2025年源杰科技研究报告:AI光提速时代的国产光芯片领军企业

  • 来源:开源证券
  • 发布时间:2025/09/22
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源杰科技研究报告:AI光提速时代的国产光芯片领军企业.pdf

源杰科技研究报告:AI光提速时代的国产光芯片领军企业。国内光芯片领军企业,获主流客户认可,或深度受益于AIGC发展公司致力成为国际一流的光电半导体芯片和技术服务供应商,从以电信市场为主逐步发展成国内领军的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片龙头企业。公司已实现向客户A1、海信宽带、中际旭创、长芯博创等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货,产品用于客户A、中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商,并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、AT&T等国内外知名运营商网络中。AI算力产业快速发展,光芯片市场前景广阔高速光芯片是现代高速通讯网络的核心之一,光芯片作为实...

1、 深耕光芯片核心技术,电信与数通协同布局

1.1、 国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商

公司深耕光芯片行业。陕西源杰半导体科技股份有限公司成立于 2013 年 1 月 28 日,主要聚焦于光芯片行业,于 2022 年 12 月在上海证券交易所上市。 公司从电信市场收入为主的光芯片供应商,逐步发展国内领先的“电信市场+数 通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司未来将继续深耕光芯片行业,致力于成为 国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。

截至 2025 年 H1,公司控股股东及实际控制人为 ZHANG XINGANG 先生,直 接持有公司 12.29%的股份, ZHANGXINGANG 与秦燕生、秦卫星、张欣颖为一致 行动人。 公司注重员工长期发展,不断优化人才的激励机制,促进企业与员工共同成长。 2025 年 H1,公司完成了 2021 年度期权激励计划第三个行权期的行权,合计 48.6056 万股,本次行权股票来源于公司向激励对象定向增发的公司 A 股普通股股票,共收 到行权股款人民币 17,420,247.04 元,其中计入股本 486,056.00 元,计入资本公积 16,934,191.04 元。

公司主要产品为光芯片,主要产品包括 2.5G、10G、25G、50G、100G、200G 以 及更高速率的 DFB、EML 激光器系列产品和 50mW、70mW、100mW、150mW 等 大功率硅光光源产品,应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。 经过多年研发与产业化积累,公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加 工和测试的 IDM 全流程业务体系,拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、 光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测 试验证等全流程自主可控的生产线。

1.2、 公司数通业务快速成长,盈利能力不断增强

2025 年 H1 公司归母净利润大幅增长。2020-2024 年,公司营业收入年营业收入 由 2.33 亿元增长到 2.52 亿元,复合增长率为 1.96%,归母净利润由 0.79 亿元减少至 -0.06 亿元。2025 年 H1 公司实现营收 2.05 亿元,同比增长 70.57%,实现归母净利 润 0.46 亿元,同比增长 330.31%。

分业务板块来看,2025年H1,电信市场类业务收入为1.00亿元,同比下降8.93%。 数据中心及其他业务实现收入 1.05 亿元,同比增长 1034.18%。公司电信市场业务基 本保持平稳,进一步优化产品结构,在原有 2.5G、10G DFB 光芯片的基础上,加大 10G EML 产品的客户推广。面向下一代 25/50G PON 网络的光芯片产品实现批量交 付并形成了规模收入,产品技术指标对标国际厂商,电信市场中,EML 产品已经成 为重要的收入组成部分之一;公司在 AI 数据中心市场实现大幅度增长,尤其是硅光 方案所需的大功率 CW 激光器芯片,针对 400G/800G 光模块需求,成功量产 CW 70mW 激光器芯片,在市场端加强了商务拓展,逐步进入更广泛的客户供应链。 在毛利率水平方面, 2025 年 H1 公司毛利率达 48.80%,同比提升 15.38pct,销 售净利率达 22.57%,同比提升 13.63pct。 主要受益于在人工智能等终端应用领域拉 动下,公司高毛利率的数据中心板块业务大幅增加,产品结构进一步优化,整体收 入和利润同比增加。

