2025年半导体存储行业深度研究报告:供需双振驱动价格持续上扬,企业级存储国产化加速推进

  • 来源:华创证券
  • 发布时间:2025/07/04
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半导体存储行业深度研究报告:供需双振驱动价格持续上扬,企业级存储国产化加速推进。供给收缩催化短周期价格走强,AI高景气推动中长期需求向上。(1)DRAM:原厂停产D4世代供给收缩,PC/server类价格持续上扬。DDR4内存已商用15年,因DDR5在性能、功耗、容量上限及可靠性等维度的综合优势,市场需求逐步转向DDR5世代。与此同时,HBM、DDR5和LPDDR5(X)等新世代产品利润率显著高于旧制程,推动内存市场全面向DDR5转型。基于此趋势,三星和SK海力士已将资源重心转向DDR5/LPDDR5高端产品线,逐步缩减旧制程DDR4产能。自24Q4主流存储原厂宣布减产/转产DDR4至今已逾半...

一、供给收缩催化短周期价格走强,AI 高景气推动中长期需求向上

(一)DRAM:原厂停产 D4 世代供给收缩,PC/server 类价格持续上扬

原厂持续推进减产/转产 DDR4,颗粒端价格率先触底反弹。DDR4 世代内存产品至今已 问世 15 年,基于性能/功耗/容量上限/可靠性等多项优点,需求逐步由 DDR5 取代,加上 HBM、DDR5、LPDDR5(X)等产品的利润率皆明显较高,内存市场向 DDR5 世代全面转 型已是大势所趋。在此背景下,三星和 SK 海力士均将资源重心转向 DDR5 和 LPDDR5 高端产品,旧制程 DDR4 产能逐步缩减。自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至 今已逾半年,随着产能调整深入演进,存储现货市场部分 DDR 颗粒资源供应紧俏,尤其 在 PC OEM 经过长期库存调整后库存水位也逐步降低,并陆续回补库存,共同推升 DDR4 价格上扬。根据 inSpectrum Tech 数据,截至 2025 年 6 月 20 日,DDR4 8Gb 1Gx8/16Gb 2048Mx8 月度现货价格分别为 3.14/5.91 美元,较本轮底部涨幅分别达 129.2%(25.1.17) /118.1%(25.3.14)。

原厂停产在即加剧成品市场紧张氛围,内存模组现货报价持续上扬。据电子工程专辑, 由于对 HBM 和 DDR5 等最新内存技术的需求增加,以及 DDR3 和 DDR4 内存收益的下 降,三星、SK 海力士和美光等主要 DRAM 制造商逐步计划在 2025 年下半年终止 DDR3 和 DDR4 内存的生产。在美光 FY2025Q3 业绩说明会上,公司对 DDR4 和 LPDDR4 产品 停产问题进行明确回应,美光几个月前就已向手机、PC、数据中心和消费等高容量细分 市场的客户发出了这些产品的停产通知,最终发货时间将在两到三个季度后(25Q4- 26Q1)。针对汽车、工业、国防和网络等有长期且相对低容量需求的客户,公司将在未来 数年内为其供应 1-alpha DRAM 产品。受此消息催化,内存模组成品市场交易活跃度显著 提升。现货市场方面,服务器 DDR4、行业内存条、渠道内存条报价均大幅上扬,进入 6 月以来,上游原厂议价态度强势,现货旧制程 DRAM 资源供应缺货涨价延续,推动各 D4 世代成品市场价格持续拉涨。根据闪存市场数据,PC 市场方面,截至 2025 年 6 月 17 日, DDR4 UDIMM 16GB 3200(桌面电脑)和 DDR4 SODIMM 16GB 3200(笔电)周度现货 价格分别为 23/35 美元,较 3 月 11 日低点涨幅分别达到 51%/56%;服务器市场,截至 2025 年 6 月 3 日,DDR4 RDIMM 32GB 3200 现货价格为 105 美元,较 3 月 4 日低点涨 幅达 40%,涨势强劲。

云厂需求支撑叠加国际形势变化增加备货,DDR4 合约价市场增幅乐观。合约价方面, Trendforce 对于25Q2-25Q3 DDR4模组价格涨幅预期乐观,除原厂退产DDR4世代产品, 下游策略性备货因素外,企业级市场需求支撑亦为重要驱动力。主要云厂的通用/AI 服务 器建置需求维持稳健,企业级 DDR4 内存订单有所追加,共同推动 25Q2 Server DDR4 模 组价格季增 18%~23%。而 PC 端,DDR4 模组价格上涨主要系国际形势,OEM 基于关税 不确定性进而加大库存和终端生产量,拉升了对应内存模组的备货需求,同时 Server DDR4 的需求增加,挤占了部分 PC DDR4 供应,进一步推升了其涨价预期,Trendforce 预估 25Q2 PC DDR4 模组价格季增 13%~18%。

