2023年甬矽电子研究报告：先进封装新秀，一站式交付能力优异

1 团队产业背景丰富，专注先进封装

1.1 聚焦高端先进封装，迅速拓宽业务品类

专注中高端封装产品。公司于 2017 年 11 月设立，从成立之初即聚焦集成电路封 测业务中的先进封装领域，全部产品均为 QFN/DFN、WB-LGA 等中高端先进封装形 式。公司下游客户主要为集成电路设计企业，如恒玄科技、晶晨股份、富瀚微、 联发科、北京君正、韦尔股份等，产品主要应用于射频前端芯片、AP 类 SoC 芯片、 触控芯片、WiFi 芯片等。 封装技术不断突破：

2018 年 6 月倒装芯片技术产品实现量产：公司搭建了高精度倒装芯片封装 产线（焊接精度达±3~6um），解决了倒装芯片贴装及焊接过程中的偏移/锡 桥接等工艺难点，同时也解决了先进制程芯片封测过程中最具挑战的晶圆上 低介电常数/超低介电常数的电介质层在加工过程中因机械外力、机械应力 或热应力破裂工艺难点。

2018 年 8 月大尺寸/细间距扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）实现量产：公司 QFN/DFN 产品线尺寸覆盖了 2*2mm 至 12.3*12.3mm 多种规格，攻克了合金线 和铜线在焊线过程中易氧化、焊线力度不易控制等工艺难题，实现了合金线 和铜线产品的规模化量产，大幅降低了产品的封装成本。

2018 年 9 月焊线类 BGA 芯片实现量产：公司焊线类 BGA 产品采用了多芯片 层叠技术以及数量超过 1000 根的超高密度焊线技术，实现了芯片焊线垫 BPP/BPO45/39um 的细间距工艺。同时解决了铜线在封装过程中“芯片到芯片” 的控制难点，并攻克了 28nm 先进制程芯片在铜线焊线过程中存在的 LowK/ELKCrack 风险，实现了产品的稳定规模化量产。

实控人为董事长&总经理王顺波。董事长兼总经理王顺波直接持股 3.92%，通过宁 波鲸舜、宁波鲸芯、浙江甬顺芯间接控制公司 27.93%股份，实际支配公司 31.85% 的股权，为公司实际控制人。

公司核心人员产业经验丰富。公司核心人员在半导体封装测试行业头部厂商拥有 平均 10 年以上的从业经验积累，在行业头部企业深耕多年，产业背景深厚。徐 林华历任江苏长电科技股份有限公司销售总监；徐玉鹏历任日月光封装测试(上 海)有限公司工艺工程师、江苏长电科技股份有限公司集成电路事业中心副总经 理。

股权激励彰显信心。2023 年上半年公司实施了股权激励，向符合授予条件的 274 名激励对象授予 440 万股第二类限制性股票，占目前公司总股本的 1.08%，同时 明确了 2023-2025 年度公司层面的业绩考核要求。通过实施股权激励，增强核心 团队稳定性，实现核心员工与公司长期利益的绑定。

1.2 业绩持续攀升，稼动率保持高位

营收规模不断扩大，23Q2 收入复苏。公司业务快速发展，2018-2022 年期间公司 CAGR 达 273.33%。2023H1 公司营收为 9.83 亿，yoy-13.46%，主要系：宏观经济 增速放缓、国际地缘政治冲突和行业周期性波动等多重因素影响，终端市场整体 需求疲软。2023H1 毛利率为 12.18%，yoy-13.04pcts。2023 年第二季度公司稼动 率整体呈稳定回升趋势，实现营业收入 5.58 亿元，yoy+0.55%，qoq+31.42%,但 由于下游整体疲软，订单价格承压，导致公司上半年整体毛利率较去年同期仍有 所下降。 公司于 2020 年初首次盈利，2021 年业绩显著突破，归母净利润实现大幅增长。 2023H1 公司归母净利润为-0.79 亿。2023H1 净利率为-9.75%，受行业整体需求疲 软，人员支出及公司二期筹建费用增加，管理费用同比增长 84.94%，导致公司 2023 年上半年出现亏损。