公司不断优化费控能力。2020-2024 年,公司实现销售费用率由 3.32%提升为 7.35%,管理用率由 16.45%减少为 10.32%;财务费用率由 0.35 降低为为-6.94%。 2025H1,公司实现销售费用率为 5.31%;管理用率为 7.12%;财务费用率为-3.66%。 公司高度重视研发投入。2020-2024 年,公司研发投入由 0.18 亿元增长至 0.55 亿元,研发费用率由 6.73%提升至 21.62%。2025 年 H1,公司研发费用达 0.27 亿元, 同比增长 21.22%。公司不断加大对高速率光芯片、大功率光芯片、芯片工艺等相关 技术和产品的研发投入。

2、 光通信关键部件,AI 浪潮驱动数通高速增长

2.1、 光芯片核心地位凸显,硅光加速 CW 激光器发展

光通信是以光信号为信息载体,以光纤作为传输介质,通过电光转换,以光信 号进行传输信息的系统。光通信系统传输信号过程中,发射端通过激光器芯片进行 电光转换,将电信号转换为光信号,经过光纤传输至接收端,接收端通过探测器芯 片进行光电转换,将光信号转换为电信号。 光芯片位于光通信产业链上游。光芯片与其他基础构件(电芯片、结构件、辅 料等)构成光通信产业上游,产业中游为光器件,包括光组件与光模块,产业下游 组装成系统设备,最终应用于电信和数通市场,如光纤接入、4G/5G 移动通信网络, 云计算、互联网厂商数据中心等领域。

高速光芯片是现代高速通讯网络的核心之一。光芯片系实现光电信号转换的基 础元件,其性能直接决定了光通信系统的传输效率。光纤接入、4G/5G 移动通信网 络和数据中心等网络系统里,光芯片都是决定信息传输速度和网络可靠性的关键。 光芯片可以进一步组装加工成光电子器件,再集成到光通信设备的收发模块实现广 泛应用。

光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片。其中激光器芯片主要用于发 射信号,将电信号转化为光信号,探测器芯片主要用于接收信号,将光信号转化为 电信号。激光器芯片,按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片,面发射 芯片包括 VCSEL 芯片,边发射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片;探测器芯片,主要 有 PIN 和 APD 两类。

CW-DFB 激光器是目前硅光技术主流方案。CW-DFB 是一种基于 DFB 技术的 连续波半导体激光器芯片,它通过在芯片内部集成布拉格光栅实现单纵模输出。具 有极窄的线宽、高输出功率、高边模抑制比、优异的频率稳定性、可靠性强、低噪 声等特点,广泛应用于高速光纤通信等领域。其按功率可分为 75-100mW、100-200mW、 200-500mW 等类别。

硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料,利用现有 CMOS 工艺进行光器件开发和 集成的新一代技术。AI 的迅速发展大幅提升了对光模块速率和数量的需求,使得降 本降功耗更为紧迫,这导致了客户对硅光的接受度有望提升。目前,硅光方案的光 模块在 400G 和 800G 的渗透率有明显的提升,下一代 1.6T 的光模块中,硅光方案占 比有望进一步提升。在硅光方案中,CW-DFB 激光器芯片作为外置光源,硅基芯片 承担速率调制功能。CW 大功率激光器芯片,要求同时具备大功率、高耦合效率、 宽工作温度的性能指标,对激光器芯片要求更高。

2.2、 AIGC 催化算力需求,全球光芯片市场快速发展

全球光芯片市场持续扩容,AI 和数据中心应用加速驱动产业迈向高景气周期。 随着全球数字经济加速发展,云计算、大数据、人工智能等技术广泛应用对高速、 低延迟、高带宽的数据传输提出更高要求,光通信技术的战略地位日益凸显,带动 光芯片需求快速释放。根据中商产业研究院发布的《2025-2030 年全球及中国光芯片 行业发展趋势与投资格局研究报告》,2024 年全球光通信芯片组市场规模已达到约 35 亿美元,预计 2025 年将增长至 37.6 亿美元,市场仍处于稳定扩容通道。