(二)NAND Flash: MLC/低容 TLC 停产推升 eMMC 价格,原厂减产叠加 CSP 需求 高景气驱动主流 NAND 模组逐步反弹

MLC NAND/256Gb TLC 原厂退产在即,wafer 价格持续拉升。与 DRAM 产业 DDR4 世 代逐步停产类似,存储原厂在 NAND Flash 领域亦在逐渐推进制程迭代和产品升级,部 分成熟制程资源如 MLC NAND 和 256Gb TLC NAND 逐渐停产,导致上游 wafer 端供应 持续紧俏,现货市场价格快速拉升,根据闪存市场数据,截至 2025 年 6 月 19 日,TLC 256Gb wafer 周度现货价格为 2.5 美元,较 2024 年 12 月 17 日低点涨幅达到 79%。

消费国补叠加上游 wafer 停产涨价,低容 eMMC 产品现货价格水涨船高。在消费国补及 上述低容 NAND wafer 停产影响下,相应低容量嵌入式成品紧随资源涨价快速拉涨现货 价格。根据闪存市场数据,截至 2025 年 6 月 17 日,8/16/32GB eMMC 价格分别为 2.8/3.8/4 美元,年初以来涨幅分别达到 56%/58%/54%。

云厂需求增长叠加原厂控产,主流 NAND Flash 合约价格有望逐步回升。除低容 eMMC 等原厂规划停产料号引发价格上涨外,主流 NAND Flash 亦有望逐步反弹。根据 TrendForce 集邦咨询的最新调查数据,北美主要云厂正持续加大对人工智能领域的投资 力度,NVIDIA GB200 等高阶 AI Server 陆续出货,预计这一趋势将推动企业级固态硬盘 (Enterprise SSD)需求在 2025 年第三季度实现显著增长。鉴于当前库存水平处于低位, 企业级 SSD 市场可能面临供应紧张的局面,价格环比涨幅或可达 10%。此外,今年年初供应商采取了相对保守的产能策略,促使 NAND Flash 市场逐步趋于平衡状态。然而,四 月初国际形势的变化对第二季度市场节奏产生了干扰,导致价格波动的不确定性增加。 尽管部分 PC 厂商在第二季度加快了出货速度,但整体 NAND Flash 产品的出货量并未实 现有效提升,零售市场压力持续存在,供应商因此进一步谨慎调整产能规划,有望共同 促使 25Q3 价格进一步上行。

二、AI 服务器为全球存储市场增长核心引擎,企业级存储国产化大势所趋

全球数字化进程加速推动智能化服务需求,云厂商 AI 基础设施投入加码带动服务器市 场规模高增。随着全球数字化步伐的加快,对智能化服务的需求急剧上升,尤其是在自 然语言处理、数据分析等关键 AI 技术领域。全球云服务提供商纷纷加大服务器等 AI 基 础设施投入,推动了服务器市场迅速增长。根据浪潮信息与 IDC 联合发布的《2025 年中 国人工智能计算力发展评估报告》,2024 年中国人工智能算力(AI 服务器)市场规模为 190 亿美元,2025 年将达到 259 亿美元,同比增长 36.2%,2028 年市场规模将达到 552 亿美元。 存储器为数据存储直接载体,大模型迭代下容量&性能有望同步进阶。大模型技术应用 对存储市场产生了显著影响,存储正向更大容量、更快读写速度、更低延迟、更高可靠 性和更佳灵活性发展,以支持高效的数据处理与模型训练,同时适应不断增长的数据量 和扩大模型规模的需求。根据 IDC 数据,2024 年全球企业的人工智能存储支出达到 67 亿美元,2025 年将增至 76 亿美元,2028 年有望达到 102 亿美元,2023-2028 年五年年复 合增长率为 12.2%。存储器作为数据存储的直接载体,对于数据安全可控战略的落地及 实现具有关键作用,随着数据中心、云计算等下游产业对安全自主可控的重视程度不断 提高,国产存储器厂商将迎来广阔的发展空间。

全球数据中心基础设施扩建浪潮升温,服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长。近 年来大型云服务商适度超前投资 AI 基础设施,为未来长期发展提前部署存算力资源。服 务器 NAND 和 DRAM 的应用占比持续增长,据闪存市场,服务器 NAND 应用占比有望 从 2023 年的 16%提升至 2025 年的 30%,服务器 DRAM 应用占比有望从 2023 年的 32% 增长至 2025 年的 36%。

NAND 方面:算力中心加速部署超高容量 eSSD 以提升性能并降低能耗,25 年服 务器 NAND 应用占比有望达 30%。据闪存市场《2024-2025 年全球存储市场趋势白 皮书》,预计 2025 年互联网企业对 PCIe5.0 eSSD 需求持续增加,32TB 及以上 QLC eSSD 在服务器市场的渗透率有望稳步提升,推动服务器存储位元需求近年来 持续大幅攀升。据 CFM 闪存市场数据,2024 年全球存储应用市场中,服务器、手 机和 PC 的 NAND 应用占比分别为 30%、31% 和 14%,而服务器 NAND 应用 占比将从 2023 年的 16% 攀升至 2025 年的 30%。

