澜起科技研究报告：DDR5世代扬帆起航，高速互联打开成长新空间

1、 澜起科技：内存接口芯片行业国际领军者

1.1、 内存接口芯片：服务器 CPU 存取内存数据的必由通路

内存接口芯片是服务器内存模组（又称“内存条”）的核心逻辑器件，作为服务 器 CPU 存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳 定性，满足服务器 CPU 对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。

服务器进行实时运算需要 CPU 和内存：CPU 用于计算，内存用于存放 CPU 即 时读取和运行的数据。CPU 比内存处理数据的速度快，不加缓冲的内存条无法 满足服务器 CPU 的运行速度、信号完整性和稳定性方面的要求，因此需额外添 加接口芯片来提升内存性能。

CPU 读写数据需要控制节拍——控制信号，命令 CPU 读写指令需要——命令信 号，控制数据储存的位置需要——地址信号，控制存储的数据内容需要——数据 信号。 通常，内存接口芯片按功能可分为两类：一是寄存缓冲器（RCD，又称“寄存时 钟驱动器”），用来缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制信号；二是数据缓冲 器（DB），用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。

RCD 与 DB 组成套片，可实现对地址/命令/控制信号和数据信号的全缓冲。仅采 用了 RCD 芯片对地址/命令/控制信号进行缓冲的内存模组通常称为 RDIMM，而 采用了 RCD 和 DB 套片对地址/命令/控制信号及数据信号进行缓冲的内存模组 称为 LRDIMM。由于 LRDIMM 对内存控制器接口的所有信号都进行了缓冲，对 内存控制器而言降低了其负载，故名为减载内存模组。

1.2、 成长复盘：从消费电子芯片起家，向数据中心平台型公司转型

澜起科技（688008.SH）是国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司，为 全球仅有的三家内存接口芯片供应商之一（澜起科技，IDT，Rambus）。公司 前身澜起有限于 2004 年 5 月由 Montage Group 独资设立，早期专注于为家庭 娱乐和云计算市场提供以芯片为基础的全方位解决方案。2019 年 7 月，澜起科 技在科创板上市。

目前，公司致力于为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案， 产品包括内存接口芯片、PCIe Retimer 芯片、服务器 CPU 和混合安全内存模组 等。经过多年的研发积累，包含公司产品的服务器广泛应用于数据中心、云计算 和人工智能等诸多领域，满足了新一代服务器对高性能、高可靠性和高安全性的 需求。

1.3、 主营业务：持续扩充接口芯片产品组合，全面布局全互连和计算领域

公司主要产品包括内存接口芯片、津逮®服务器 CPU 以及混合安全内存模组， 津逮服务器 CPU 及混合安全内存模组组成了津逮服务器平台。公司的主营产品 均属于产业链的芯片层环节，其中内存接口芯片是公司最主要的业务，2020 年 其营收占公司总营业收入的 98.37%；津逮®服务器平台直接面对服务器市场， 目前还处于市场推广阶段，不是公司的主要收入来源。

作为国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司，公司的接口类芯片产品线 已经由内存接口芯片延伸到多品类全互连芯片，包括内存接口芯片、内存模组配 套芯片、PCIe Retimer 芯片 3 个品类。随着 2021 年主流 CPU 厂商推出支持 PCIe 4.0 协议及 DDR5 标准的服务器 CPU，PCIe 4.0 Retimer 芯片与 DDR5 内存模组 配套芯片将迎来强劲需求，有望为公司贡献可观的业绩增量。

1.4、 财务分析：产品结构优化改善盈利能力，量价齐升助推业绩腾飞

公司营收高速增长，内存接口芯片量价齐升是主要动力。16/17/18 年，公司分 别实现营业收入 8.5/12.3/17.6 亿元，年均复合增长率高达 44.2%，主要系产品 销售数量与单价大幅增加。2019 年，公司实现营业收入 17.4 亿元，同比略微下 滑 1.1%，主要系 2019 年下半年服务器市场不景气导致公司内存接口芯片销量 同比下滑 16.3%。2020 年营收 18.25 亿元，同比增长 5.0%。2021 年前三季度 公司实现营业收入 15.93 亿元，同比增长 8.46%。2021 年第三季度公司实现营 业收入 8.68 亿元，同比增长 129.16%，主要系津逮®服务器平台产品线收入较 上年同期增长 43 倍；互连类芯片产品线收入较上年同期增长 16.35%。

