2025年源杰科技研究报告：国内领先光芯片厂商，高端化演进提速

国内领先光芯片厂商，“电信+数通”双轮驱动

公司概况：国内领先光芯片厂商，IDM模式实现自主可控

公司为国内光芯片头部IDM厂商。公司为国内领先的光芯片厂商，于13年成立，于22年登陆科创板， 公司深耕高速的半导体芯片的研发、设计和生产，是一家从半导体晶体生长，晶圆工艺，芯片测 试与封装全部开发完毕，并形成工业化规模生产的高科技企业。公司产品涵盖2.5G到100G以及更 高速率激光器系列产品等，拥有完整独立的自主知识产权，应用场景辐射至光纤到户、数据中心 与云计算、5G移动通信网络、通信骨干网络和工业物联网等领域，下游实现对国际前十大及国内 主流光模块厂的商批量出货。

主营业务：电信市场为传统优势基本盘，数据中心市场迅速扩张

电信市场类产品为公司传统优势领域，25/50G PON光芯片规模出货。公司产品主要针对电信市场 和数据中心两大类应用市场，以及车载激光雷达市场。电信市场领域是公司深耕多年的基本盘， 在国产化较为成熟的2.5G、10G激光器芯片行业，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更 小、抗反射光能力更强等差异化特性，竞争优势显著。其中，2.5G、10G DFB为公司传统优势产品； 10G EML产品国内外订单增长显著，已成为重要收入组成部分；此外，公司积极配合海内外设备商 前瞻性布局下一代25G、50G PON的DFB/EML产品，已经实现批量交付并形成规模收入。

公司积极把握AI爆发机遇，数据中心类产品规模放量。伴随全球AI算力爆发趋势，高速光模块需 求旺盛，正在从400G/800G向更高速率1.6T迭代。公司针对当前400G/800G光模块需求，产品矩阵 向大功率连续波（CW）激光器光源和高速电吸收调制激光器（EML）芯片拓展。公司CW光源产品已 经在多功率节点实现显著进展，成功量产CW 70mW激光器芯片，24年已经实现百万颗以上出货，成 为数据中心业务领域增长新动能。公司CW 100mW激光器产品已经通过客户验证；100G PAM4 EML产 品已完成性能与可靠性验证并完成客户端验证，更高速率的200G PAM4 EML完成产品开发并推出。

电信+数通双轮驱动，产品高端化加速。分产品品类来看，公司电信市场类产品营业收入由18年的 0.70亿元增长至24年的2.02亿元，年复合增速19%，25年上半年营业收入1.00亿元，稳健增长，电 信市场产品结构持续优化，在2.5G、10G DFB产品的基础上，10G EML产品订单增加，成为贡献电 信市场收入的重要业务。公司数据中心及其他类产品营业收入由20年的2万元左右增长至24年的 0.48亿元，年复合增速567%，25年上半年营业收入1.05亿元，同比增长1034%，收入占比首次超过 电信市场，主要源自AI爆发驱动光模块需求增加，公司大功率CW激光器芯片迎来规模放量。

财务分析：业绩增长显著，产品高端化带动盈利能力增强

数通放量驱动收入高增，业绩迈入拐点向上通道。公司营业收入由18年的0.7亿元增长至24年的 2.52亿元，年复合增速24%；归母净利润由18年的0.16亿元增长至22年1.00亿元，年复合增速58%， 23年归母净利润0.19亿元，24年亏损约600万，主要受到低速率产品竞争加剧、研发投入增加等影 响，短期承压。公司25年上半年实现营业收入2.05亿元，同比增长70.57%，归母净利润0.46亿元， 同比增长330.31%，业绩迎来拐点向上，主要源自高盈利能力的数据中心产品规模放量，驱动整体 营收业绩迎来高速增长。