专注高端封装，系统级封装为主要产品。公司 2022 年营业收入 21.77 亿元，其 中系统级封装产品收入 12.25 亿元，扁平无引脚封装产品收入 6.32 亿元，高密 度细间距凸点倒装产品收入 2.92 亿元。系统级封装产品是公司营业收入的主要 来源，其占比在 2020 年至 2022 年间逐年提升，从 45.45%上升至 56.27%，主要 系公司陆续进入晶晨股份、唯捷创芯等客户。扁平无引脚封装产品的占比逐年微 降，但仍占比显著，2022 年为 29.03%。高密度细间距凸点倒装产品的占比在 2022 年相比 2021 年有所提升。

系统级封装和高密度细间距凸点倒装产品毛利率较高。公司系统级封装产品 2019-2021 年毛利率稳定在 30%左右。由于规模效应，扁平无引脚封装和微机电 系统传感器的毛利率与 2020 年起转正。2022 年以来受制于行业需求下滑，公司 产品价格相应降低，系统级封装、扁平无引脚封装、高密度细间距凸点倒装产品 毛利率均有所下滑。

产品应用领域广，产销率与稼动率高维持高位。从产品应用领域来看，射频芯片、 SoC 芯片、IC 芯片、IoT 芯片等均有涉及，产品获得不同行业客户认可，应用广 泛，市场反响较好。2019-2022H1，公司产销率始终维持在 97%以上，销售情况良 好，库存水平较低。

下游客户构成稳定，多元销售助力发展。公司下游客户主要为集成电路设计企业， 如晶晨股份、翱捷科技、富瀚微、联发科、北京君正、韦尔股份等。近三年来公 司前五大客户构成较为稳定，销售额不断提升。

快速开拓市场，期间费用率略有上升。公司处于业务开拓期，2020 年以来期间费 用率微升，未来随着规模效应及经营效率提升，期间费用率有望小幅下降。公司 销售费用率随着公司市场开拓力度加大而上升；管理费用率方面，公司二期项目 建设推进过程中职工薪酬、水电气等能源支出及物料消耗增加，管理费用相应上 升；研发费用率较为稳定，主要系公司持续加大研发投入，提升产品性能与工艺， 增强公司的竞争优势所致。

快速开拓市场，期间费用率略有上升。公司处于业务开拓期，2020 年以来期间费 用率微升，未来随着规模效应及经营效率提升，期间费用率有望小幅下降。公司 销售费用率随着公司市场开拓力度加大而上升；管理费用率方面，公司二期项目 建设推进过程中职工薪酬、水电气等能源支出及物料消耗增加，管理费用相应上 升；研发费用率较为稳定，主要系公司持续加大研发投入，提升产品性能与工艺， 增强公司的竞争优势所致。

1.3 上市助力扩产提质，巩固公司龙头地位

公司于 2022 年 12 月上市，公开发行 6000 万股，募集资金净额 10.10 亿元，主 要用于高密度 SiP 射频模块封测项目、集成电路先进封装晶圆凸点产业化项目。 高密度 SiP 射频模块封测项目总建设周期为 3 年，达产后每月将新增 14,500 万 颗 SiP 射频模块封测产能。集成电路先进封装晶圆凸点产业化项目总建设周期为 3 年，完全达产后将形成晶圆凸点工艺产能 15,000 片/月。

2 封测行业逐步复苏，先进封装高速成长

2.1 半导体销售额回暖，封测 Q2 环比改善

全球半导体销售额连续四个月环比向上。根据美国半导体工业协会（SIA）数据， 2023Q2 全球半导体销售额共计约 1245 亿美金，相较于 2022Q2 同比下降 17.3%， 相较于 2023Q1 环比增长 4.7%。其中 2023 年 6 月全球半导体销售额约 415 亿美 金，相较于 5 月 407 亿美金环比增长约 1.9%，同时根据 SIA 统计数据我们发现： 自 2023 年 3 月起，全球半导体销售额环比连续 4 个月为正，且环比增长幅度也 由 3 月 0.3%提升至 6 月 1.9%。我们认为，通过目前数据反映出自 2023 年二季度 起全球半导体行情开始呈现复苏态势，且整体复苏呈现出逐步加速态势，后续伴 随下游需求市场回暖以及部分半导体企业去库存进入尾声，全球半导体行业或将 延续加速复苏态势。

