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通信设备行业光芯片深度：“芯”光璀璨，智算未来。

光芯片：光通信性能基石，硅光方案渗透

光芯片为光通信产业链的核心有源器件，决定了光信号传输的质量、速率与能效，是技术壁垒 与价值较高的环节之一。随着光模块向 1.6T 及更高代际演进，传统分立式方案在通道集成度 与可靠性上触及瓶颈，高集成、低成本优势的硅光方案渗透率提升，推动光源的结构性切换， 从 EML 芯片转向适用于硅光集成的大功率 CW 光源，但两者均属于 InP 材料体系。

光芯片厂商：EML 追赶海外，CW 国产主线

光芯片厂商普遍采用 IDM 模式，覆盖设计、制造与封测全流程。行业进入壁垒显著，主要体现 在：1）研发迭代：升级加速、把握技术变革。进入 AI 时代，光模块&光芯片迭代加速，光芯 片高速 EML 芯片领域，海外龙头较中国厂商有先发优势，导入海外 CSP 大厂客户困难。随着 硅光方案量产，国内厂商聚焦于工艺链条更短、良率更优的 CW 光源路线，且和国内模块厂商 形成高协同。2）工艺良率：盈利空间的关键“Know-How”。良率是摊薄制造费用、提升毛利 率的核心变量。制造端核心难点在于外延生长与光栅构造，两大环节直接影响良率爬坡。相较 于 EML 芯片因单片集成带来的高复杂度，CW 光源工艺链条较短，量产良率更易优化。同时， 随着晶圆面积向大尺寸迁移，具备卓越缺陷控制能力的厂商将获得显著的成本优势。3）扩产 能力：设备约束与长调试周期，供给相对刚性。光芯片产能扩张受到核心设备采购周期与调试 时长的双重约束。关键设备如 MOCVD、EBL 主要为进口，从设备下单到产能爬坡通常需 1-1.5 年。供给偏紧的情况下，拥有成熟&规模化产线的厂商具备更强的订单承接能力与业绩弹性。

AI 互联需求上行，光芯片景气共振

产业链景气共振，上游光芯片环节具备确定性与弹性。需求端，北美云商 AI 商业化持续兑现、 资本开支高景气共振，加速形成“算力投入—AI 变现—再投资”的正反馈。算力密度与网络规 模提升，AI 互联需求加速上行：一方面、光模块向高速率迭代，抬升光芯片在速率、带宽、能 效与可靠性上的技术要求；另一方面，硅光渗透加速，光源由 EML 向 CW 切换，CW 配置比 例与价值量持续提升。供给端，上游 InP 衬底市场高度集中、扩产周期长且短期受出口管控影 响，叠加海外厂商产能满载，短期供给偏紧、据 Lumentum 预测当前光芯片或存 25%-30%缺 口。在全球光模块市场份额向国内厂商集中的背景下，国产光芯片厂商有望受益于“行业总量 增长+硅光结构性机会+国产替代份额提升”的三重逻辑共振，市场规模将持续扩张。