2023年源杰科技研究报告：国内领先光芯片供应商，国产化替代加速产品升级战略布局

1.源杰科技：国内领先光芯片供应商

公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，主要应用于电 信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、 移动通信网络。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、 芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、 光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验 证等全流程自主可控的生产线，根据公司招股说明书披露，公司已实现向海信宽带、中 际旭创、博创科技、铭普光磁等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货，产品用于 中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国 电信、AT&T 等国内外知名运营商网络中。公司不断深耕光芯片行业，已逐步发展为国 内领先的光芯片供应商。

1.1 聚焦光芯片行业，不断提升产品核心技术实力

第一阶段：初创时期（2013-2017 年）专注 DFB 激光器产品研发，打造深厚技术壁垒。 公司于 2013 年成立以来，专注于 DFB 激光器产品的研发，陆推出 2.5G 1310nmDFB 激 光器、2.5G 1490/1550nmDFB 激光器、10G DFB 激光器等产品。在此期间，公司努力 拓展销售渠道，2015 年 12 月首次完成 100 万颗 DFB 激光器产品出货。2017 年 2 月公 司完成高端芯片整体设计，正式步入快速成长期。 第二阶段：快速成长时期（2018-至今）持续深耕光芯片行业，正式进入资本市场。2018 年12 月公司完成1000 万颗DFB激光器产品出货以来，陆续推出2.5G DFB CWDM/LWDM 激光器、硅光大功率 CW 激光器等产品。2021 年，公司的“第五代移动通信前传 25Gbps 波分复用直调激光器”项目，被中国国际光电博览会（CIOE）评为“中国光电博览奖” 金奖。2022 年公司登陆科创板，正式进入资本市场。2023 年上半年，公司 100G EML 激光器开发/50G 及以下与 100G 光芯片可靠性机理研究项目进入验证测试阶段。 我们认为，公司通过产品技术的深耕研发，抓住市场发展机遇，提升产品核心技术实力， 不断突破市场壁垒，夯实发展根基，业绩长期看好。

1.2 产品矩阵不断拓展，广泛应用于多个下游领域

目前公司产品主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电 信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包括 2.5G、10G、 25G、50G 以及更高速率的 DFB、EML 激光器系列产品和大功率硅光光源产品，主要应 用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，产品涵 盖 1550 波段车载激光雷达激光器芯片等产品。

1.3 股权结构合理，管理层产业经验丰富

优质产业投资加持，股权结构较为分散。1)公司实控人及一致行动人：ZHANG XINGANG 作为公司创始人兼任实际控制人与张欣颖、秦卫星、秦燕生签署一致行动协议，通过一 致行动协议合计可控制公司的股权比例为 26.63%。ZHANG XINGANG 持有公司 12.45% 的股份，张欣颖作为联合创始人兼任公司董事，持有公司 3.47%的股份，张氏家族累计 持有源杰科技 15.92%的股份。2)产业投资：宁波创泽云（苏州旭创控股）持有公司 4.98% 的股份，华为通过哈勃投资直接持有公司 3.24%的股份；先导光电（陕西大数据产业投 资基金持股）持有公司 2.79%的股份。

源杰科技核心团队及管理层成员均具有丰富的工作管理经验，且熟悉公司各业务板块技 术与管理工作。 董事长 ZHANG XINGANG 毕业于清华大学，南加州大学材料科学博士研究生学历。 2001 年 1 月至 2008 年 7 月，先后担任 Luminent 研发员、研发经理；2008 年 7 月至 2014 年 2 月，担任 SourcePhotonics 研发总监。 董事会秘书程硕 2017 年至 2020 年 12 月，担任多家证券公司通信行业分析师。2020 年 12 月至今，任陕西源杰半导体科技股份有限公司董事会秘书。 副总经理兼董事潘彦廷毕业于国立台湾科技大学电子工程专业，博士研究生学历.曾担任 索尔思光电研发工程师现任陕西源杰半导体科技股份有限公司董事、副总经理。

2.产品结构持续优化，不断加码研发投入

2.1 数据中心业务占比提升，看好未来业绩放量

2022 年在手订单有序交付，业绩实现稳健发展。2022 年，公司实现营业收入 2.83 亿 元，同比增长 21.89%；实现归母净利润 1.00 亿元，同比增长 5.28%，主要系公司加大 研发投入，提高产品竞争力，同时采取多种措施以确保生产经营活动的正常进行，实现 订单的有序交付；且受益于全球数据中心、4G/5G 移动通信市场及光纤接入网市场需求 持续稳定增长，公司收入较上年同期有所增长。

