2025年兆易创新深度报告：存储+MCU国内龙头，端侧AI与国产替代共驱增长

全球领先Fabless芯片供应商，“感存算控连”多元布局

公司概况：全球领先Fabless芯片供应商

全球领先的芯片设计公司，“感存算控连”布局不断深化。公司于05年创立，于16年上市，是全 球领先的Fabless芯片供应商，主营产品包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片和传感器芯片， 以及完整的系统及解决方案等。公司08年发布国内首颗SPI NOR Flash，打破海外垄断格局；公司 13年发布Arm® Cortex® M3 32-bit MCU，构建存储器+微控制器双轮驱动格局；公司19年收购上海 思立微，切入传感器赛道，同年SPI NOR Flash产品通过AEC-Q100车规认证；公司24年收购苏州赛 芯，补强模拟芯片业务，形成从单一产品线到存储+微控制器+传感器+模拟的完善产品线矩阵。

主营业务：“感存算控连”多元布局，下游应用领域广泛

公司深耕存储芯片多年，产品覆盖NOR Flash、NAND Flash和利基型DRAM。公司是国内首家SPI NOR Flash容量覆盖512Kb至2Gb完整产品线的厂商，电压覆盖至1.2V低电压和超低功耗模式，NOR 业务24年全球第二、国内第一，市场份额18.05%，并在25年率先实现45nm节点大规模量产。公司 NAND产品主要为SLC NAND，应用于工控、汽车电子、通信设备等。公司利基型DRAM产品包 DDR3L/DDR4/LPDDR4等，容量覆盖1Gb至8Gb，份额在全球市场加速成长，应用于机顶盒、电视、网 络通讯、智慧家庭装置、智能可穿戴、信息娱乐等领域。

公司微控制器、模拟、传感器产品线多维拓展。公司是国内微控制器行业龙头，业务主要包括ARM 和RISC-V内核的32位通用MCU产品，下游应用覆盖工业（工业自动化、能源电力及医疗设备等）、 消费电子及手持设备、汽车电子（汽车导航、T-BOX、汽车仪表、汽车娱乐系统等）。公司模拟芯 片包括通用电源（DCDC、LDO）、专用电源（耳机充电仓电源、扫地机器人电源）、电机驱动产品 以及温度传感器等。公司传感器芯片业务包括指纹识别芯片和触控芯片，并将进一步拓展在PC、 可穿戴、移动健康、物联网等领域布局。

财务分析：存储周期上行，公司业绩持续增长

下游需求景气度回暖，公司营收、利润增速靓丽。公司21-23年受下游市场景气度低迷影响，收入 分别为81.50/81.30/57.61亿元，同比增速分别为89.25%/-4.47%/-29.14%，归母净利润分别为 23.37/20.53/1.61亿元，同比增速分别为165.3%/-12.16%/92.15%，24年行业迎来回暖，公司销售 大幅提升，实现营业收入73.56亿元，同比增速27.69%，归母净利润11.03亿元，同比增速584.21， 公司25年受益下游需求旺盛，以及海外大厂退出利基市场，延续量价齐升趋势，25年前三季度实 现收入68.32亿元，同比增速20.92%，归母净利润10.83亿元，同比增速30.18%。

端侧AI驱动NOR规模扩容，公司份额跃升至全球第二

伴随端侧AI发展，NOR Flash市场规模扩容

存储根据断电后数据是否保留，划分为易失性存储器与非易失性存储器两大类别。易失性存储器 包括动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）等，非易失性存储器包括NAND Flash、 NOR Flash和只读存储器（ROM）等。NOR主要用于代码存储/执行，读取速度快，写入擦除速度较 慢，存储密度更低，主要用于智能手机、可穿戴、汽车、工控等终端领域需要快速启动和高可靠 场景；NAND主要用于大容量数据存储，连续读取速度快，写入擦除速度极快，存储密度高，主要 用于工业、网通、消费电子、汽车等需要大容量和高可靠场景。