DRAM 方面:服务器 DDR5 及 HBM 需求攀升,25 年服务器 DRAM 应用占比有望 达36%。随着支持 DDR5 的 Intel EMR 与 AMD Bergamo 处理器平台渗透率提升, 叠加搭载 Nvidia Hopper/Blackwell 及 AMD MI300 等加速芯片的 AI 服务器出货 量显著增长,服务器 DDR5 及 HBM 需求实现快速攀升。据 CFM 闪存市场数据, 2024 年服务器、手机、PC 终端在 DRAM 应用中的占比分别达 34%、32% 和 14%, 其中服务器 DRAM 应用占比从 2023 年的 32% 预计将增至 2025 年的 36%。在 64GB 及以上 DDR5 与 HBM3e 12hi 出货量增长的推动下,2025 年服务器存储位 元需求同比增幅将超过 20%。

近两年来服务器存储需求增幅显著领先于各主要应用市场,存储原厂持续将新增产能与 资本支出向高性能 eSSD、DDR5 及 HBM 领域倾斜,AI 应用需求不断驱动存储技术与 产品迭代升级。据闪存市场《2024-2025 年全球存储市场趋势白皮书》,2025 年 NAND 和 DRAM 容量需求将分别增长 12%和 15%。 AI 服务器已成全球存储市场增长核心引擎,预计 25 年 AI 服务器出货占比超 13%。科 技企业凭借丰富的 AI 模型生态体系,有效提升服务器资源利用率并增强云服务客户黏 性,为云计算发展与应用形成正向反馈循环。在此趋势下,AI 服务器已成为驱动全球存 储市场增长的核心引擎。据 CFM 数据,2024 年全球服务器出货规模为 1290 万台 (YoY+3.2%),其中通用服务器出货 1150 万台(基本持平),AI 服务器出货约 140 万台(YoY+56%)。据其预测,预计 2025 年全球服务器市场出货量将达 1340 万台(YoY+3.9%), 其中增长主要由 AI服务器驱动,预计25 年AI服务器出货量有望达 180 万台(YoY+29%), 而通用服务器出货量仍基本持平。

AI 服务器单机存储容量显著提升,AI 服务器渗透有望带动整体存储需求增长。以英伟 达 H100 AI 服务器为例,其所需 NAND 容量达 32TB-132TB, DDR5 容量达 2TB-4TB, HBM 容量可达 640GB。随着大模型技术迭代与应用落地,AI 服务器市场需求增长具备 较强确定性,智能终端对存储产品的容量、性能及稳定性提出更高要求,有望持续带动 存储技术迭代与产品应用升级。随着 AI 服务器的持续渗透,有望带动服务器整体存储需 求增长。

(一)闪存模组:中国企业级 SSD 市场迎爆发式增长,国产厂商重塑行业格局

企业级 SSD 主要应用于互联网、云服务、金融和电信等客户的数据中心。在数字经济时 代,企业越来越将数据视为一项自身核心资产,对数据安全的重视程度越来越高。大量 企业将内部信息系统和业务系统实现了数字化升级,底层数据对内关乎着企业日常经营 的稳定,对外决定着信息化业务的正常运营。固态硬盘作为数据的载体,除了高性能和 大容量的需求之外,企业客户还对产品包含使用寿命、稳定可靠、功耗控制、系统兼容、 数据纠错、数据保存能力在内的多方面性能提出了严格的要求。整体来看,企业客户更 加在意产品可靠性,而闪存介质的特性在带来高速度和大容量的同时也存在相应的缺陷, 需要固态硬盘厂商通过固件技术创新进行优化,更好地满足企业客户的使用需求。

伴随着云计算、数据库、虚拟化、大数据和人工智能等新兴领域的快速发展,以及互联 网服务的加速普及、企业数字化转型进一步加快以及工业互联网加速开展,数据量呈现 出井喷的状态,数据的生命周期亦大幅延长,数字经济规模持续扩大,企业级 SSD 的市 场规模不断提升。根据智通财经援引 IDC 数据,2024 年中国企业级固态硬盘市场规模增 长 188%,达到 62.5 亿美元。Solidigm 和三星依托技术生态、供应链整合等能力要素处于 主导地位;国内厂商方面忆联与忆恒创源分别占据国产品牌头部的市场份额,此外大普 微、浪潮、江波龙等本土厂商持续提升研发水平与品牌力,发展势头强劲,有望实现破 局。