中国半导体市场回暖速度快于全球。中国市场方面，根据 SIA 数据，中国市场 2023Q2 半导体销售额约 356 亿美金，同比下降约 28.4%，环比提升 5.6%。其中 2023 年 6 月，中国半导体销售额约 123 亿美金，同比下降 24.4%，环比提升 3.2%。 对比同机构测算的全球数据，2023Q2 中国半导体市场销售额环比增速 5.6%高于 全球环比增速 4.7%，截止 2023 年 6 月中国半导体销售额连续 4 个月环比为正，且环比增速均高于全球市场。我们认为相较于全球而言，中国市场下游新兴领域 发展较快以及部分需求表现亮眼，未来中国半导体市场有望继续延续加速回暖态 势。

台股封测板块月度营收连续3月环比改善。测板块我们选取了日月光、颀邦科技、 京元电子、南茂科技等 10 家公司，2023 年 8 月板块总营收 706.85 亿新台币， MoM+6.1%。 2023 年 5-7 月营收环比为+5.8%，+1.5%，+3.2%，已经连续四个月环 比改善。我们认为封测板块有望率先迎来复苏。

三季度有望逐季回升，毛利率持续改善。我们梳理了四家台股封测厂的 23Q2 经 营情况及法说会交流，四家公司 23Q2 营收和毛利率均有环比改善。展望三季度，日月光、南茂和力成预计营收仍有望逐季回升。封测作为重资产的公司，随着稼 动率的回升，毛利率也将持续改善。

2.2 后摩尔时代，先进封装高速成长

进入“后摩尔时代”，芯片设计成本攀升。“摩尔定律”认为集成电路上可容纳的元 器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。2015 年以 后，集成电路制程的发展进入了瓶颈,制程工艺已接近物理尺寸的极限，行业进 入了“后摩尔时代”，受成本大幅增长和技术壁垒等因素影响，工艺制程改进速度 放缓。由于集成电路制程工艺短期内难以突破，通过先进封装技术提升芯片整体 性能成为了集成电路行业技术发展趋势。

存储互联带宽落后，单位面积功率遇到瓶颈。存储的互连带宽的提升严重落后于 CPU 和 GPU 计算能力的发展，从而阻碍了性能的提高。高端芯片的功耗稳步增加， 这给更大的芯片带来了电源和冷却方面的挑战。虽然芯片的功耗和面积同步增长， 但单位面积的芯片功耗却遭遇了瓶颈。

先进封装应运而生。先进封装主要是采用键合互连并利用封装基板来实现的封装 技术，主要包括倒装（Flip Chip，FC）封装、晶圆级封装（Wafer Level Package， WLP）、2.5D 封装、3D 封装等，其先进性体现在封装尺寸更小，I/O 密度更高， 设计和封装难度也显著加大。而传统封装主要包括 DIP、SOP、SOT、TO、QFP 等封 装形式，以引线键合为主。

先进封测市场占比迅速增加。先进封装市场规模将从 2021 年的 321 亿美元增长 到 2027 年的 572 亿美元，CAGR 达 10.11%。根据市场调研机构 Yole，2022 年先 进封装占全球封装市场的份额约为 47.20%，预计 2025 年占比将接近于 50%。中 国市场中先进封装占比低于全球水平，2022 年为 38%，自 2014 年以来与全球市 场的差距正在逐步缩小。

倒装为目前主流，2.5D/3D 封装高速增长。2021 年 FCBGA 和 FCCSP 占比分别为 33.69%和 19.76%，合计占比超 50%。其次为 2.5D/3D 封装，2021 年占比为 20.57%， 主要由台积电供应。在各封装形式中，2.5D/3D 封装的增速最快，2021-2027 年 CAGR 达 14.34%，增量主要由 AI、HPC、HBM 等应用驱动。

先进封装市场主要由 HPC、网络和消费应用驱动。HPC 和网络应用的大部分增长 来自 AI 芯片、边缘计算和网络芯片，它们需要扇出型封装以提供小尺寸和节约 成本。2022 年只有不到 20%的数据中心使用 2.5D 封装， 但在 2027 年这一比例 将有望超过 50%。3D 封装将加速在 HBM、CPU、GPU 中的渗透。消费电子应用领域 的重要客户是苹果，其应用处理器、图形芯片、5G/6G 调制解调器芯片均使用扇 出封装。

先进封装市场马太效应明显。2021 年 ASE 市占率居首，份额为 26%。台积电和安 靠并列第二，长电科技位列第四，市占率为 8%。2021 年 CR5 为 76%，而 2016 年 CR5 为 48%，5 年间提升了 28%，份额前五名中仅长电和日月光仍位列其中。

