2026年存储行业深度:发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理

  • 来源:慧博智能投研
  • 发布时间:2026/03/10
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存储行业深度:发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理.pdf

存储行业深度:发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理。去年9月至今,受需求"爆发式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近1个多月以来涨幅呈现扩大态势。当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看,在AI服务器算力需求持续增长的带动下,全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续,存储芯片价格将延续上涨态势。围绕存储行业,下面我们从存储行业发展现状展开讨论,分析当前市场规模、技术趋势、竞争格局、并从需求及供给端分析当前存储行业发展情况,并对产业链及相关公司进行梳理,希望帮助大家更多了解存储行业发展情况。

存储行业概述

1.存储器

存储器是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质不同,可以分为半导体存储、 磁性存储和光学存储;其中,半导体存储器是以半导体电路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆 设备,是市面上的主流存储器,具有体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点; 被广泛应用于各类电子产品中。 存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为 RAM(随机存储器)、ROM(只读存储器)和新型 RAM(基于新材料研制而成,尚未实现商业化)。其中,RAM 大头是 DRAM、ROM 大头是 NAND Flash 为主。

2.DRAM

DRAM(动态随机存取存储器、断电后数据丢失)是存储器细分产品中的营收占比最大的产品。 DRAM 基本存储单元由一个晶体管和一个电容(1T1C)构成,被广泛应用在主机内存上,产品主要分 为 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 等。HBM 是 3D 堆叠构成的“高带宽、高速”DRAM 内存,其 DRAM die 之间以 TSV 连接;通过 3D 堆叠,HBM 实现内存容量与带宽瓶颈的突破。由于 HBM 的带宽领先其 他技术一个数量级之多,更好适配高度并行计算、科学计算、计算机视觉、AI 等使用场景。

3.NAND Flash

NAND Flash 是最为常见的非易失存储介质,其标准化的生产过程、容量大、且断电不会丢失存储信息 的特征,决定了 NAND Flash 被广泛应用在资料存储的应用属性。

存储行业发展现状

1.存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”,价格上行态势强劲且仍有扩张 空间

存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”,价格上行态势强劲且仍有扩张空间。根据安兔兔公众号,自去 年 9 月起,存储板块迈入价格快速攀升通道,DRAM(内存)与 NAND Flash(闪存)现货价累计涨幅 已超 300%,第四季度合约价同比上涨 75%,其中 DDR5 颗粒单月涨幅更突破 90%。此轮涨价的核心 驱动力源于 AI 应用中“以存代算”技术的普及——全球约 66%的 DRAM 产能已被 AI 服务器吸纳,三星、 SK 海力士及美光等企业更将 70%产能倾斜至高利润的 HBM(高带宽内存)与 DDR5 产品,此举直接 导致消费级芯片出现 20%的供应缺口。Counterpoint Research 指出,在 AI 与服务器需求的双重激增下, 存储市场已进入超越 2018 年历史高点的超级牛市阶段,供应商议价能力攀至历史峰值。

Trend Force 进一步预测,2026 年第一季度,随着 DRAM 原厂大规模向服务器、HBM 领域转移先进制 程与新产能以满足 AI 需求,普通 DRAM 合约价将环比大增 55%-60%;而 NAND Flash 受限于产能管控及服务器强势采购对其他应用的挤压,各类产品合约价仍将延续 33%-38%的涨幅。多重因素叠加下, 存储价格的上涨动能有望持续释放。

2.存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品

厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限,上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、 惠普等主要电脑厂商均已发布调价函,涨幅普遍在 500 至 1500 元之间,小米、vivo 等国产新发售机型 相同存储配置版本价格较上一代上涨 300 至 500 元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响,PPI 方 面,计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳,对 PPI 的拖累作用有所减弱。

