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半导体存储行业深度研究报告：供需双振驱动价格持续上扬，企业级存储国产化加速推进。供给收缩催化短周期价格走强，AI 高景气推动中长期需求向上。（1）DRAM： 原厂停产 D4 世代供给收缩，PC/server 类价格持续上扬。DDR4 内存已商用 15 年，因 DDR5 在性能、功耗、容量上限及可靠性等维度的综合优势，市场 需求逐步转向 DDR5 世代。与此同时，HBM、DDR5 和 LPDDR5(X)等新世代 产品利润率显著高于旧制程，推动内存市场全面向 DDR5 转型。基于此趋势， 三星和 SK 海力士已将资源重心转向 DDR5/LPDDR5 高端产品线，逐步缩减旧 制程 DDR4 产能。自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至今已逾半年， 带动 DDR4 颗粒价格率先触底反弹。受原厂停产催化，内存模组成品市场交易 活跃度显著提升，内存模组现货报价持续上扬。合约价方面，除原厂退产 DDR4 世代产品以外，云厂需求支撑叠加国际形势变化增加备货，Trendforce 对于 25Q2-25Q3 DDR4 模组价格涨幅预期乐观。（2）NAND Flash：MLC/低容 TLC 停产推升 eMMC 价格，原厂减产叠加 CSP 需求高景气驱动主流 NAND 模组 逐步反弹。与 DRAM 产业 DDR4 世代逐步停产类似，存储原厂在 NAND Flash 领域亦在逐渐推进制程迭代和产品升级，MLC NAND/256Gb TLC 原厂退产在 即，wafer 价格持续拉升。在消费国补及上述低容 NAND wafer 停产影响下， 低容 eMMC 产品现货价格水涨船高。合约价方面，除低容 eMMC 等原厂规划 停产料号引发价格上涨外，由于云厂需求增长叠加原厂控产，主流 NAND Flash 亦有望逐步反弹。

企业级存储国产化大势所趋，国产厂商加速突围。全球数据中心基础设施扩建 浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进 阶，近年服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长，已成全球存储市场增长 核心引擎。（1）闪存模组：作为核心数据载体，企业级闪存模组除需满足高性 能与大容量需求外，还需符合客户对使用寿命、运行稳定性、功耗控制等维度 的严苛要求。竞争格局上，Solidigm 和三星凭借技术生态与供应链整合能力占 据主导地位；忆联、忆恒创源领跑国产品牌阵营，而大普微、浪潮、江波龙等 本土厂商正持续提升研发能力与品牌溢价，凭借强劲发展势头加速突破市场壁 垒。（2）内存模组：内存模组是计算机架构的核心组成部分之一，主要作为 CPU 与硬盘的数据中转站，用于临时存储数据，其存储和读取速度远高于硬盘。相 比于企业级闪存模组，企业级内存模组市场原厂高度垄断，独立品牌的模组厂 市场份额仍较小，目前江波龙、海普存储（香农芯创子公司）已有企业级内存 条相关产品，并实现量产销售，正在实现国产 0-1 突破。