2023 年 H1 市场需求放缓业绩承压。2023 年上半年实现营业收入 0.61 亿元，同比下 降 50.07%；实现归母净利润 0.19 亿元，同比下降 60.47%，主要系光纤接入、数据中 心等市场的光芯片需求表现不佳，下游客户减少采购，加之产品价格竞争及高毛利产品 占比大幅下降。

境外营收占比逐渐增加，数据中心类业务未来可期。2022 年公司数据中心类业务及其他 实现营收 0.46 亿元，同比增长 33.69%，主要系公司积极开拓应用于数据中心场景的高 速率产品市场所致。2022 年公司实现境外营收 146 万元，同比增长 391.24%，主要系 2021 年境外销售金额较小，公司逐步加大境外客户的市场开拓所致。

2.2 光芯片市场竞争加剧，23H1 公司费用率有所上升

公司 2023 年上半年销售毛利率 39.01%，较 2022 年 H1（63.80%）下降 24.79pct，销 售净利率为 31.62%，较 2022 年 H1（39.94%）下降 8.32pct；公司 2022 年销售毛利率 61.90%，同比下降 3.26pct，销售净利率 35.46%，同比下降 5.59pct。公司 2022 年销 售毛利率与净利率下降主要系随着市场竞争加剧，细分产品单价下降对公司的整体毛利 率与净利率产生一定影响所致。 分业务来看，2022 年公司整体毛利率 61.90%。其中，电信市场类业务毛利率 59.51%， 数据中心类业务毛利率 74.57%，公司近几年均保持着高额毛利率主要系光芯片具有技 术壁垒高、工艺流程复杂、产品种类繁多且升级迭代较快的特点，因而毛利率水平整体高于产业链下游厂商。

公司 2023 年 H1 管理费用 0.13 亿元，同比增长 5.08%，主要系本期折旧费用上升所致； 销售费用 0.03 亿元，同比降低 43.67%，主要系本期质保费减少所致；研发费用 0.13 亿元，同比增长 16.95%。期间费用率为 31.47%。 我们认为，公司产品位于光通信上游位置，所处行业景气度较高，持续看好公司业务未 来持续稳健增长。

2.3 持续保持高研发投入，专注产品技术研发迭代

持续加大研发投入，充分赋能技术创新。1）研发支出方面，2018-2023H1 公司持续加 大研发投入。公司2023 年H1 研发费用0.13 亿元，较上年同期（0.11 亿元）上升16.95%。 2023 年 H1 研发费用占比 21.52%，较 2022 年同期（9.19%）上升 12.33pct，主要系本 期公司持续加大研发投入所致。2）人员结构方面，2023 年 H1 研发人员数量为 77 人， 较 2022 年同期(63 人)增加 14 人。2023 年 H1 研发人员占比 13.77%，其中，本科生 54 人，硕博生 10 人，较 2022 年研发人员学历方面小幅提高。

专注产品技术研发迭代。截止 2023 上半年，公司累计获得各类知识产权 45 项，其中发 明专利 16 项，实用新型专利 15 项，商标 10 项，作品著作权 4 项。公司在研项目 14 项 包括工业级 50mW/70mW 大功率硅光激光器开发、25G LWDM 激光器开发、2.5G 长 距离传输、大功率工业级 DFB 激光器、25/28G 双速率数据中心 CWDM DFB 激光器、 50G PAM4DFB 激光器开发、100G EML 激光器开发、50G 及以下、100G 光芯片的可 靠性机理研究、用于新一代 5G 基站的高速 DFB 芯片设计和制造技术、甲烷传感器激 光器芯片、1550 波段车载激光雷达激光器芯片、大功率 EML 光芯片的集成工艺开发等 项目。部分项目已经进入产业化阶段，预计未来将会对公司的收入产生积极的贡献。 我们认为，公司不断专注研发投入，有利于公司快速迭代技术产品，充分利好公司发展。