(二)内存模组:原厂高度垄断企业级市场,国产模组厂加速实现 0-1 突破

内存模组是计算机架构的核心组成部分之一,主要作为 CPU 与硬盘的数据中转站,用于 临时存储数据,其存储和读取速度远高于硬盘。根据应用领域不同,内存模组可分为以 下几类:(1)服务器内存模组,目前主要包括 RDIMM 和 LRDIMM 等类型,随着服务器数据存储和处理负载的不断增加,对服务器内存模组的稳定性、纠错能力以及低功耗的 要求也日益提高;(2)普通台式机、笔记本内存模组,主要类型为 UDIMM、SODIMM 等。全球 DRAM 市场中,90%左右的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据。 内存模组的发展遵循清晰的技术升级路径,预计 2025 年服务器 DDR5 渗透率达到八成。 近年来,服务器内存模组行业正经历从 DDR4 世代向 DDR5 世代的切换,目前 DDR5 第 一子代、第二子代、第三子代内存产品已实现量产,JEDEC 已完成 DDR5 第四子代产品 标准制定,并正在推进第五子代产品标准的制定。同时,为满足传输速率提升及新的产 业需求,JEDEC 还陆续定义了多种新型服务器用内存模组架构,例如 MRDIMM。内存 模组与 CPU 是计算机的两个核心部件,是计算机生态系统的重要组成部分。随着支持更 高速率 DDR5 的 CPU 的持续迭代,DDR5 内存模组的渗透率将提升,同时其子代的更新 迭代也将持续推进。据 CFM 数据,截至 2024 年二季度末,全球服务器市场 DRAM 出货 中 DDR5 占比已过半,预计 2025 年末全球服务器市场 DRAM 出货量中约 80%为 DDR5。

服务器新型存储模组 MRDIMM,专注解决现有计算架构“内存墙”瓶颈。在服务器端, 随着人工智能和大数据分析等应用快速发展,处理器内核数量日益增多,对内存带宽的 需求急剧增长,JEDEC制定了新型高带宽内存模组多路复用双列直插内存模组MRDIMM (Multiplexed Rank DIMM)的相关技术标准。根据 JEDEC 公布的信息,DDR5 MRDIMM 通过创新设计提高了数据传输速率和整体系统性能。多路复用允许将多个数据信号组合 并通过单个通道传输,从而在不增加额外物理连接的情况下提升带宽,实现无缝带宽升 级,使数据速率超过同期的 DDR5 RDIMM。其特性包括: 平台与 RDIMM 兼容,提供灵活的用户带宽配置。 采用标准的 DDR5 DIMM 组件(包括 DRAM、外形尺寸、引脚分布、SPD、PMIC 和 TS),便于推广。 利用 RCD/DB 逻辑处理能力实现高效的 I/O 扩展。 借助现有的 LRDIMM 生态系统进行设计和测试。 MRDIMM 子代仍将持续迭代,规划支持速率有望大幅提高。MRDIMM 使用常规的 DRAM 颗粒,且与现有 DDR5 生态系统有良好的适配性,还能大幅提升内存模组的带宽, 将共同推动 MRDIMM 渗透率的提升。未来 MRDIMM 仍将持续迭代升级,第一子代 MRDIMM 支持 8800MT/s 速率,第二子代 MRDIMM 支持 12800MT/s 速率,正在定义的 第三子代 MRDIMM 支持的速率预计超过 14000MT/s。

国内企业级内存条近百亿美元规模,国产供应商加速实现 0-1 突破。根据上述章节提及 的闪存市场数据中全球 NAND 市场规模及服务器应用占比,可测算得 2024 年全球企业 级 SSD 市场规模为 209 亿美元,而据 IDC 数据,24 年中国企业级 SSD 模组市场规模为 62.5 亿美元,中国企业级 SSD 全球占比约为 30%。根据全球 DRAM 市场规模及服务器 应用占比,可测算得 24 年全球企业级 DRAM 市场规模为 331 亿美元。假设中国企业级 内存条市场全球占比在 25%~30%,则可测算得 24 年中国企业级内存条市场规模约 83~99 亿美元。由于内存条市场原厂高度垄断,独立品牌的模组厂市场份额仍较小,目前江波 龙、海普存储(香农芯创子公司)等公司已有企业级内存条相关产品,并实现量产销售, 正在实现国产 0-1 突破。