Fab/IDM 厂和 OSAT 错位竞争：Fab/IDM 厂商涉足 3D 堆叠，OSAT 主攻倒装、扇出 和晶圆级封装。Fab/IDM 厂基于前道制造优势和硅加工经验，聚焦产品性能，多 开发基于 Si-interposer 的 2.5D 或 3D 封装技术从头部厂商的封装类型来看，三 星的 3D 堆叠产品最高，达 67%，主要系其存储产品占比较高所致。其次为台积 电，3D 堆叠占比为 46%；凭借其 InFO 在苹果产品中的渗透，台积电扇出型封装 占比也达到了 33%。OSAT 厂商则聚焦于载板技术，成本为先，产品结构中倒装仍 是主力，FCBGA 和 FCBGA 占比在 ASE 中为 38%和 29%，在安靠中为 28%和 33%，在 长电中为 28%和 31%。

凸点间距（Bump Pitch）越小，封装集成度越高，难度越大。从 Bump Pitch 来 看，台积电 3D Fabric 技术平台下的 3D SoIC、InFO、CoWoS 均居于前列，其中 3D SoIC 的 bump Pitch 最小可达 6um，居于所有封装技术首位。Bump Pitch 间距 最小的 3D SoIC 和 Foveros Direct 仍在研发中，尚未量产。目前已经量产的封 装技术中，bump pitch 最小的为台积电的 InFO_LSI。

2.2.1 Flip Chip

倒装芯片的组装主要有两种方式，间接键合和直接键合。与传统的引线键合工艺 不同，倒装芯片使用焊料或金属凸点，利用倒装焊技术将芯片与基板直接互连。 通过回流焊凸点焊球或者 TCB 热压键合的属于间接键合，特点是芯片与基板之间 有中间材料。通过混合键合，铜与铜扩散键合，中间没有其他材料的方式是直接 键合。 铜柱凸点是高密度、窄节距集成电路封装市场主流方式。随着先进封装对凸点间 距要求越来越小，为了避免桥接现象的发生，实现更高 I/O 密度，IBM 公司于 21 世纪初首次提出了铜柱凸点。在焊料互连过程中，铜柱凸点能够保持一定的高度， 可以防止焊料的桥接现象发生，同时可以掌控堆叠层芯片的间距高度，铜柱凸点 的高径比不再受到阵列间距的限制，在相同的凸点间距下，可以提供更大的支撑 高度，显著改善了底部填充胶的流动性。

FCBGA 为倒装主要形式，FCCSP 复合增速更快。2022 年 FCBGA 市场规模约 125.9 亿美元，2022-2027 年 CAGR 约 6.6%。FCBGA 技术出现早，收入较高并占据 FC 市场主体部分，网络、汽车、人工智能和服务器的进一步放量将带动 FCBGA 市 场的增长。FCCSP 主要应用于移动和消费市场，例如智能手机 APU、RF、DRAM 等。 FCCSP2022 年市场规模约 70.5 亿美元，2022-2027 年 CAGR 约 13.4%。

2.2.2 WLCSP

对增加 I/O 数量的需求推动扇出技术涌现。晶圆级封装可分为扇入（Fan-in）和 扇出（Fan-out）两种，传统的晶圆级封装多采用扇入型结构，应用于 I/O 数量较 少的芯片中。随着终端应用对性能要求的提高，I/O 数量不断增加，而芯片制程 则不断缩小，导致扇入型封装难以承载不断增加的 I/O 数量，因此扇出型技术应 运而生。Fan-out 技术利用 RDL 工艺在芯片尺寸以外的区域做 I/O 接点的布线设 计，以提高 I/O 数量。在完成芯片锡球链接后，不需要使用封装载板便可直接焊 接在 PCB 上，缩短信号传输距离，提高电学性能。

2020-2026 年间，扇出封装市场将由 14.75 亿美元增长至 34.25 亿美元，CAGR 达 15.1%。其中增长的动力主要由超高密度扇出封装（UHD FO）贡献，这一封装技术 主要应用在 HPC 领域，该领域的主要供应商为台积电。