3.光芯片国产化替代加速推进，高速率产品未来空间可期

3.1 光芯片：实现光电信号转换的基础元件

光芯片是实现光电信号转换的基础元件，其性能直接决定光通信系统传输效率。光纤接 入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等网络系统里，光芯片都是决定信息传输速度和网 络可靠性的关键。光芯片可以进一步组装加工成光电子器件，再集成到光通信设备的收 发模块实现广泛应用。

光芯片属于半导体领域，位于光通信产业链上游，是现代光通信器件核心元件。光通信 等应用领域中，激光器芯片和探测器芯片合称为光芯片。光芯片是光电子器件的重要组成部分，是半导体的重要分类，其技术代表着现代光电技术与微电子技术的前沿研究领 域，其发展对光电子产业及电子信息产业具有重大影响。

从产业链角度看，光芯片与其他基础构件（电芯片、结构件、辅料等）构成光通信产业 上游，产业中游为光器件，包括光组件与光模块，产业下游组装成系统设备，最终应用 于电信市场，如光纤接入、4G/5G 移动通信网络，云计算、互联网厂商数据中心等领域。

光通信产业链中，组件可分为光无源组件和光有源组件。光无源组件在系统中消耗一定 能量，实现光信号的传导、分流、阻挡、过滤等“交通”功能，主要包括光隔离器、光 分路器、光开关、光连接器、光背板等；光有源组件在系统中将光电信号相互转换，实 现信号传输的功能，主要包括光发射组件、光接收组件、光调制器等。 光芯片加工封装为光发射组件（TOSA）及光接收组件（ROSA），再将光收发组件、电芯片、 结构件等进一步加工成光模块。光芯片的性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产 业链的核心之一。

光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片，其中激光器芯片主要用于发射信号，将电信号转化为光信号，探测器芯片主要用于接收信号，将光信号转化为电信号。 激光器芯片，按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片，面发射芯片包括 VCSEL 芯片，边发射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片；探测器芯片，主要有 PIN 和 APD 两类。

激光器芯片主要有 VCSEL、FP、DFB 和 EML，探测器芯片主要有 PIN 和 APD。

光芯片按原材料可分为三五族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）作为芯片的衬底 材料。磷化铟（InP）衬底用于制作 FP、DFB、EML 边发射激光器芯片和 PIN、APD 探测 器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓（GaAs）衬底用于制作 VCSEL 面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D 感测等领域。

3.2 光芯片应用场景不断升级，光芯片需求持续增长

随着信息技术的快速发展，全球数据量需求持续增长。根据 LightCounting 的数据，2016 年至 2022 年，全球光模块市场规模从 58.57 亿美元增长到 81.32 亿美元，预测 2025 年全球光模块市场将达到 113.18 亿美元，为 2022 年的 1.39 倍。光芯片作为光模块核心元 件有望持续受益。

5G 移动通信网络建设及商用化促进电信侧高端光芯片需求。全球正在加快 5G 建设进程， 5G 建设和商用化的开启将拉动市场对光芯片的需求。相比于 4G，5G 的传输速度更快、 质量更稳定、传输更高频，满足数据流量大幅增长的需求，实现更多终端设备接入网络 并与人交互，丰富产品的应用场景。 根据 LightCounting 的数据，全球电信侧光模块市场前传、（中）回传和核心波分市场需 求将持续上升，预计到 2025 年，将分别达到 5.88 亿美元、2.48 亿美元和 25.18 亿美元。 电信市场的持续发展，将带动电信侧光芯片应用需求的增加。

海内外光纤接入网络建设持续推进，千兆光纤网络升级推动光芯片用量提升。FTTx 光纤 接入是全球光模块用量最多的场景之一，而我国是 FTTx 市场的主要推动者。受制于电通 信电子器件的带宽限制、损耗较大、功耗较高等，运营商逐步替换铜线网络为光纤网络。 目前，全球运营商骨干网和城域网已实现光纤化，部分地区接入网已逐渐向全网光纤化 演进。根据 LightCounting 的数据，2020FTTx 全球光模块市场出货量约 6289 万只，市 场规模为 4.73 亿美元，随着新代际 PON 的应用逐渐推广，预计至 2025 年全球 FTTx 光模 块市场出货量将达到 9208 万只，年均复合增长率为 7.92%，市场规模达到 6.31 亿美元， 年均复合增长率为 5.93%。