产品结构优化，盈利能力提升。公司毛利率及期间费用率在25年上半年开启拐点向上，带动整体 盈利能力显著优化。公司25年上半年毛利率48.80%，同比增加15.38pct，主要由于高价值量的数 通产品批量交付，高端产品占比提升，带来产品结构优化。公司25年上半年净利率22.44%，同比 增加13.27pct，公司期间费用率管控能力优异，销售、管理、研发、财务费用率分别为5.31%、 7.12%、13.04%、-3.66%，同比变动+2.08、-2.42、-5.31、+4.66pct。

AI浪潮下光芯片需求旺盛，高端国产化空间广阔

光芯片是光通信核心元件，对传输速率起关键作用

光芯片是现代光通信器件的核心元件，位于光通信产业链上游，对光通信系统的传输效率起关键 性作用。光芯片包括激光器芯片和探测器芯片，是光电信号转换的基础元件，其性能直接决定了 信息传输速度和网络可靠性。在光通信系统中，发射端通过激光器芯片将电信号转换为光信号， 通过光纤传输至接收端，接收端通过探测器芯片将光信号转换为电信号。光芯片与电芯片、PCB等 构成光通信产业上游，产业中游为光器件，包括光组件与光模块，产业下游组装成系统设备，最 终应用于电信市场，如光纤接入、4G/5G移动通信网络，云计算、互联网厂商数据中心等领域。

激光器芯片分为VCSEL、DFB、EML芯片等。激光器芯片根据出光结构可以分成面发射芯片即激光垂 直于反应区射出，以及边发射芯片即激光平行于反应区射出。面发射芯片包括VCSEL芯片，通常用 于3D传感和数据中心柜内短距互联等场景。边发射芯片包括FP、DFB和EML芯片，其中FP和DFB均属 于直接调制，DFB在FP的基础上通过布拉格光栅，实现稳定的单纵模输出，适配中长传输距离。 EML属于外调制，集成DFB与EAM电吸收调制器，啁啾较DFB更小，在高速率、长距离传输场景下性 能更佳，通常用于高速数据中心互联和长途电信干线网络等。

高速光芯片领域国产替代空间广阔

中低速激光器芯片国产化进程显著，细分领域如10G VCSEL/EML仍存大量国产替代空间。2.5G及以 下DFB激光器芯片市场主要应用于光纤接入，该市场的国产化已基本完成，国产芯片厂商市场份额 约超过90%。10GDFB激光器芯片市场主要应用于光纤接入、移动通信网络和数据中心领域，该市场 的国产化进程显著，约60%，源杰科技以20%份额排名全球第一，超越住友电工、三菱电机等海外 厂商。但在性能更高工艺更复杂的细分领域，如10G VCSEL/EML激光器芯片，国产化率不到40%， 市场份额主要集中在博通、住友电工、三菱电机等海外厂商，国产化率仍有大幅提升空间。

25G及以上高速光芯片主要由海外厂商主导，国内厂商结构化突破。25G及以上光芯片主要应用在 移动通信网络和数据中心领域，该市场主要以海外厂商为主导，根据ICC数据，25G光芯片海外厂 商份额约75%，25G以上光芯片海外厂商份额约95%，国内光芯片厂商在部分细分领域实现突围。近 年来，下游光模块市场中国内厂商份额提升，中际旭创、新易盛、华为、光迅科技、海信宽带、 华工正源、索尔思光电进入LightCounting发布的24年全球前十大光模块企业名单。光通信产业链 呈现国内转移的趋势，国内光芯片厂商有望在光模块国产化替代进程中受益。

数据中心规模扩张，光模块代际跃迁，驱动高速光芯片需求爆发

超大规模云厂商Capex投入加码。数据中心市场规模进入高速扩张期，根据科智咨询数据，24年全 球数据中心市场规模1086亿美元，突破千亿美元规模，同比增长约15%，预计27年突破1600亿美元， 年复合增速10%以上。超大规模云厂商资本开支不断攀升，微软FY25年资本开支882亿元，FY26Q1 预计超300亿美元；谷歌FY25资本开支指引增加100亿美元，提升至850亿美元；MetaFY25资本开支 指引下沿上调20亿美元，提升至660-720亿美元；亚马逊FY25资本开支指引1000亿美元；四家合计 约3500亿美元左右，同比增速约60%，进一步为数据中心规模扩张注入动能。