公司盈利能力显著提升，产品结构不断优化是根本原因。2019 年公司实现归母 净利润 9.3 亿元，同比增加 26.6%；2020 年公司剔除股份支付费用影响后的归 属于上市公司股东的净利润为 12.95 亿元，较上年同期增长 38.77%，增速高于 营收，主要系 DDR4 内存接口芯片新子代产品（DDR4 Gen 2 plus）销售占比提 升导致公司内存接口芯片产品的平均销售单价有所提升。2021 年前三季度归母 净利润 5.12 亿元，比上年同期减少 41.62%，主要系毛利较高的互连类芯片产 品线营业收入降低，DDR4 内存接口芯片进入产品生命周期后期价格下降，研发 投入较上年同期增加。2016-2021 前三季度，公司综合毛利率分别为 51.2% /
53.5%/70.5%/74.0%/73.7%/49.1%，维持较高水平，2018 年毛利率大幅提升 主要系 2017 年公司剥离了盈利能力较低的消费电子业务，实现产品结构的进一 步优化。2021 前三季度毛利率的下降主要是由于 DDR4 进入产品生命周期后期 价格下降，公司将更多的研发投入用于 DDR5 的研制，努力实现产品的升级。（报告来源：未来智库）

2、 内存接口芯片行业：技术+认证壁垒高企，先发优势至关重要

2.1、 行业特点：技术+认证壁垒高企，先发优势至关重要

技术标准快速迭代，需持续投入大量研发资金。从时间方面，每代标准间替换周 期约为 4-6 年，需提前 2-3 年研发，每一标准下又分为多个子代，平均 12-18 个 月进行一次升级。从资金方面，企业设计和研发一款芯片需要持续投入大量的资 金。

产品替代需经过三重认证，准入门槛高。内存接口芯片需与内存厂商生产的各种 内存颗粒和内存模组进行配套，并通过服务器 CPU、内存和 OEM 厂商针对其 功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的全方位严格认证，才能进入大规 模商用阶段。因此，研发此类产品不仅要攻克内存接口的核心技术难关，还要跨 越服务器生态系统的高准入门槛。

下游内存厂商集中度高，认证周期长，客户粘性高。内存接口芯片的下游客户主 要为三星电子、海力士、美光科技为代表的内存模组制造商，三者市场占有率合 计 76%，呈现出了很高的市场集中度。由于认证周期较长且流程繁琐，通过认 证后的内存接口芯片厂商将具有较高的客户粘性。

CPU 与内存互联架构革新，大批厂商受影响退出市场。2008 年 Intel 发布 Nehalem 处理器，开始采用全新的 Quick Path 互联架构，将内存控制器整合于 CPU 内部，内存直接通过存储器总线与 CPU 相连，内存接口芯片厂商需要投入 大量资金重新研发，资金及技术障碍令大批厂商望而却步。 技术标准快速迭代，分工细化强者恒强。

内存接口芯片技术标准的迭代升级，对 厂商的设计工艺、工程管理经验、资金投入等方面提出了更高的要求，仅有专注 于内存接口芯片技术研发、能提供高集成度方案的厂商才能受到内存厂商青睐。 因此，全球内存接口芯片厂商呈递减趋势，自从采用 DDR4 标准后，全球市场中 可提供内存接口芯片的主要厂商仅剩三家，其中澜起科技凭借持续的创新研发能 力和领先的技术优势与 IDT 各占市场近半份额，市场呈现双寡头格局。

云计算助推数据中心需求，催化数据中心行业集中度提升。 数据中心是云计算服务的核心基础设施，其所要处理、存储和访问的数据量将 跟随云计算快速应用持续攀升。

云计算厂商出于业务需求、运营管理等诉求，希望采用超大规模的数据中心， 对 IDC 网络互联要求、运营稳定性要求均会持续提升，IDC 产业技术门槛也将 显著提升，预计未来将呈现头部厂商强者愈强的格局。