存储行业产业链及商业模式

1.产业链情况

存储器产业链情况:原厂掌握产业链核心技术,并推动技术迭代与标准制定。据江波龙招股说明书,存 储器产业链从上至下分别为:晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下 游具体应用场景等。其中,上游晶圆厂即存储“原厂”,是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商 的通称,掌握核心颗粒(Die)的制造权,如三星、美光、海力士、长鑫存储等。原厂拥有晶圆制造能 力,掌握制程工艺、架构设计等核心技术,是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者,同时控制着 行业最关键的产能资源。此外,原厂还推动行业技术迭代与标准制定,新一代存储技术(如 3DNAND 层数提升、DRAM 制程升级、接口标准变更)通常由原厂率先研发并量产,其强话语权决定了产业升级 节奏和方向。

存储下游应用场景多样,产品千端千面。存储器的下游应用市场包括手机、笔电、服务器、工业、车载、 家用电器、安防监控、物联网硬件等,不同应用市场对存储器的功能要求不同,在存储原厂完成标准的 晶圆制造之后,应用场景所需的功能则在 NAND Flash 主控芯片设计、固件开发以及 SiP 封装等产业链 后端环节实现,这一环节需要开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。 原厂主要服务核心客户。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆 IC 设计与提升晶圆工艺制程,在产品应用 领域,囿于产品化成本等要素限制,原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户(如智能手机、 个人电脑及服务器行业的头部客户)。 第三方解决方案厂商提供定制化服务。存储原厂的目标市场之外,仍存在极为广泛的应用场景和市场需 求,包括细分行业存储需求(如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、 物联网硬件等)以及主流应用市场中小客户的需求。无晶圆制造的存储器厂商面向下游细分行业客户的 客制化需求,进行介质晶圆特性研究与选型、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计与制造、芯片 测试、提供后端的技术支持等,将标准化存储晶圆转化为千端千面的存储器产品,扩展了存储器的应用 场景,提升了存储器在各类应用场景的适用性,推动实现存储晶圆的产品化和商业化。

2.商业模式

商业模式:主要晶圆厂仍采用 IDM 模式运营,部分原厂向下游存储产品渗透。不同于逻辑芯片从 IDM 模式向产业链分工模式切换,半导体存储器由于布图设计与晶圆制造结合更为紧密,业内主要晶圆厂仍 采用 IDM 模式运营。此外,由于存储晶圆标准化程度高,应用场景所需的功能在 NAND Flash 主控芯 片设计、固件开发以及 SiP 封装等产业链后端环节实现,因此存储原厂完成晶圆制造后,仍需开发大量 应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。

存储行业市场规模分析

1.2026 存储市场将超 3000 亿美元

存储行业市场规模在周期波动中呈现出持续增长之势,主要系存储位元需求整体呈现逐年提升,产品价 格的周期性变化使得行业规模在波动中持续增长。我们预计 2026 年存储行业市场规模或将超 3000 亿 美元。

2.IDM 模式下的重资本投入

存储行业的生产模式为 IDM 的模式,据 ICInsight 统计数据显示,近年来,存储器资本开支占存储器营 收的 30%-40%。对不同制程节点扩产所需设备的投资额分析可以发现,10-20nm 制程的每 5 万片晶圆 产能所需设备投资额在 47-63 亿美元之间,随着存储制程来到 10nm+,设备投资额度的加大是其资本 开支不断增长的原因之一(注:10-20nm 制程不含 10nm、含 20nm);行业具备重资产投入属性。

对存储产品的历史价格进行分析,可知:存储价格都有着显著的“暴涨—暴跌”的循环变化;尽管全球存 储需求中长期在快速增长,但中短期需求具有一定的波动,同时受制于供给端厂商新建产线往往需要较 长的时间(两年左右)集中释放产能,供需时空上的错配是致使存储器周期性波动的核心所在。本轮在 AI 驱动的强需求下,存储供给持续紧张,价格整体上涨幅度超历史存储周期。在需求持续增长、且价格 持续上升之际,当前行业主要玩家的整体盈利能力持续提升。

编辑:火腿肠
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