中国光芯片市场迎来国产替代窗口期,政策与技术协同释放长期成长潜力。在 全球科技竞争加剧与本土技术自主化需求持续增强的背景下,中国光芯片产业链迎 来加速国产替代的关键阶段。根据中商产业研究院测算,2023 年我国光芯片市场规 模达到137.62亿元,同比增长10.24%,2025年中国光芯片市场规模有望增长至159.14 亿元。 目前,国内光芯片相关企业仅在 2.5G 和 10G 光芯片领域实现核心技术的掌握, 高端光芯片国产替代率仍较低。根据中商产业研究院数据,低于 10G 及以下速率光 芯片国产化率约 90%;10G 光芯片国产化率约 60%,部分性能要求较高、难度较大。 25G 以上光芯片的国产化率仅 4%,仍以海外光芯片厂商为主,未来国产化的提升潜 力广阔。

2.3、 “电信+数通”双轮驱动,光芯片应用加速扩张

光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域,如环境监测、气体检测,光芯 片被用作传感器,能够检测光信号并转换为电信号,用于数据采集和分析。在汽车 领域,随着传统乘用车的电动化、智能化发展,高级别的辅助驾驶技术逐步普及, 核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP) 的光芯片作为激光雷达的核心部件,其未来的市场需求有望不断增加,特别是随着 全球 AIGC 的发展,光芯片在电信市场、数据中心市场获得快速发展。 根据 ICC 讯石咨询数据显示,2024 年全球光通信电芯片市场规模达到 39 亿美 元,预计到 2029 年全球光通信电芯片市场将达 97 亿美元,复合年增长率(CAGR) 将达 20%。按照电信侧应用和数据中心侧应用来看,两者主要增长特点有所不同, 电信侧应用 10G 及以下速率增长明显,主要受光纤接入市场驱动,而数据中心侧应 用主要需求 100G 及以上速率电芯片。 (1)电信市场:在电信侧应用场景,主要包括骨干网、城域网、无线接入(移 动通信)和光纤接入(以 PON 为核心方案)等。2024 年,光纤接入成为电信侧应用 市场增长的主要驱动力,光通信电芯片按 10G 及以下速率、25G/50G 速率和 100G 及以上(含 128Gbaud)速率划分。据 ICC 讯石咨询统计,2024 年全球电信侧光通信 电芯片市场规模达到 18.5 亿美元;预计到 2029 年底全球电信侧光通信电芯片市场规 模将达到 37 亿美元,复合年增长率(CAGR)为 14.97%。

(2)数通市场:随着人工智能的快速发展,模型性能提高,需要大量算力,导 致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下,数据中心市场高速率需求持续 增加。2024 年,国内外 CSP 对 AI 基础设施的投资推动 400G/800G 以太网光模块出 货量激增,进而拉动光芯片的需求。这一投资趋势在 2025 年持续加强,同时中国云 厂商也开始进一步的跟进。在速率方面,2025 年 1.6T 光模块将开始批量出货。随着 交互速率及训练集群规模的提升,业界对功耗、散热、成本提出了更高要求,因此 系统互联互通的方式需要不断优化,以实现更高的能效比和更紧凑的封装设计。低 功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。目前,硅光技术在可插 拔光模块中逐步提升,特别在高速率模块中应用渗透率进一步加大。LPO 方案也是 未来趋势,其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。进一步来看,未来 CPO、 OIO 的发展和应用,也将带来更多光互联领域的新增量。

(3)光模块:光模块由光电子器件、功能电路和光接口等组成,光电子器件包 括发射和接收两部分。当前由于云计算、大数据分析、人工智能等技术的快速发展, 导致数据中心处理的数据量呈指数级增长。为了应对这种数据激增的情况,数据中 心需要更高速率的光模块来提升网络带宽,确保数据传输的高效性和稳定性。400G 和 800G 光模块能够提供更高的数据传输速率,满足数据中心对于高速、大容量传输 的需求。 根据中商产业研究院报告显示,2023 年全球光模块的市场规模约 99 亿美元,同 比增长 3.1%,2024 年约为 108 亿美元。预计 2025 年全球光模块市场规模将达 121 亿美元,2027 年将突破 150 亿美元。