2.2.3 CoWoS 为 2.5D 封装主流，产能持续紧缺

2.5D 封装进一步提高封装及程度。传统的 2D 封装载体的布线比芯片上的布线宽 出 3 个数量级，占用的平面尺寸较大，封装微型化的需求催生了 2.5D 封装。2.5D 封装与 2D 封装的区别在于，在电子元器件和封装载体之间加入了中介层/转接板 （Interposer），以实现芯片元器件和封装载体之间的互联和布线的转换。 为 HPC 而生，CoWoS 成最主流 2.5D 封装方案。台积电的 CoWoS 平台包含 CoWoSS/R/L，为高性能计算应用提供最佳性能和最高集成密度，提供了广泛的硅中介 层尺寸、HBM 数量和封装尺寸。英伟达、博通、谷歌、亚马逊、NEC、AMD、赛灵 思、Habana 等公司已广泛采用 CoWoS 技术，2020 年基于 CoWoS-S 的系统的总计 算能力占所有 500 强系统总计算能力的 50%以上。

CoWoS 共有三大技术方向：CoWoS-S 采用硅中介层，可以为高性能计算应用提供 最佳的性能和最高的晶体管密度；CoWoS-R 利用 InFO 技术，利用 RDL 中介层进行 互连，更强调小芯片间的互连；CoWoS-L 结合了 CoWoS-S 和 InFO 技术的优点，使 用夹层与 LSI（局部硅互连）芯片进行互连，使用 RDL 层进行电源和信号传输， 提供了最灵活的集成。 CoWoS 工艺流程分为前段 CoW 和后段 oS 工艺。CoW 包括 TSV、Si interposer 的 制作，在裸芯（Die）上制备微凸点（ubump），其次进行与晶圆的键合，并进行 晶圆级封装。oS 工艺包括减薄、临时键合、植入 C4、解键合、划片，最后实现与 载板之间的连接。CoWoS 工艺结束后再进行成品测试（FT）。目前 CoW 供应商主 要为台积电，其次为联电。oS 工艺则台积电、矽品、安靠、日月光皆可提供。

台积电 CoWoS 产能紧缺，扩产 2X。HPC 行业大趋势的支撑下，计算需求的结构性 大幅增长继续推动对性能和节能计算的更大需求。AI 需要更高的计算能力和互连 带宽，推动半导体含量增加。无论是使用 CPU、GPU 还是 AI 加速器和相关 ASIC， 对于机器学习的人工智能来说，共同点是需要使用领先的技术和强大的代工设计 生态系统。台积电最新法说会表示，服务器 AI 处理器需求目前约占公司总收入 的 6%，预计未来五年内这一数字将以接近 50%的速度增长，占收入的百分比达到 十几个点。当前先进封装产能供不应求，公司预计 CoWoS 供需紧张持续至 2024 年底，CoWoS 将扩产至目前的两倍。

3 攻克高密度 Bump+RDL 技术，发力晶圆级封装

3.1 研发高投入，先进封装占比高

自主研发核心技术，占领先进封装高地。公司在 2018 年后逐步实现多种尖端产 品和技术的量产，包括倒装芯片、大尺寸/细间距无引脚封装（QFN/DFN）、焊线 类 BGA、系统级封装（SiP）以及混合封装 BGA（Hybrid-BGA），在高端集成电路 封装领域中的竞争力和市场地位显著提升。公司主要封装形式关键技术指标与行 业头部公司同类产品持平或接近，产品技术水平处于行业前列。公司研发的 Bumping 先进封装技术，微凸块最小高度为 20um，最小凸块直径 20um，最小间距 可达 34um，单晶粒(3mm*3mm)上的凸块数量达到了 3000 个以上。

甬矽电子先进封装占比领先。甬矽电子目前封装技术以 SiP 为主，先进封装产品 占比达 100%。通富微电、长电科技、华天科技技术布局最为广泛，且均已具备 2.5D/3D 的技术储备，未来先进封装占比有望继续提升。

先进封装技术持续储备。公司积极开发 Fan-in/Fan-out、2.5D/3D 等晶圆级封装 技术、高密度系统级封装技术、大尺寸 FC-BGA 封装技术，储备凸块及重布线技 术/TSV/膜状底填热压键合等基础技术，为未来高端产品切入客户奠定良好基础。