数据中心架构升级，所需配置的光模块数量增加。为了适配当前数据中心大幅增加的东西向流量， 数据中心网络从传统的三层架构升级为Spine-Leaf二级结构，通信层级减少，每个Leaf通过和所 有Spine连接，实现全互联。相较传统三层架构，叶脊架构对带宽的利用率更高，网络延迟减少， 且增强了扩展性，因此成为当前的主流方案。由于每个Leaf和每个Spine之间均需要通过光模块连 接，光模块数量较传统架构增加数十倍。

硅光渗透加速，为外置CW激光器带来显著增量

相较传统分立式光模块，硅光方案高度集成，以更低成本实现高速率和低损耗。硅光是以硅基材 料为衬底，结合CMOS工艺，在硅晶圆上集成有源光器件如激光器、探测器、调制器等和无源光器 件如平面波导、光栅耦合器等。相较传统分立式光模块方案，硅光方案优势显著：采用光信号传 输，具备更高速率、更高带宽、更低损耗的优势，解决了高速率场景下电信号传输的瓶颈；传统 方案衬底材料使用磷化铟和砷化镓，硅光方案衬底采用硅基材料，成本更低；高度集成的特点降 低了封装成本和尺寸。

硅光技术渗透成为确定性大趋势。传统技术主要通过多通道方案实现100G以上光模块速度的提升， 随着数据中心、核心骨干网等场景进入400G及更高速率时代，单通道需要的激光器速率更高，利 用CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代硅光技术成为大势所趋。根据LightCounting数据，数 据中心硅光模块规模在25年预计突破50亿美元，随着LPO和CPO应用场景不断增加，硅光技术在整 体的渗透率预计将从25年的30%左右增长至30年的60%。

公司高端产品布局不断突破，打破海外垄断格局

深耕IDM模式，技术优势显著，高端产品不断丰富

公司深耕IDM模式，实现自主可控。相较于Fabless模式，IDM模式更有利于各环节的自主可控，及 时响应各类市场需求，灵活调整产品设计、生产环节的工艺参数及产线的生产计划。公司是国内 光芯片行业少数IDM模式企业，建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业 务体系，拥有多条覆盖 MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动 化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。公司IDM模式有助于缩 短产品开发周期，、快速响应客户并高效提供相应解决方案，迅速地应对动态市场需求。

公司25G CWDM 6波段DFB激光器芯片处于行业领先水平。25G CWDM 6波段DFB激光器芯片主要应用 于5G基站。由于该产品的工作环境达到工业级高温，需要在高温下保持性能及可靠性，因此产品 的高温性能是行业内关键指标，包括括高温阈值电流、高温斜效率、高温3dB带宽值等。在高温阈 值电流方面，公司产品为最低，表现最好；在高温斜效率方面，公司产品最小值大于0.12 W/A， 超过Lumentum；在高温带宽方面，公司产品高温3dB带宽最小值为15GHz，优于Lumentum；在发散 角方面，公司产品的发散角为最小，耦光效率上具有相对较高的优势。

布局高速EML以及大功率CW激光器，卡位优势显著

400G/800G光模块出货量爆发，驱动100G PAM4 EML激光器需求，公司100G PAM4 EML芯片卡位，打 破海外技术垄断。国内外CSP对AI基础设施的投资推动400G/800G以太网光模块出货量激增，100G PAM4 EML激光器具备高速率、低啁啾和优良的传输性能，是高速率光模块的主流解决方案。EML激 光器芯片市场长期由Lumentum等海外厂商主导，根据GlobalInfoResearch数据，前5家约占据76% 份额。公司的100G PAM4 EML产品已完成性能与可靠性验证，并完成了客户端验证，更高速率的 200G PAM4 EML完成产品开发并推出，相关技术成果在25年OFC大会上进行发表。

报告节选：

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