随着数通侧速率持续升级，光芯片迭代能力愈发重要。互联网及云计算的普及推动了数 据中心的快速发展，全球互联网业务及应用数据处理集中在数据中心进行，使得数据流 量迅速增长，而数据中心需要内部处理的数据流量远大于需要向外传输的数据流量，使 得数据处理复杂度不断提高。 根据 LightCounting 的数据，2020 年全球数据中心光模块市场规模为 40.33 亿美元，预 测至 2025 年，将增长至 73.33 亿美元，年均复合增长率为 13.09%。

高速率光芯片市场的增长速度将远高于中低速率光芯片。全球流量快速增长、各场景对 带宽的需求不断提升，带动高速率模块器件市场的快速发展。 1）电信市场方面，光纤接入市场，FTTx 普遍采用 PON 技术接入，当前 PON 技术跨入 以 10G-PON 技术为代表的双千兆时代。10G-PON 需求快速增长及未来 25G/50G-PON 的出现将驱动 10G 以上高速光芯片用量需求大幅增加。 同时，移动通信网络市场，随着 4G 向 5G 的过渡，无线前传光模块将从 10G 逐渐升级 到 25G，电信模块将进入高速率时代。中回传将更加广泛采用长距离 10km-80km 的10G、 5G、50G、100G、200G 光模块，该类高速率模块中将需要采用对应的 10G、25G、50G 等高速率和更长适用距离的光芯片，推动高端光芯片用量不断增加。 2）数据中心方面，随着数据流量的不断增多，交换机互联速率逐步由 100G 向 400G 升 级，且未来将逐渐出现 800G 需求。 根据 Omdia 对数据中心和电信场景激光器芯片的预测，高速率光芯片增速较快，2020 年 至 2025 年，25G 以上速率光模块所使用的光芯片占比逐渐扩大，整体市场空间将从 16.51亿美元增长至 43.40 亿美元，年均复合增长率将达到 21.32%。

3.3 国内光模块厂商占据半壁江山，光芯片受益国产化替代机遇

下游光模块国内厂商份额逐步提升。光芯片下游直接客户为光模块厂商，近年来，我国 光模块厂商在技术、成本、市场、运营等方面的优势逐渐凸显，占全球光模块市场的份 额逐步提升。 根据 LightCounting 的统计，2022 年我国厂商中已有中际旭创、华为、海信宽带、光迅 科技、新易盛、华工正源进入全球前十大光模块厂商，光通信产业链逐步向国内转移， 同时中美贸易摩擦及芯片国产化趋势，将促进产业链上游国内光芯片的市场需求。

我国光芯片厂商的全球份额将进一步提升。根据 ICC 预测，2019-2024 年，中国光芯片 厂商销售规模占全球光芯片市场的比例将不断提升，中高速率光芯片增长更快。 2.5G 光芯片,我国光芯片企业已基本掌握 2.5G 及以下速率光芯片的核心技术，根据 ICC 预测，2021 年该速率国产光芯片占全球比重超过 90%； 10G 光芯片方面，2021 年国产光芯片占全球比重约 60%，但不同光芯片的国产化情况存 在一定差异，部分 10G 光芯片产品性能要求较高、难度较大，如 10G VCSEL/EML 激光器 芯片等，国产化率不到 40%；25G 及以上光芯片方面，随着 5G 建设推进，我国光芯片厂商在应用于 5G 基站前传光模 块的 25G DFB 激光器芯片有所突破，数据中心市场光模块企业开始逐步使用国产厂商的 25G DFB 激光器芯片，2021 年 25G 光芯片的国产化率约 20%，但 25G 以上光芯片的国产 化率仍较低约 5%，目前仍以海外光芯片厂商为主。

3.4 新兴领域持续开拓发展，为光芯片带来新成长空间

3.4.1 光芯片在消费电子市场的应用领域不断拓展

智能终端方面：3D 信息传感 VCSEL 芯片有望推动光芯片新增长，目前，业内已使用基于 3D VCSEL 激光器芯片的方案，实现 3D 信息传感，如人脸识别。据 iimedia 数据，2021 年中国智能硬件市场规模约为 12,003 亿元，预计 2023 年市场规模将达到 23,184 亿元。 医疗市场方面：健康医疗硅光方案利好光芯片应用，根据健康界研究院数据，智能穿戴 设备正在开发基于激光器芯片及硅光技术方案，实现健康医疗的实时监测。据健康界研 究院数据，预计 2020-2025 年中国医用级智能可穿戴设备市场规模复合增长率达 30.0%， 2025 年中国医用级智能可穿戴设备市场规模将达 462.6 亿元。