三、重点公司分析

1、香农芯创:“分销+产品”共驱发展,子公司海普存储发力企业级存储

“芯片分销+自研产品”互为表里,一体两翼共驱发展。香农芯创前身聚隆科技成立于 1998 年,早期专注于洗衣机减速离合器等家电核心零部件,2019 年基石资本完成对聚隆 科技的要约收购,后公司于 2020 年开展一系列针对半导体行业的股权投资业务。2021 年,公司完成对联合创泰 100%股权的重大资产收购事项,主营业务由洗衣机减速离合器的生 产、研发、销售变更为电子元器件分销,同年更名为“香农芯创”。2023 年,香农芯创联 合 SK 海力士、大普微电子等合作方设立控股子公司深圳海普存储,定位企业级存储。自 此,香农芯创形成“分销+产品”一体两翼的发展格局。 兼具授权品牌优势&客户资源优势,分销业务竞争优势显著。原厂的授权是代理商在市 场上稳健发展的基石,经过多年的潜心合作发展,公司已积累了众多优质的原厂授权资 质,先后取得全球全产业存储器供应商之一的 SK 海力士、全球著名主控芯片品牌 MTK 的代理权以及 AMD 的经销商资质,形成了原厂线优势。公司结合原厂产品的性能以及 下游客户终端产品的功能需求,积极开拓各大下游市场,产品广泛应用于云计算存储(数 据中心服务器)、手机等领域。目前客户主要系阿里巴巴、中霸公司、华勤通讯等互联网 云服务商和国内大型 ODM 企业,实现了对该等领域一流厂商的覆盖,具备领先的客户 优势。在存储芯片领域,公司已实现对中国核心互联网企业的覆盖,后期产品线将陆续 向其他领域辐射。 子公司海普存储定位企业级存储,企业级 SSD 和 DRAM 产品均实现量产。公司自主品 牌“海普存储”建设、开发进展顺利,以深度服务国家大数据产业为出发点,围绕国产化、 定制化路线,已完成企业级 DDR4、DDR5、Gen4 eSSD 的研发、试产,产品性能优异, 用于云计算存储(数据中心服务器)等领域。截至 2024 年末,海普存储已完成部分国内 主要的服务器平台的认证和适配工作并正式进入产品量产阶段,据 2025 年 2 月公司回答 投资者问答,自研企业级 SSD 和 DRAM 产品都已开始量产。

2、兆易创新:国产存储器 IC 设计龙头,积极布局定制化新兴赛道

具有全球影响力的存储器设计公司。兆易创新成立于 2005 年,深耕专用型存储芯片行业 二十年,MCU 领域十四年,成为了中国内地专用型存储芯片和 MCU 领先企业,打造了 具有全球影响力的专用型存储芯片和 MCU 品牌。根据弗若斯特沙利文报告,以 2024 年 销售额计,公司是多个领域的市场领导者,全球唯一一家在 NOR Flash、SLC NAND Flash、 利基型 DRAM 和 MCU 领域排名均全球前十的 IC 设计公司。具体而言 NOR Flash 全球 第二、中国内地第一;SLC NAND Flash 全球第六、中国内地第一;利基型 DRAM 全球 第七、中国内地第二;MCU 全球第八、中国内地第一;指纹传感器芯片中国内地第二。 积极拥抱端侧 AI 浪潮,卡位定制化存储优势赛道。随着 AI 时代的来临,端侧 AI 也迎 来蓬勃发展。根据弗若斯特沙利文的报告,2025 年被称为端侧算力爆发的元年,边缘计 算拓展了人工智能的应用边界,将传统终端设备演化成具备自主决策能力的智能终端, 进一步推动消费电子、工业应用、汽车、具身机器人等核心产业全面向 AI 转型。这一产 业趋势变化,为行业内企业带来了历史性发展机遇。端侧 AI 需求的兴起,对定制化存储 解决方案提出新的要求,公司在 2024 年 7 月成立了控股子公司青耘科技,紧贴客户需 求,积极开拓包括定制化存储方案在内的新技术、新业务、新市场和新产品。

3、江波龙:企业级业务实现放量增长,整合 Zilia 构建海外增长极

聚焦存储业务,提供多下游存储解决方案。江波龙聚焦于存储产品和应用,形成了存储 芯片设计、主控芯片设计及固件算法开发、封装测试,以及生产制造等核心能力,为市 场提供消费级、车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。公司拥有行业类存储品牌 FORESEE、海外行业类存储品牌 Zilia 和国际高端消费类存储品牌 Lexar (雷克沙),产品广泛应用于主流消费类智能移动终端(如智能手机、可穿戴设备、PC 等)、 数据中心、汽车电子、物联网、安防监控、工业控制等领域,以及个人消费类存储市场。 已与多个国产 CPU 平台完成兼容性适配,企业级业务实现放量增长。近年公司企业级存 储业务规模增长明显,24 年企业级存储业务收入达 9.22 亿元(YoY+666.30%)。公司已 经推出多款高速 eSSD 产品,覆盖 480GB 至 7.68TB 的主流容量范围,支持 1DWPD (每日整盘写入次数)和 3DWPD 的高耐用性选项,产品外形涵盖 2.5 英寸到 M.2 的 多种规格,构成了全面的企业级产品组合。公司的 PCIe SSD 与 SATA SSD 两大产品系 列已成功完成与鲲鹏、海光、龙芯、飞腾、兆芯、申威多个国产 CPU 平台服务器的兼容 性适配,为在主流平台上的广泛应用提供了坚实的技术基础。 Zilia 顺利整合,构建海外增长极。2024 年公司巴西控股子公司 Zilia 整合收到明显成效, 2024 年 Zilia 实现销售收入 23.12 亿元(YoY+ 120.15%)。Zilia 作为巴西头部存储器厂 商,已构建了完善的海外供应链体系,与半导体存储全球头部客户、半导体存储原厂建 立了长期合作关系,在巴西与南美市场拥有深厚影响力。公司通过整合自身技术和测试 能力,与 Zilia 领先的封装测试制造能力结合,构建了全球化与国内产能并重、自主产能 与委外产能并行的制造格局,打造能够应对新时代国际环境变化的弹性供应链及业务体 系。在公司技术、品牌与资源加持下,Zilia 拓展了 SSD、UFS、DDR5 等领域的中高端 产品方案,不断提升其业务价值量。基于江波龙全球影响力,Zilia 持续开拓海外头部厂 商,并深化海外头部客户合作关系。