(4)汽车光电子、激光雷达、自动驾驶、具身智能等市场在近年成为光芯片应 用的新兴机会。根据法国调研机构 YOLE 数据,2023 年全球车载激光雷达市场规模 达到 5.38 亿美元,预计到 2029 年将增长到 36.32 亿美元,复合年增长率达 38%,在 市场份额方面,以禾赛、速腾聚创、图达通、华为和大奖览沃为代表,中国厂商占据全球车载激光雷达市场 84%份额。在技术方面,激光雷达模组与光通信模块具有 相似的光电信号转换功能,表明光通信电芯片技术在激光雷达系统也有重要价值。 同时,基于 AI 的运用,具身智能机器人也将迎来广阔的应用场景,因此光通信电芯 片在算力硬件部分仍将发挥重要的作用。

3、 地位技术突破与市场深耕,筑牢光芯片核心竞争力

3.1、 深耕 IDM 模式,打造光芯片垂直整合制造体系

公司生产激光器芯片属于 IDM 模式,生产流程的自主可控。IDM 模式即垂直 整合制造模式,集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身。 公司掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术,拥有覆盖芯片设计、晶圆 制造、芯片加工和测试等自主生产的能力,公司的 IDM 模式能够缩短产品开发周期, 实现光芯片制造的自主可控,快速响应客户并高效提供相应解决方案,能够迅速地 应对动态市场需求。 经过多年研发与产业化积累,公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加 工和测试的 IDM 全流程业务体系,拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光 波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试 验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、市场、服务、产品等多个维度的协同 发展,公司已经获得国内客户的认可,并从电信市场收入为主的光芯片供应商,逐 步发展国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。

3.2、 聚焦电信与数通市场,推进光芯片产品迭代与市场突破

公司面向电信与数据中心市场持续推进产品迭代与技术升级,全面布局全波段、 高速率、大功率激光器芯片,夯实未来增长基础。 在电信市场中,目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高,但不 同波段产品应用场景不同,工艺难度差异大,公司凭借长期技术积累实现激光器光 源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性,为光模块厂商提供全波段、多品 类产品,同时提供更低成本的集成方案,实现差异化竞争;未来 25G/50G PON 接 入网对光芯片的要求也将进一步提升,大功率、低色散、高速调制的场景需求提升 了光芯片的技术门槛,公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台,适配 高速接入网的需求,使公司的 PON 光芯片产品具备更强的市场竞争力,进入下一 代高速需求的迭代过程。 2024 年,公司对原有的 2.5G、10G 的 DFB 产品持续加强生产过程管控,借 以提升产品的良率和稳定性。随着无线和 10G PON 光纤接入部署逐步进入成熟期, 行业需求增长放缓。公司在此背景下,积极配合海内外设备商提前布局下一代 25G/50G PON 所需 DFB/EML 产品,并实现第一阶段的卡位和小批量出货,为把握 未来电信市场增长机遇奠定了坚实的基础。 在数据中心市场中,尤其是以人工智能为代表的应用拉动了 400G、800G 或以 上高速光模块的需求增加,进而带动了高速率、大功率的芯片需求,比如主要为 100G PAM4 EML 光芯片、70mW、100mW 大光功率激光器等。目前数据中心市场仍以海 外供应商为主。公司基于多年在光芯片领域的研发和生产积累,已推出相应的高速 EML、大功率激光器产品,无论是单波或是多波长的 CWDM、LWDM 需求,来适 配相关的高速光模块的需求,且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前, 公司在 AI 数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块解决方案所需的全系列大 功率 CW 激光器产品,2024 年面向 400G/800G 硅光模块的 CW 芯片产品已实现 百万颗以上出货,奠定了公司在该领域较为领先的行业地位。

3.3、 获主流客户批量认可,构建高壁垒客户资源与供应体系

公司获得下游客户的高度认可,已实现向客户 A1、海信宽带、中际旭创 、长芯博创等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供 货,产品用于客户 A、中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商,并最终应用于 中国移动、中国联通、中国电信、AT&T 等国内外知名运营商网络中,已成为国内 领先的光芯片供应商。公司与现有国内外知名客户的良好合作,使得快速建立新品 开发及量产的全套供应体系,打造国际水平的产品交付标准,有助于新客户的开拓。 此外,下游客户在选择光芯片产品时需经过较长的验证过程,公司率先进入供应商 体系,建立了较高的客户资源壁垒。


(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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