3.4.2 汽车智能化驱动车载激光雷达上量，激光器芯片需求有望不断增加

自动驾驶逐步普及，带动激光雷达核心部件光芯片需求提升。随着传统乘用车的电动化、 智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会 增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来 的市场需求将会不断增加。

3.4.3 下游模块厂商布局硅光方案， DFB 激光器芯片有望被广泛应用

光模块硅光方案驱动 DFB 激光器芯片应用量的提升。随着电信骨干网络和数据中心流量 快速增长，更高速率光模块的市场需求不断凸显，硅光方案因集成度高及成本、波导传 输性能优势在高速率光模块场景中需求有望充分释放。新思界产业研究中心认为，2020 年全球硅光模块市场普及率较低，仅为 15%左右，在 5G 与数据中心行业拉动下，预计到 2025 年其市场普及率将达到 45%左右，其中，高速光模块市场中占有率将达到 60%以上。 下游模块厂商布局硅光方案，大功率、小发散角、宽工作温度 DFB 激光器芯片将被广泛 应用。硅光方案中，硅基芯片自身不发光，承担速率调制功能，需要 DFB 激光器芯片作 为外置光源，因此需将激光器芯片发射的光源耦合至硅基材料中。凭借高度集成的制程 优势，硅基材料能够整合调制器和无源光路，从而实现调制功能与光路传导功能的集成。 随着数据中心、核心骨干网等场景进入到 400G 及更高速率时代，单通道所需的激光器芯 片速率要求将随之提高。根据公司招股说明书披露显示，以 400G QSFP-DD DR4 硅光模块 为例，需要单通道激光器芯片速率达到 100G。在此背景下，利用 CMOS 工艺进行光器件 开发和集成的新一代硅光技术成为一种趋势。

4. 深耕光芯片技术迭代，有望持续保持市场领先优势

4.1 募投项目持续推进，光芯片能力不断提升

4.1.1 首发股票所募集资金均已到账，各建设项目持续推进

源杰科技 2022 年 12 月 12 日首发股票募集资金 13.79 亿元。其中分项目来看： 10G、25G 光芯片产线建设项目总投资预算为 5.91 亿元，计划投入募资 5.70 亿元，截止 2023 年 6 月 30 日，已投入募资 3.20 亿元，2023 年 12 月可建设完成，10G、25G 光芯片 产线可以提高公司的产品供应能力，满足市场需求，能够进一步提升公司的产品品质及 市场竞争力，是对公司现有业务的延展； 50G 光芯片产业化建设项目总投资预算 1.29 亿元，计划投入募资 1.20 亿元，截止 2023 年 6 月 30 日，已投入募资 0.32 亿元，2024 年 12 月可建设完成,50G 光芯片主要由国外 厂商供应，国产化程度很低，本项目将在公司自有土地上建立 50G 光芯片产线，抢占市 场先机，打造国内 50G 光芯片品牌，推动高性能光芯片的国产替代； 研发中心建设项目计划投入募资 1.40 亿元，截止 2023 年 6 月 30 日，已投入募资 0.06 亿元，将于 2024 年 12 月建设完成，将在光芯片领域加强研发力度，确保公司研发技术 处于行业领先水平；

4.1.2 伴随公司募投项目不断推进，光芯片产销量稳步增长

2020 年，公司扩大 10G、25G 等高速率产品的生产规模，减少了 2.5G 产品的生产，使得 2.5G 产品的库存周转加快，整体产销率提高； 2021 年，公司产能规模提升，同时加大了对 2.5G 1490nm、10G 1270nm 等产品的生产备 货，使得产销率较上年度下降。 2022 年 1-6 月，随着新购置的半导体芯片测试机等设备投入使用，产能有所提高，但受 新厂房施工及设备调试等因素影响，最终产能利用率有所下降。受到新冠病毒疫情影响， 公司光纤接入、数据中心领域客户发展及采购节奏有所放缓，公司主要产品销量受到一 定影响，产销率有所下降。