4、德明利:企业级 SSD 部分产品开始送样,消费级内存已实现量产出货

深耕“聚焦存储”战略,构筑多样化产品线并推行差异化策略。在“聚焦存储”战略指导下, 德明利不断完善存储产品矩阵,拓展产品应用领域与应用场景,目前已经形成了包括固 态硬盘、嵌入式存储、内存条和移动存储在内多条存储产品线。在消费级市场,公司通 过自研主控、自建测试与生产线,形成具有较高性价比的标准化移动存储、固态硬盘、 内存条等存储产品;在商规级、工规级、车规级与企业级应用领域,公司聚焦场景需求, 灵活、高效调整主控与固件方案,为客户提供高品质、定制化的存储解决方案。 AI 浪潮大势所趋,企业级 SSD 部分产品已给云服务企业送样。AI 浪潮下,公司正加快 向高容量、高性能固态硬盘产品拓展,重点聚焦于 QLC NAND 应用与企业级 SSD 两 大方向。针对 QLC NAND,公司前瞻性地布局相关关键技术,包括针对 QLC NAND 介 质特性开发的新一代纠错算法、压缩技术、低功耗设计等,目前公司已经具备了成熟的 QLC NAND 商业应用能力,并已经实现量产销售。企业级 SSD 方面,公司正在加快推 进产品研发与客户验证工作,截至 2024 年末已给多家云服务企业进行送样,部分产品已 顺利通过客户验证并成功导入。 消费级内存已实现量产出货,加快送样及验证工作。公司目前已经组建了内存条产品线 相关团队,并规划了覆盖 DDR3、DDR4 及 DDR5 系列规格,主要类型分为 LPCAMM2、 CAMM2、RDIMM、SODIMM 和 UDIMM 等。为快速实现高质量产品的批量交付,公 司内存业务与研发团队在高效完成产品设计与方案开发的同时,着手研发并部署了内存 产品测试设备,保障产品可靠性与兼容性,依托现有客户资源实现市场快速突破。截至 2024 年末,公司消费级内存已经开始量产出货,并加快行业客户、品牌终端客户产品送 样与验证工作。同时,公司最新推出了包括 SO-DIMM、U-DIMM、RDIMM、CSODIMM、CUDIMM 和 LPCAMM2、CAMM2 等系列内存模组产品,兼容主流 CPU 平台与操作 系统,并配套了全流程自动化测试量产工具,为应对复杂计算挑战提供高效稳定的人工 智能存储方案。

5、佰维存储:构建 AI 端侧存储综合竞争力,智能穿戴存储收入同比高增

深耕存储主业,积极拓展国内外一线客户。公司产品在国内存储厂商中市场份额位居前 列,并已进入各细分领域国内外一线客户供应体系,营收保持高速增长。在手机领域, 公司嵌入式存储产品已进入 OPPO、传音控股、摩托罗拉、HMD、ZTE、TCL 等知名客 户;在 PC 领域,公司 SSD 产品目前已经进入联想、Acer、HP、同方等国内外知名 PC 厂 商;在国产 PC 领域,公司是 SSD 产品的主力供应商,占据优势份额;在智能穿戴领域, 公司产品已进入 Meta、Rokid、雷鸟创新等国内外知名 AI/AR 眼镜厂商,Google、小天 才、小米等国内外知名智能穿戴厂商的供应链体系;在企业级领域,公司企业级产品已 通过中国移动 AVAP 测试、20 余家 CPU 平台和 OEM 厂商的互认证测试,与国内多家平 台厂家建立合作关系,并已通过多家互联网厂商的审厂,为后续企业级业务发展打下基 础;在车规领域,公司产品已在国内头部车企及 Tier1 客户量产。 积极布局 AI 端侧,构建 AI 端侧存储综合竞争力。公司在 AI 端侧领域的产品线布局以 高性能存储技术为核心,通过自研主控芯片、固件算法与先进封测能力实现差异化竞争, 覆盖 AI 手机、AIPC、AI 眼镜、具身智能等多场景。在产品方面,公司面向 AI 手机已推 出 UFS、LPDDR5/5X、uMCP 等嵌入式存储产品,并已量产 12GB、16GB 等大容量 LPDDR5X 产品。在 PC 领域,公司面向 AIPC 已推出高端 DDR5 超频内存条、PCIe5.0SSD 等高性能存储产品。在智能可穿戴领域,公司 ePOP 系列产品目前已被 Google、Meta、 小米、小天才、Rokid、雷鸟创新等知名企业应用于其智能手表、智能眼镜等智能穿戴设 备上,其中,公司为 Ray-BanMeta 提供 ROM+RAM 存储器芯片,是国内的主力供应商。 2024 年,公司智能穿戴存储产品收入约 8 亿元,同比大幅增长。2025 年,随着 AI 眼镜 的放量,公司与 Meta 等重点客户的合作不断深入,公司预计将推动智能穿戴存储业务的 持续增长。