封测产业集中度较高，且持续提升。2022 年 CR10 达 77.98%，而 2021 年则为 77.55%，同比增加 0.43pct。按地区划分：前十大 OSAT 公司中，中国大陆占 4 家， 中国台湾占 5 家，美国为 1 家。2022 年中国大陆企业占比为 24.54%，同比增加 1.01pct。 甬矽电子在国内独立封测企业中排名靠前。根据中国半导体行业协会封装分会统 计，甬矽电子 2019 年位居国内独立封测企业的第 11 名，在内资企业中排名第 6。 根据芯思想研究院口径，公司 2020 年在内资企业中排名第 8，均处于内资企业前 列。

3.2 突破 Bump+RDL 工艺，WLP 技术蓄势待发

Bump 工艺显著提高集成密度。Bump 是先进封装微凸块技术通过在芯片表面制作 金属凸块提供芯片电气互连的“点”接口，反映了先进制程以“点连接替代焊线” 的发展趋势，广泛应用于 FC、WLP、2.5D、3D 等先进封装。它提供了芯片之间、 芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统 Wire Bonding 向四周辐射的金 属“线连接”，减小了芯片面积（封装效率 100%），此外凸块可以阵列在芯片表 面，引脚密度可以做得很高，极大的提升集成密度同时满足高性能芯片的需求。

晶圆凸点工艺是所有晶圆级封装技术的基础。晶圆级封装是集成电路行业先进封 装技术的重要组成部分，一般为直接在晶圆上进行封装测试程序，之后再进行切 割制成单颗组件的封装方式。相较于传统封装形式，晶圆级封装能实现高带宽、 高互联速度的同时，保障高可靠性和低功耗。凸点作为晶圆级封装中主要的连接 方式，Bump 工艺是其重要基础。 通过实施晶圆凸点产业化项目布局，后续切入扇入、扇出式封装。公司在 SiP 领 域具备丰富的技术积累，WLP 方面量产技术略有欠缺，通过实施晶圆凸点产业化 项目切入布局“扇入型封装”（Fan-in）、“扇出型封装”（Fan-out）、2.5D、 3D 等晶圆级和系统级封装应用领域，提前布局进行凸块及重布线技术/TSV/膜状 底填热压键合技术/不同结构微凸点制造技术/扇入及扇出技术等研究，在接下来 的研发及生产过程中逐步推进量产，为进一步拓展异构封装领域打下基础，并丰 富公司的封装产品类型，增强公司的技术竞争优势和持续盈利能力。

晶圆凸点加工有望实现委外加工向自给的转变。2019、2020，2021 年公司高密度 细间距凸点倒装产品(FC 类产品)产量分别为 36.61 百万颗、265.11 百万颗和 246.30 百万颗，此前公司产品晶圆凸点工艺均采取外协加工方式，委托中芯长电 半导体(江阴)有限公司、宁波芯健半导体有限公司等企业代为加工。公司募投项 目集成电路先进封装晶圆凸点产业化项目预计将达 15000 片/月，随着项目投产， 预计公司凸点加工自给率将逐步提高，带动毛利率上行。

Bumping 及 CP 项目通线，助力公司一站式交付能力提升。公司积极推动二期项 目建设，扩大产能规模，提升对客户的服务能力，积极布局先进封装和汽车电子 领域包括 Bumping、CP、晶圆级封装、FC-BGA、汽车电子等新的产品线，持续推 动相关技术人才引进和技术攻关，提升自身产品布局和客户服务能力。2023H1， 公司自有资金投资的 Bumping 及 CP 项目实现通线，公司具备了为客户提供 “Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力，可以有效缩短客户从晶圆裸片到成品 芯片的交付时间及更好的品质控制，通过实施 Bumping 项目掌握的 RDL 及凸点加 工能力，为公司后续开展晶圆级封装、扇出式封装及2.5D/3D封装奠定工艺基础。 RDL 线宽/线距不断缩小，多 RDL 布线层 Bumping 量产。随着芯片发展，对带宽要 求越来越高，因此要求 RDL 的线宽及线距不断缩小，以容纳更多的 I/O 点。公司 致力于不断缩小线款，目前最小线宽可达 5um，最小线间距可达 5um。公司运用 于量产产品上的细线宽为最小线宽 8um，最小线间距 8um。有机结合先进的 Bumping 微凸块和 RDL 重布线技术，实现多 RDL 布线层 Bumping 量产，并为后续 Fan-out（扇出式封装）奠定工艺基础。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）