产业链传导：云相关 IT 支出将首先反应在云服务提供商的资本开支中，进一步 传导至服务器 BMC 及服务器 CPU 的营收，最终传导至服务器行业。FAMGA （Facebook、Amazon、Microsoft、Google、Apple）的资本开支于 2020Q2 放缓，英特尔生产服务器 CPU 的 DCG 部门营收、全球服务器 BMC 龙头信骅的 营收同比增速均自 2020Q3 出现大幅下滑，表明服务器市场去库存周期开启。 FAMGA 的资本开支于 2020Q4 大幅回升，英特尔 DCG 营收、信骅的营收分别于 21Q2 和 21Q1 回升复苏，表明服务器市场需求依然旺盛。

进入 2020 年后，虽然短期内，疫情的影响会削弱全球企业及云服务商在 IT 基 础设施上的整体支出，但疫情下云服务需求的激增，将导致云服务提供商数据中 心的 IT 基础架构压力增加，从而导致数据中心对服务器和系统组件的需求不断 增加。

云计算、5G、AI、IOT 将成为未来 5 年推动服务器增长的主要驱动力。未来 5G 建网的 IT 化趋势下，针对边缘计算的微型服务器也将会在未来 3-5 年显著成长。 以 CPU+GPU、FPGA、ASIC 等形态为主的异构计算架构新趋势，AI 服务器持续 保持高速增长。因此，疫情过后，服务器市场有望实现强劲复苏。DIGITIMES 预 期 2020~2025 年全球服务器出货量复合年均成长率(CAGR)将达 6.7%。

足服务器对整体计算性能的高要求，CPU 供应商逐渐开始采用多核和超多核架 构。由于可直接连接到 CPU 的 DRAM 数量有限，且受到信号完整性、功率传输、 布局复杂性以及其他系统级挑战的限制，随着核心数的增长，单个 CPU 内核的 数据获取能力愈发难以增长，甚至逐渐下降。②随着 DRAM 制程工艺进入 20nm 以后，其加工工艺逐渐逼近物理极限，工艺节点突破的难度越来越高，产品良率 无法得到有效控制，各大 DRAM 厂商工艺进度规划推进逐渐趋缓，这使得 DRAM 性能的全面改进更具难度和挑战性。

为了满足市场对服务器的性能要求，不仅需要更快的处理器，还需要更智能的内 存系统设计。随着 DDR4 产品的数据传输速率已达到极限，市场亟需采用新技术 标准来满足下一代每核带宽的需求。

2.2、 成长动力：行业标准升级势不可挡，DDR5 产品单价提升（价）

DDR5 性能大幅提升：通过优化服务器内存体系结构设计，在不损害内存容量的 情况下实现高速内存性能，是提高服务器整体性能和可靠性的最佳选择。相较于 DDR4，DDR5 具有高带宽、高效率、高密度、低功耗等优势，可使内存性能提 高 85％以上，能有效支持下一代服务器的工作负载。

技术升级，DDR5 芯片单价大幅提升。据产业链调研，DDR5 标准下有单颗 RCD、 1 颗 RCD+10 颗 DB 两种架构。DDR5 较 DDR4，单颗 RCD 价格增加 25-30%； 1+10 架构较 1+9 架构套片单价增加 15-20%。 主流内存厂商相继布局，未来渗透趋势明显。主导服务器处理器市场的英特尔已 宣布在 2021 年推出支持 8 通道 DDR5 的服务器处理器，同时，美光、SK 海力 士、三星等多家存储器厂商已相继推出 DDR5 内存样品。2021 年 11 月 4 日消 费级 DDR5 内存——Intel 第 12 代酷睿处理器正式性能解禁，预计到 2021 年底 渗透率将达到 20%-30%。

3、 内存接口芯片业务：研发能力+客户资源行业领先，市占率有望进一步提升

3.1、 研发分析能力：技术沉淀深厚，持续高研发投入

公司核心团队技术背景深厚，相关产业经验丰富。创始人、董事长兼 CEO 杨崇 和芯片研发经验丰富，创始人、董事兼总经理 Stephen Kuong-Io Tai 拥有逾 25 年的半导体架构、设计和工程管理经验。（报告来源：未来智库）

初期机顶盒芯片业务提供研发资金支撑，后期上市募资实现持续研发投入。机顶 盒芯片属于消费电子产品，市场壁垒低、市场空间大，澜起科技从机顶盒芯片切 入，并跟随机顶盒的快速普及迅速成长起来。内存缓冲芯片是企业级产品，市场 壁垒高、盈利性强，因此公司机顶盒芯片在做大做强的同时，也为内存缓冲芯片 提供强有力的研发资金支撑。公司研发人员占比超 60%，研发费用率常年保持 在 15%以上。2021 年上半年研发投入 1.44 亿元，研发费用率达到 19.84%，全 年投入有望超过 3 亿元。