端侧AI+汽车电子推动NOR市场规模持续扩容，预计29年市场规模将达到42亿美元。NOR Flash市场 迎来AI智能终端驱动的上行周期，根据弗若斯特沙利文数据，NOR Flash全球市场规模23年22亿元， 24年开启新一轮上行周期，市场规模增长至28亿美元，同比增速27%，并预计在29年增长至42亿美 元，年复合增速8.4%，需求端扩容主要得益于消费类终端设备如智能手机、PC、可穿戴、智能家 居AI化转型，新应用场景如AI眼镜的落地，对数据处理和存储能力需求显著提升，叠加汽车三化 推进，驱动车规级存储需求激增。

公司份额全球领先，端侧AI+汽车电子等多场景发力

前三大厂商市场份额60%以上，兆易创新份额迅速提升。随着10年三星开始撤出NOR Flash市场、 17年美光科技、赛普拉斯退出中低容量NOR Flash市场，国际大厂已逐步淡出NOR Flash市场，产 业链逐步转移至中国台湾及中国大陆，全球NOR Flash市场呈现高度集中的竞争格局，由中国台湾 的华邦电子和旺宏电子以及中国大陆的兆易创新三大巨头主导。根据弗若斯特沙利文数据，24年 全球前三大厂商合计约占市场规模63.2%，华邦电子占比27.4%，兆易创新跃升至全球第二、内地 第一，市场份额18.5%，旺宏电子市场份额17.3%。

海外大厂淡出SLC NAND，为国产替代带来广阔空间

NAND可分为SLC、MLC、TLC和QLC NAND四种类型，SLC NAND具备高可靠性、寿命更长等特点。NAND Flash按存储单元密度可划分为SLC、MLC、TLC和QLC四类，其核心差异在于每个存储单元所能存储 的bit分别为1、2、3、4bit。SLC每个单元存储1bit数据，具备10万次擦写寿命和高速读写特性， 且每位元成本高，因此在需要对高性能、高可靠有需求的工业控制、汽车电子等领域优势显著； MLC在性能与成本间取得平衡，适用于汽车电子与主流工业场景；TLC和QLC拥有更高的存储容量和 更低的成本，因此适用于消费级固态硬盘与移动设备等大容量存储市场。

利基型DRAM供给端格局优化，定制化存储打开成长空间

三大厂削减利基型DRAM产能，国产厂商迎来历史性机遇

利基型DRAM下游市场分散，存在定制化需求。主流型DRAM主要聚焦在大容量、高传输速率的DDR5、 LPDDR5，以及8Gb以上的DDR4等，聚焦先进制程，广泛应用于服务器、PC、智能手机等场景，需求 与全球宏观经济及云基建投资周期高度相关，价格波动性较为显著。利基型DRAM主要包括8Gb及以 下容量的DDR4/LPDDR4以及前代产品DDR3、DDR2、LPDDR2/3等，聚焦于成熟制程，提供长期稳定供 应、高可靠性、更优性价比及定制化能力，满足下游场景对长产品生命周期的需求，因此其市场 更为分散和稳定，受尖端技术迭代的直接冲击较小，市场波动相对温和。

利基型DRAM价格自25Q2企稳回升

受供给端缺口影响，利基型DRAM价格自25Q2持续走高。三星、SK海力士以及美光因战略性转向HBM 和DDR5等高端产品，持续削减利基型产品产能，算力基建带来的巨大需求导致利基型DRAM供给端 出现收缩，自25Q1末，利基型产品库存去化处于尾声，迎来价格企稳回升。叠加需求侧受益于端 侧AI、汽车电子领域高景气，以及工业控制领域稳健增长形成持续拉动，利基型DRAM价格自25Q2 开始进入快速上行通道。预计供需错配有望延续，利基型DRAM产品价格Q4预计进一步上行，并在 26年维持相对较好水平。

公司DRAM业务成为第二增长曲线，定制化存储进展显著

公司前瞻性布局定制化存储，有望充分受益端侧AI浪潮。公司设立控股子公司青耘科技，前瞻性 布局定制化存储领域。公司积极与逻辑芯片客户合作，覆盖多种端侧的应用，公司堆叠DRAM在带 宽、功耗、能效等方面优势显著，即使用相对成熟的逻辑制程，通过架构创新也能带来算力和效 率方面的显著提升，对现有的SoC+DRAM架构形成明显的优势。公司26年有望在包括AIPC、手机、 端侧智能设备、汽车等领域实现样品推出和芯片的量产。

报告节选：

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