6、聚辰股份:DDR5 加速渗透驱动 SPD 增长,汽车 EEPROM 打开成长空间

DDR5 内存模组渗透率加速提升,SPD 先发卡位把握创新发展机遇。公司自 DDR2 世代 起即研发并销售配套 DDR2/3/4 内存模组的系列 SPD 产品,为业内少数拥有完整 SPD 产 品组合和技术储备的企业。针对最新的 DDR5 内存技术,公司与澜起科技合作开发了配 套新一代 DDR5 内存模组的 SPD 产品,主要应用于个人电脑及服务器领域,并已在行业 主要内存模组厂商中取得大规模应用。随着 DDR5 内存模组渗透率的持续提升,以及下 游内存模组厂商库存水位的改善,公司配套 DDR5 内存模组的 SPD 产品的销量持续增 长,成为公司业绩增长的重要驱动力。 国内领先的汽车级 EEPROM 产品供应商,第二成长曲线雏形已现。公司目前已拥有 A1 及以下等级的全系列汽车级 EEPROM 产品,产品广泛应用于汽车的智能座舱、三电系统、 视觉感知、底盘传动与微电机等四大系统的数十个子模块,终端客户包括众多国内外主 流汽车厂商。公司积极进行欧洲、美国、韩国、日本等海外重点市场的拓展,汽车级 EEPROM 产品成功导入多家全球领先的汽车电子 Tier1 供应商,产品的销量和收入实现高速增长。随着汽车电动化、智能化、网联化趋势的不断发展,汽车电子产品的渗透率 快速提升,有望进一步带动汽车级 EEPROM 市场规模增长。未来,公司将敏锐把握产业 发展动向,持续进行技术升级以及产品迭代,进一步完善在汽车级 EEPROM 领域的技术 积累和产品布局,以覆盖更为广阔的市场需求。

7、联芸科技:国产 SSD 主控芯片领先厂商,全系布局日臻完善

全球领先的独立主控芯片厂商,业绩稳步增长。公司自成立以来一直专注于数据存储主 控芯片的研发及产业化,已发展成为全球出货量排名前列的独立固态硬盘主控芯片厂商, 是全球为数不多掌握数据存储主控芯片核心技术的企业之一。公司先后实现 SATA、PCIe 接口固态硬盘主控芯片及关键核心技术的突破,产品覆盖消费级、工业级及企业级固态 硬盘等应用领域。2024 年,公司的数据存储主控芯片营收 9.20 亿元,同比增长 25.42%, 市场影响力进一步增强。 客户广泛优质,产品布局全面。在消费级零售 SSD 应用领域,除部分 NAND 原厂品牌 SSD 尚未打入外,全球大部分 SSD 品牌均有采用公司 SSD 主控芯片及解决方案;在 消费级 PC-OEM 前装 SSD 应用领域,公司消费级 SSD 主控芯片已广泛应用于众多品 牌 PC 电脑中;在企业级 SSD 应用领域,公司 SATA 主控芯片已在众多服务器厂商中 获得规模商用。公司嵌入式存储主控芯片下游客户和终端用户高度一致,现有 SSD 合作 伙伴将是嵌入式存储主控芯片的重要资源。公司未来会继续夯实此领域的技术、不断创 新,随着主控接口速度和 NAND 闪存颗粒的演进,持续推出新一代有竞争力的产品。同 时,公司正将固态硬盘主控芯片在功耗、性能、颗粒适配性和可靠性等方面独特的技术 和架构用于嵌入式存储主控芯片,开发系列 UFS/eMMC 产品,为手机、AIoT 和车载等 嵌入式领域提供有竞争力的产品,从而构建起全系列固态存储主控芯片。