3.2、 客户资源：绑定英特尔，跟随服务器 CPU 领导者收获行业红利

深度绑定产业链龙头，产品认证不存障碍。自 2006 年及 2012 年以来，公 司主要供应商英特尔、主要客户三星电子分别与公司建立了稳定的业务合作 关系。2016 年，英特尔旗下的 Intel Capital 与三星电子间接控制的 SVIC No. 28 Investment 通过增资方式成为公司优先股股东，二者于 2018 年再次增 资成为公司普通股股东，目前英特尔为公司第二大股东，公司产品突破认证 壁垒，获得产业链巨头背书。

英特尔即将发布 DDR5 标准服务器，公司有望跟随龙头收获行业红利。公司 深耕于服务器内存接口芯片市场，同全球主流的处理器供应商、服务器厂商、 内存模组厂商及软件系统提供商，建立了长期稳定的合作关系，有望跟随 CPU 性能提升及内存架构升级，不断收获行业红利。

2021 年 4 月，Intel 发 布第 3 代至强可拓展处理器 Ice Lake，该平台每插槽最多可支持 6TB 系统 内存，高达 8 个 DDR4-3200 内存通道和 64 个第四代 PCIe 通道。随着 icelake 平台正式发布并逐渐上量，公司将稳步开拓 PCIe 4.0Retimer 芯片市场。 Intel 第四代至强 Sapphire Rapids 也将在 2022 年发布，支持 8 通道 DDR5 内存和 PCIe 5.0 通道。

3.3、 同业比较：国际舞台对比优势明显，市占率有望进一步提高

Rambus 体量较小、科研能力较落后。Rambus 是一家主攻接口 IP 和内存接口 芯片的公司，2018 年内存接口芯片市场份额约 6%。2020Q2~2021Q2 的总营收 分别为 62/57/62/71/85 百万美元，其中专利使用费依次为 19/17/28/29/42 百 万美元，产品销售收入依次为 32/30/22/31/31 百万美元，合同和其他收入依次 为 11/11/12/11/12 百万美元。由此可知 Rambus 近几个季度营收的增长主要来 源于专利使用费的增加，产品销售额并没有发生重大变化。根据 Rambus 年报 披露，虽然近年 Rambus 市场份额有一定增长，但公司内存接口芯片更多面向 中低端市场，且订单大多为短期、紧急并且没有定金的订单，市场认可度较低。 公司技术水平与竞争对手差距较大，没有 LRDIMM 解决方案，在 DDR5 时代很 难赶超澜起科技和 IDT。

Rambus 在 DDR5 研发方面取得了一定突破。2017 年 9 月，Rambus 宣布在其 实验室开发出了 DDR5 DIMM 芯片。2021 年 10 月 14 日，Rambus 宣布了第二 代 DDR5 RCD(寄存时钟驱动器)芯片，业界第一个将频率做到了 5600MHz，相 比第一代的 4800MHz 提速多达 17％，并且已经试产，并提供给各大内存模组 厂商。

IDT 被瑞萨电子收购，内存接口芯片业务战略地位下降。IDT 是一家主攻混合信 号集成电路公司，主要产品包括硅定时、无线电源、5G RF、传感器和接口&连 接产品，面对的对象不仅限于服务器，也包括台式机、笔记本和其他存储设备。 其中内存接口芯片与澜起科技直接竞争，2018 年全球业务市场份额占 42%。IDT 与 2019 年 3 月被日本瑞萨电子收购，根据瑞萨电子披露，瑞萨电子本次收购旨 于增强其在自动驾驶和 5G 领域的市场地位，主要看重 IDT 在模拟混合信号领域 的竞争优势。为配合瑞萨电子战略发展目标，我们预计 IDT 重心将会在时钟、传 感器和 RF 产品上，而内存接口芯片业务会被置于相对次要地位，未来市场占有 率可能会有一定程度降低。