公司 10G、25G 光芯片产线建设项目将于 23 年 12 月建成投产，50G 光芯片产业化建设项 目将于 24 年 12 月建成投产，投产后公司光芯片产能将得到提升，随着募投项目的不断 推进，公司产能将持续释放，有望带动公司业绩增长。

我们认为，未来光芯片领域需求将持续稳步提升，高速光芯片具备潜在发展空间，随着 公司募投项目的不断推进，公司高速率光芯片产业化进程持续建设，光芯片能力不断提 升，公司有望持续保持光芯片领域竞争优势。

4.2 专注研发能力建设，持续深耕光芯片核心技术迭代

4.2.1 国内稀缺光芯片 IDM 模式，形成“两大平台+八大技术”

IDM 全流程业务体系构建完善，光芯片核心技术不断迭代。IDM（Integrated Device Manufacture）指包含芯片设计，芯片制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模 式。公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系， 拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自 动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线，公司掌握 光芯片生产全流程核心工艺开发能力。 公司的 IDM 模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并 高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求；根据公司招股说明书显示，同 时公司无需委托国际先进晶圆片厂商制造加工晶圆，可以实现光芯片生产全流程各环节 的自主可控。第三，IDM 模式使公司更好控制产线产能，能根据客户需求安排工期。

经过多年研发与产业化积累，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激 光器芯片制造平台”两大平台，积累八大技术。实现激光器芯片的性能优化及成本降低。其中，优化产品性能方面，可实现激光器芯片的高速调制、高可靠性、高信噪比、高电 光转换、高耦合效率、抗反射等；降低产品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并可 简化激光器芯片封装过程中对其他器件的需求，降低产品单位生产成本、下游封装环节 的复杂度及对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全。

4.2.2 在研项目产业化进程顺利，向高速率及多领域应用持续开拓

各在研项目持续推进，部分项目进入产业化阶段。公司紧跟行业发展趋势，以技术为核 心，不断研发高端光芯片产品。截止 2022 年底，公司研发项目包括工业级 50mW/70mW 大功率硅光激光器开发、25/28G 双速率数据中心 CWDM DFB 激光器、50G PAM4DFB 激光器开发、100G EML 激光器开发、100G 光芯片的可靠性机理研究、用于新一代 5G 基站的高速 DFB 芯片设计和制造技术、甲烷传感器激光器芯片、1550 波段车载激光雷 达激光器芯片、大功率 EML 光芯片的集成工艺开发等项目。部分项目已经进入产业化阶 段，预计未来将会对公司的收入产生积极的贡献。

4.3 市场份额持续领先，高速率产品价值量较高盈利能力优秀

公司中低速率光芯片市场份额保持领先。根据公司招股书披露，2020 年在磷化铟（InP） 半导体激光器芯片产品对外销售的国内厂商中，公司收入排名第一，其中 10G、25G 激 光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中均排名第一，2.5G 激光器芯片系列产品 的出货量在国内同行业公司中排名领先。 分产品来看： 2.5G 光芯片，据源杰科技招股说明书显示，2021 年全球 2.5G 及以下 DFB/FP 激光器 芯片市场中，源杰科技产品发货量占比为 7%。源杰科技 2.5G 发货量排名相对靠后，主 要系在公司该领域实行差异化产品竞争策略，以附加值较高的产品为主，如 25G、50G、 100G 激光器及探测器芯片。 10G 激光器芯片，据源杰科技招股说明书显示，2021 年全球 10G DFB 激光器芯片市 场中，公司发货量占比为 20%，已超过住友电工、三菱电机等。

高速率激光器芯片盈利能力优秀。按传输速率分，光芯片可分为 2.5G、10G、25G、50G、 100G 等主流速率的芯片。2019 年，公司25G DFB 产品价值量为 55.16 元/颗，为2.5G DFB 产品的 18.09 倍；随着公司规模化生产成本控制良好，各速率产品价格大幅下降；截止至 2022 年上半年，公司 25G DFB 产品价值量为 21.86 元/颗，为 2.5G DFB 产品的 6.26 倍。

由此可知，光芯片的速率越高，对应芯片的研发、量产难度越大，可稳定供应的供应商 相应减少，导致价值量随速率提升而提高。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）