2026年存储行业专题报告：需求爆发&供给刚性，存储超级成长周期

需求端： AI需求爆发，超级成长周期

存储定义及分类：存储产品是指为数据存储及临时或永久访问而设计的硬件组件，根据核心晶圆类型、性能特征及应用场景的不同，存储产品 可以系统地分为嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、内存模组、LPDDR 及可移动存储等多种形态。

存储产业链：可分为三大环节，包括上游晶圆及主控芯片设计与制造、中游存储产品的开发与制造，以及下游终端应用。 上游：主要包括晶圆制造和主控芯片的设计和制造，为行业提供基础资源； 中游：主要包括存储产品的开发及制造，包括存储设计、封装及测试；下游：下游应用领域呈现高度多元化，涵盖AI 端侧、消费电子、智能驾驶及工业能源等领域。

AI需求方兴未艾：伴随着生成式AI技术的持续迭代，AI训练和推理需求迎来爆发式增长；此外，AI的影响力正以前所未有的深度和广度向下游 板块渗透，厂商和云端设施均在积极向AI端侧转型。AI服务器及其应用成为存储需求的核心引擎，正革命性地重塑存储市场的需求格局。

存储下游需求变化：根据佰维存储香港招股书及弗若斯特沙利文，2025年至2029年全球存储产品市场规模总量呈上升趋势。按照下游应用类 型进行分类，预计2025-2029年AI端侧对应的存储市场规模的CAGR增速为36.4%，AI服务器对应的存储市场规模的年化增速为14.1%；此外， 由于价格上涨及供应短缺，传统消费电子存储市场规模预计会下滑，占比将会下降。

新增需求驱动：存储行业存在由需求驱动的长周期（通常为8-10年），包含从新需求出现到全面普及，渗透率持续提升的过程；之前的PC时 代，智能手机时代，再到当前的AI时代，均在演绎该过程。下游产品和技术创新带来新增需求，需求上行时存储厂商通常会增大资本开支，扩 大产能以增加销售；若下游需求不及预期，存储厂商通过降价去库存，并选择主动缩减产能，使得市场供给得以收缩，如此循环往复。 

资本开支和技术升级决定供给：存储芯片技术升级与投资周期紧密相连，存储原厂扩产需要高额资本开支，技术壁垒极高，因此厂商通常选择 规模化生产以此更好地实现盈利。

Token高爆发：本轮超级周期的根本原因在于，AI大模型技术超预期迭代升级，带来海量的数据存储、处理和检索需求。得益于生成式AI的快 速迭代，数据量和token呈现指数级增长，存储产品作为数据中心的核心载体，海量数据的存储、处理和检索需求，直接推高了对HBM、 DRAM、NAND等存储介质的需求，开启了新一轮存储超级需求周期。根据Open Router，2026年2月同期全球主要大模型消耗的token是25年 同期的10倍及以上，彰显出极其旺盛的算力及存储需求。

技术创新带来数据量持续高增长：根据希捷投资者日材料，AI时代数据生成量呈现指数级增长趋势，2028年产生的数据量将达到达到394ZB， 较2020年的72ZB数据生成量呈现数倍增长。

生成式AI持续迭代：在AI agent、多模态应用与原生视频技术的浪潮下，全球数据正以指数级速度爆发式增长，直接引爆数据中心的存储需求； 单条多模态任务的数据量从KB级跃升至GB/TB级别，长上下文推理和实时视频流处理，对于存储带宽和容量均提出极致要求。

多模态爆发：从Sora2，Seedance2.0 等视频生成模型爆发，视频生成实现“GPT-1时刻”向“GPT-3.5时刻”的巨大飞跃；字节Seedance 2.0 采用 统一的多模态音视频联合生成架构，支持文字、图片、音频、视频四种模态输入，集成了多模态内容参考和编辑能力。Seedance2.0的10分钟 单条长视频文件体积轻松达到10GB+，生产10秒视频消耗的Token是文本生成的数十倍。

DRAM：高端需求爆发，供给结构变化

AI需求爆发是根本原因：从23Q1开始，得益于AI算力爆发带来的需求持续上升，DRAM和NAND市场规模均呈现出逐步复苏比并加速增长的态 势；随着推理爆发，多模态和长上下爆发式增长，AI服务器对HBM和DDR5等高端DRAM需求爆发式增长。 1、22Q1-23Q1：彼时需求端表现低迷，原厂主动减产，并缩减低端DDR3和DDR4产线，DRAM市场处在调整期； 2、24Q2-25Q1：AI算力的爆发，HBM出货量大幅增加，终端和渠道进入主动补库存，行业进入结构性景气期，HBM价格开始上涨； 3、25Q2至今：由于多模态和视频生成的爆发，算力和存储需求迎来爆发，HBM和DDR5供不应求越发突出；全行业进入抢货布局，包括DDR4和 DDR3都迎来暴涨，DRAM全系产品价格飙升，市场规模大幅扩大。

高端需求爆发，长期供不应求，中低端和消费级供给被压缩，供给减少价格补涨。 高端HBM和DDR5得益于需求爆发：从23Q1开始，得益于多模态和视频生成等爆发式增长，AI服务器对HBM和DDR5等高端DRAM需求爆发 式增长；叠加英伟达等巨头提前锁单，DDR5和HBM需求持续旺盛，价格一路飞涨。 DDR4和DDR3涨价系产能迁移与供需错配：在历史难遇的涨价周期面前，原厂将大量先进产能转向HBM和DDR5，直接挤压了DDR4和DDR3 的产能空间；与此同时，原厂对部分消费级和低端芯片减产的消息引发了下游 ODM/OEM、模组厂和经销商的恐慌性囤货，造成价格暴涨。中 期来看，由于DDR4/DDR3利润微薄，大厂不愿意进行资本开支，短期产能缺口明显。

NAND：AI需求驱动，产能扩张谨慎

第一阶段：23Q1-25Q1，22年-23年初存储行业处在下行期，三大原厂和模组厂均在主动去库存，供给收缩效应体现；23Q2伴随着AI新增需求 出现，供需关系有所改善，渠道开始补库存；25Q1以来受益于国补政策刺激，传统的PC和手机市场需求有所改善，市场开始恢复。 第二阶段：25Q2至今，伴随着AI多模态和推理需求的爆发，企业级SSD需求迎来爆发，三大厂为满足更高利润需求，将产能从NAND和 DDR4/DDR3切走，导致NAND Flash出现结构性短缺，价格迎来全面上涨。 以闪迪为例，25年4月首次官宣全渠道、全消费类产品统一涨价10%，并预告季度调整价格，25年下半年NAND现货价格持续上行，厂家随时 上调合约价。

存储行业（尤其DRAM、NAND和HBM）整体呈现高度集中的“三巨头格局”，这是由存储行业技术壁垒极高，资本投入巨大，生态深度绑定， 规模效应显著等多重壁垒共同作用的结果。 NAND市场：五巨头占据市场90%左右的市场份额，寡头垄断格局明显；从市场份额看来看，25Q3三星/SK海力士/铠侠/闪迪/美光/西部数据的 NAND Flash份额分别为29.1%、19.2%、16.5%、12.5%、12.2%。 巨头相对默契：根据三星，美光和SK海力士25Q3业绩会口径，海外三大原厂对NAND的产能扩张均持谨慎态度，更多将资源集中在DRAM扩 产及NAND内部结构转型升级。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）