IDT 近年来也在 DDR5 领域取得了成绩。2017 年 10 月，IDT 发布业界首个 DDR5 服务器内存模块电源管理 IC；2018 年 1 月，IDT 开始对下一代数据中心的 DDR5 注册时钟驱动器(RCD)进行采样；2019 年 3 月，IDT 发布业界首款用于 DDR5 服务器内存模块的 SPD Hub IC；2019 年 10 月，IDT 发布业界首个 DDR5 客户 端内存模块电源管理 IC；2020 年 9 月，瑞萨电子推出面向高性能服务器和云服 务应用的 DDR5 数据缓冲器。

技术+认证双壁垒高企，新厂家难以突破。内存接口芯片行业工艺和制造技术难 度高、研发周期长，较高的技术壁垒使得行业龙头企业在短时间内难以被赶超。

3.4、 未来前景：DDR5 量产准备完成

DDR5 是 JEDEC 标准定义的第 5 代双倍速率同步动态随机存取存储器标准。与 DDR4 相比，DDR5 采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠 性上又迈进了一步，其支持的最高速率可能超过 6400MT/S，是 DDR4 最高速率 的 2 倍。

公司自主研发的 DDR5 第一子代内存接口芯片包括 RCD 芯片和 DB 芯片。RCD 芯片支持双通道内存架构，符合 JEDEC 标准，支持 DDR5-4800 速率，采用 1.1V 工作电压，更为节能。该款芯片除了可作为中央缓冲器单独用于 RDIMM 之外，还可以与 DDR5 DB 芯片组成套片，用于 LRDIMM，以提供更高容量、更 低功耗的内存解决方案。DB 芯片是一款 8 位双向数据缓冲芯片，该芯片与 DDR5 RCD 芯片一起组成套片，用于 DDR5 LRDIMM。该芯片符合 JEDEC 标 准，支持 DDR5-4800 速率，采用 1.1V 工作电压。在 DDR5 LRDIMM 应用中， 一颗 DDR5 RCD 芯片需搭配十颗 DDR5 DB 芯片，即每个子通道配置五颗 DB 芯片，以支持片上数据校正，并可将数据预取提升至最高 16 位，从而为高端 多核服务器提供更大容量、更高带宽和更强性能的内存解决方案。

公司实现 DDR5 第一子代相关产品量产。2021 三季报显示，公司完成了 DDR5 第一子代内存接口芯片及内存模组配套芯片正式量产前的准备工作。2021 年 10 月，公司 DDR5 第一子代内存接口芯片及内存模组配套芯片已成功实现量 产，包括寄存时钟驱动器(RCD)、数据缓冲器(DB)、串行检测集线器(SPD)、温 度传感器(TS)和电源管理芯片(PMIC)。针对 DDR5 第二子代内存接口芯片及内 存模组配套芯片的相关技术标准，公司正积极参与 JEDEC 组织相关技术讨论和 标准制定工作。

3.5、 DDR5 配套芯片打开广阔市场空间

根据 JEDEC 标准，DDR5 内存模组上除了内存颗粒及可能需要的内存接口芯片 外，还可能需要三种配套芯片，分别是串行检测集线器（SPD）、温度传感器（TS） 以及电源管理芯片（PMIC)。

（1）串行检测集线器（SPD）

公司与合作伙伴共同研发了 DDR5 第一子代串行检测集线器（SPD），芯片内部 集成了 8Kbit EEPROM、I2C/I3C 总线集线器（Hub）和温度传感器（TS），适 用于所有 DDR5 系列内存模组（如 LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM 等）， 应用范围包括服务器、台式机及笔记本内存模组。SPD 是 DDR5 内存模组不可 或缺的组件，也是内存管理系统的关键组成部分，其包含如下几项功能：

第一，其内置的 SPD EEPROM 是一个非易失性存储器，用于存储内存模组的相 关信息以及模组上内存颗粒和相关器件的所有配置参数。根据 JEDEC 的内存规 范，每个内存模组都需配置一个 SPD 器件，并按照 JEDEC 规范的数据结构编写 SPD EEPROM 的内容。主板 BIOS 在开机后会读取 SPD 内存储的信息，并根据 读取到的信息来配置内存控制器和内存模组。DDR5 SPD 数据可通过 I2C/I3C 总 线访问，并可按存储区块（block）进行写保护，以满足 DDR5 内存模组的高速 率和安全要求。