8、北京君正:车规存储领先企业,积极布局 3D DRAM 领域

车规存储领先企业,产品矩阵丰富&客户资源优质。北京君正成立于 2005 年,起家于 MPU 和智能视频芯片,2020 年公司通过收购 ISSI 成功进入车载存储行业,打开公司第 二成长曲线。公司旗下存储主体北京矽成(ISSI)深耕车载存储二十余载,产品矩阵丰富, 料号充沛,广泛应用于包括电子仪表盘、智能驾驶 ADAS、本地地图、车载娱乐、通信系 统在内的众多车内场景,目前在汽车领域的终端客户覆盖了大陆集团、法雷奥、Delphi、 博世等全球知名汽车一级供应商。 AI 带动高带宽内存需求,公司积极布局 3D DRAM 领域。在算力芯片性能不断提升,大 语言模型的参数规模迅速增长的情况下,AI 技术在智能手机、PC、服务器、汽车等各个 领域的应用不断拓展,当前 AI 模型和高性能计算对 DRAM 的带宽需求正以每年倍数级 的速度增长,3D DRAM 等新型存储芯片可有效满足 AI 芯片与高性能计算芯片对 DRAM 高带宽、大容量的需求,市场对包括 3D DRAM 在内的 AI 存储芯片的需求呈现出快速增 长的态势。公司拥有深厚的 DRAM 设计经验和丰富的产业资源,具有发展 3D DRAM 产 品的基础。公司积极布局面向 AI 应用领域的 3D DRAM 产品,积极跟进 AI 存储市场的 需求,努力抓住新兴市场机会。

9、普冉股份:NOR Flash 后起之秀,发力车规广阔市场

公司是国内非易失性存储器芯片领先企业。目前主要产品包括:NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、MCU 以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型 芯片,公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年,凭借其低功耗、高可靠性的产品 优势,在下游客户处积累了良好的品牌认可度,成为了国内 NOR Flash 和 EEPROM 的 主要供应商之一。2024 年,公司实现存储系列芯片营业收入 14.17 亿元,同比上升 40.10%, 毛利率 34.61%,同比上升 10.62 个百分点,出货量 67.72 亿颗,同比上升 33.09%。公司 持续推进海外业务布局,实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入,产品应 用领域涵盖消费、工控、光伏及车载,增强了在全球市场的影响力。 NOR Flash 制程优化/容量升级持续推进,发力车规高价值量领域。公司 NOR Flash 产品 采用电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺结构,提供了 512Kbit 到 1Gbit 容量的系 列产品,覆盖 1.1V-3.6V 的操作电压区间,具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取 的优异性能,公司 NOR Flash 产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控 制等相关市场。目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm,公司 40nm SONOS 工艺制 程下 4 Mbit 到 128 Mbit 容量的全系列产品均已实现量产,处于行业内领先技术水平。公 司中小容量 SONOS NOR Flash 车载产品已陆续完成 AEC-Q100 认证,主要应用于部分品 牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。同时,公司全容量 ETOX NOR Flash 系列产品通 过 AEC-Q100 车规认证,为公司在汽车电子领域的进一步发展奠定了坚实的基础,打开 了更加广阔的市场空间。

10、东芯股份:本土 SLC NAND 领先企业,构建“存、算、联”技术生态

深化存储技术布局,持续丰富产品矩阵。东芯股份于 2014 年成立,主营业务为中小容量 通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、 DRAM 等存储芯片完整解决方案,并能为优质客户提供芯片定制开发服务的公司。2024 年,持续实施产品更新迭代策略,“1xnm 闪存产品研发及产业化项目”已进入风险量产 阶段。2xnm 制程持续进行 SLC NAND Flash 产品系列的研发迭代,不断扩充产品料号; 公司基于 48nm、55nm 制程,持续进行 64Mb-2Gb 的中高容量 NOR Flash 产品研发工作; 公司在已量产的 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM 等产品基础上,持续进行新产 品的研发,此外设计研发的 LPDDR4x 产品已进入量产阶段。 构建“存、算、联”技术生态,培育第二增长曲线。在联接芯片领域,公司于 2024 年内 设立子公司亿芯通感,开展 Wi-Fi7 无线通信芯片的研发设计。首款无线透传芯片聚焦高 带宽、低时延场景,可满足智能终端等领域对高速连接的需求,通过差异化创新为消费 类企业客户提供本土化的智能无线通信与感知的芯片及解决方案。在计算芯片领域,公 司于 2024 年通过自有资金 2 亿元人民币战略投资上海砺算,布局高性能 GPU 赛道。上 海砺算坚持自研架构,产品可实现端、云、边的主流图形渲染和 AI 加速,对标主流 GPU 架构,与外部生态无缝兼容,力争解决国产主流完整 GPU 架构自主可控的关键问题。其 自主研发的首代图形处理芯片 G100 基于自研架构,可支持主流 3A 游戏运行。G100 芯 片产品已于 2025 年初进行流片,目前封装回片后已成功点亮。


(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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