D TLC NAND 和 3D QLC NAND 领域，SLC NAND 市场的竞争参与者数量减少，市场空间得以逐步释放。国内市场中 SLC NAND 由中国台湾的华邦和旺宏占据主导地位，与此同时，兆易创新 （2024 年市占率 4%）、东芯股份等大陆厂商也崭露头角，随着海外巨头 转向主流 NAND 市场，国产化未来具备广阔的增长空间。兆易创新 38nm 和 24nm 两种制程全面量产，并正在以 24nm 为主要工艺制程，车规市场 实现突破。

3）DRAM：原厂逐步退出 DDR3&DDR4，端侧定制化助力行业发展。利 基型 DRAM 涵盖 DDR3、小容量 DDR4 及低功耗产品，2024 年全球利基 DRAM市场规模达到人民币596亿元。三星、SK海力士和美光等主要DRAM 制造商逐步计划在 2025 年下半年终止 DDR3 和 DDR4 内存的生产，随着 这些原厂逐步退出利基型市场，国产厂商的利基型 DRAM 制程逐渐成熟， 有望实现国产替代，兆易创新产品技术覆盖度持续提升。