第二，该芯片还可以作为 I2C/I3C 总线集线器，一端连接系统主控设备（如 CPU 或基板管理控制器（BMC）），另一端连接内存模组上的本地组件，包括 RCD、 PMIC 和 TS，是系统主控设备与内存模组上组件之间的通信中心。在 DDR5 规 范中，一个 I2C/I3C 总线上最多可连接 8 个集线器（8 个内存模组），每个集线 器和该集线器管理下的每个内存模组上的本地组件都被指定了一个特定的地址 代码，支持唯一地址固定寻址。

第三，该芯片还内置了温度传感器（TS），可连续监测 SPD 所在位置的温度。 主控设备可通过 I2C/I3C 总线从 SPD 中的相关寄存器读取传感器检测到的温度， 以便于进行内存模组的温度管理，提高系统工作的稳定性。

（2）温度传感器（TS）

公司与合作伙伴共同研发了 DDR5 第一子代高精度温度传感器（TS）芯片，该 芯片符合 JEDEC 规范，支持 I2C 和 I3C 串行总线，适用于 DDR5 服务器 RDIMM 和 LRDIMM 内存模组。TS 作为 SPD 芯片的从设备，可以工作在时钟频率分别高达 1MHz I2C 和 12.5MHz I3C 总线上；CPU 可经由 SPD 芯片与之进行通讯， 从而实现对内存模组的温度管理。TS 是 DDR5 服务器内存模组上重要组件，目 前主流的 DDR5 服务器内存模组预计将配置 2 颗 TS。（报告来源：未来智库）

（3）电源管理芯片（PMIC）

公司与合作伙伴共同研发了符合JEDEC规范的DDR5第一子代低/高电流电源管 理芯片（PMIC）。该芯片包含 4 个直流-直流降压转换器，两个线性稳压器（LDO， 分别为 1.8V 和 1.0V），并能支持 I2C 和 I3C 串行总线，适用于 DDR5 服务器 RDIMM 和 LRDIMM 内存模组。PMIC 的作用主要是为内存模组上的其他芯片（如 DRAM、RCD、DB、SPD 和 TS 等）提供电源支持。CPU 可经由 SPD 芯片与之 进行通讯，从而实现电源管理。低电流电源管理芯片应用于 DDR5 服务器较小电 流的 RDIMM 内存模组，高电流电源管理芯片则应用于 DDR5 服务器较大电流的 RDIMM 和 LRDIMM 内存模组。

3.6、 多条产品线齐发力，未来市场空间宏大

通过对澜起各条产品线的分析，未来 DDR5 世代产品 RCD、DB 芯片、配套芯片 SPD、TS、PMIC 芯片将持续放量，五年后为行业带来约 27 亿美元市场空间。 DDR5 产品主要应用于 PC 和服务器，考虑到服务器和 PC 渗透率已较高，我们 假设未来 5 年 PC 和服务器出货量以 2%增长。根据 Yole 预测，DDR5 产品将于 2022 年开始逐步渗透，2023 年占领主要市场，价格也将显著高于 DDR4 产品， 到 2025 年基本完成对整个市场的渗透。服务器存储容量和速度不断提升，对单 个内存颗粒数据传输提出更高要求，因此随着数据量的不断增大，我们预计 DB 芯片的配置率将逐步提升。五年后总共为行业带来 27 亿美元左右的市场空间。

4、 新业务布局：津逮平台整装待发，PCIe Retimer 前景广阔

4.1、 津逮平台：信息安全至关重要，国产替代空间广阔

津逮®服务器平台主要由澜起科技的津逮®CPU 和混合安全内存模组（HSDIMM®） 组成。该平台具备芯片级实时安全监控功能，可在信息安全领域发挥重要作用， 为云计算数据中心提供更为安全、可靠的运算平台。此外，该平台还融合了先进 的异构计算与互联技术，可为大数据及人工智能时代的各种应用提供强大的综合 数据处理及计算力支撑。 津逮®CPU 是公司推出的一系列具有预检测、动态安全监控功能的 x86 架构处理 器，适用于津逮®或其他通用的服务器平台。

2020 年公司推出了第三代津逮®CPU 产品，以更好满足数据中心、高性能计算、云服务、大数据、人工智能等应用场 景对综合数据处理和计算力日益提升的需求。相较于第二代产品，第三代津逮 ®CPU 采用先进的 10nm 制程工艺，支持 64 通道 PCIe 4.0，最高支持 8 通道 DDR4-3200 内存，单插槽最大容量 6TB。其最高核心数为 28 核，最高基频为 3.1GHz，最大共享缓存为 42MB，实现了较大幅度的性能提升。

此外，第三代 津逮®CPU 显著提升了各种标准的加解密、验签、数据完整性等密码应用的运算 性能；丰富了内存保护机制，可对不同内存区域或内存全域进行加密保护；内置 增强型深度学习加速技术，带来了更为出色的人工智能推理和训练能力。该款服 务器 CPU 支持澜起科技独有的安全预检测（PrC）技术，适用于金融、交通、 政务、能源等对硬件安全要求较高的行业。 混合安全内存模组采用公司具有自主知识产权的 Mont-ICMT®（Montage, Inspection & Control on Memory Traffic）内存监控技术，可为服务器平台提 供更为安全、可靠的内存解决方案。目前，公司推出两大系列混合安全内存模组： 标准版混合安全内存模组（HSDIMM®）和精简版混合安全内存模组 （HSDIMM®-Lite），可为不同应用场景提供不同级别的数据安全解决方案。

4.2、 高速互联趋势下，PCIe Retimer 芯片前景广阔

PCIe Retimer 芯片是适用于 PCIe 高速数据传输协议的超高速时序整合芯片，这 是公司在全互连芯片领域布局的一款重要产品。近年来，高速数据传输协议已由 PCIe 3.0（数据速率为 8GT/S）发展为 PCIe 4.0（数据速率为 16GT/S），数据 传输速度翻倍的同时带来了突出的信号衰减和参考时钟时序重整问题，这些问题 较大限制了超高速数据传输协议在下一代计算平台的应用范围。PCIe 4.0 的高速 传输问题提高了对优化高速电路与系统互连的设计需求，加大了在超高速传输下 保持信号完整性的研发热度。为了补偿高速信号的损耗，提升信号的质量，通常 会在链路中加入超高速时序整合芯片（Retimer）。

PCIe Retimer 芯片已成为高 速电路的重要器件之一，主要解决数据中心数据高速、远距离传输时，信号时序 不齐、损耗大、完整性差等问题。 公司研发的 PCIe 4.0 Retimer 芯片已实现成功量产，该芯片采用先进的信号调 理技术来补偿信道损耗并消除各种抖动源的影响，从而提升信号完整性，增加高 速信号的有效传输距离，为服务器、存储设备及硬件加速器等应用场景提供可扩 展的高性能 PCIe 互连解决方案。该系列 Retimer 芯片符合 PCIe 4.0 基本规范，支持业界主流封装，功耗和传输延时等关键性能指标达到国际先进水平，并已与 CPU、网卡、固态硬盘、GPU 和 PCIe 交换芯片等进行了广泛的互操作测试。公 司研发的 PCIe 4.0 Retimer 芯片包括 8 通道及 16 通道两款产品。（报告来源：未来智库）

4.3、 人工智能芯片：瞄准智慧计算，开发全新技术架构

瞄准智慧计算，布局人工智能芯片。人工智能的核心在于其大数据处理及分析能 力，随着数据量的增加，先进算法以及计算能力和存储能力的提高，人工智能在 当今变得越来越流行。对于芯片公司而言，解决硬件的算力和效率问题是人工智 能产业的重中之重。由于 CPU 通用性较强，但是专用领域性能较低，目前市场 上主要采用 GPU 来提高人工智能的计算速度，但在某些应用领域，GPU 的算力 仍然不足，因此亟需搭建一个算力更高的新技术架构。2019 年公司已初步完成 了人工智能相关芯片架构定义和技术可行性研究，2020 年上半年已开始进行相 关芯片的研发工作，并与产业合作伙伴进行了原型适配。随着云计算、大数据、 线上需求的持续增长，从中长期来看，服务器端将产生大量 AI 芯片需求，该业 务有望为公司的可持续发展提供新的业绩增长点。

5、 盈利预测

盈利预测：公司为国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司， 不断完善产品布局，向数据中心平台型公司转型。未来公司内存接口芯片业务有 望深度受益于 DDR5 内存接口芯片及配套芯片的放量；同时看好公司津逮服务器 平台国产替代空间，及 PCIe Retimer 芯片放量，我们维持公司 2021-2023 年归 母净利润为 8.03 亿元、12.32 亿元、17.75 亿元，对应 21-23 年 PE 分别为 105x、 68x、47x。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）