半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期.pdf

半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期。企业级需求高增，存储价格全面上涨。（1）DRAM：服务器建置动能回暖， 25Q4 DRAM 价格涨幅预期上修。海外原厂退产 DDR4 导致 PC 领域 DDR5 渗 透率提高，服务器领域受到 CSP 建置动能回温，DDR5 产品需求持续增强，近 期 DDR5 价格稳健上扬。DDR4 主要受到原厂产能缩减影响，自 24Q4 主流存 储原厂宣布减产/转产 DDR4 至今已逾半年，随着产能调整深入演进，DDR4 颗 粒供不应求价格持续攀升。展望 25Q4，Trendforce 预计 DRAM 涨幅预期可观， 且 25 年 10 月由于供应商收到 CSP 厂商加单后明显提高调升报价的意愿， Trendforce 上调 25Q4 DRAM 价格预测，一般型 DRAM 价格预估涨幅从 8-13% 上修至 18-23%，并且很有可能再度上修。展望 26 年，由于 Server 需求维持强 劲，预期 DDR5 合约价于 2026 全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。 （2）NAND Flash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨。受人工智能 应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求的推动，闪迪于 25 年 9 月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨 10%以上。25 年 9 月以 来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货 Flash Wafer 价格强势上涨，截至 2025 年 10 月 29 日，TLC 闪存 256Gb/512Gb/1Tb 价格相比 25 年 9 月 2 日价格涨幅 16.7%/61.3%/27.0%。由于颗粒端价格持续拉升，SSD 成品 9 月起同步跟涨。 据 Trendforce 预测，由于供给优化&企业级 SSD 需求攀升，预计 25Q4 NAND 合约价有望全面上涨，平均涨幅达 5-10%。

AI 服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期。全球数据中心基础设 施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能 同步进阶，近年服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长，已成全球存储市 场增长核心引擎。（1）DRAM：低功耗内存需求日益旺盛，26 年传统 DRAM 新增产能有限。数据中心面临如何在提供海量算力的同时降低能耗的问题，因 此低功耗内存架构是数据中心必备战略要务，英伟达新一代 Grace CPU 已使 用带有纠错码的 LPDDR5X 显存来实现服务器级可靠性，同时将能效提高 5 倍。针对 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求，存储厂商亦积极拓展低功耗 内存在数据中心的应用。供给方面，HBM 是 DRAM 行业最核心的价值增长引 擎，单位元收入贡献远超传统 DRAM，且差距仍在不断扩大。因此主要原厂 26 年均聚焦 HBM 产能扩张，传统 DRAM 新增产能有限。（2）NAND:受 KV Cache 卸载&HDD 挤占影响，NAND 出货或将出现爆发式增长。为确保模型 训练的准确度，所需的数据量不断增长，且已拓展至多模态数据来源。近年 8TB/16TB 及以上中高容量 eSSD 应用占比大幅提升。且 PCIe5.0 SSD 可加速 模型部署，渗透率逐步提高。除容量和配置的升级以外，KV Cache 用于缓存 历史 token 计算结果，通过实现对重复计算过程的智能规避来提高计算效率， 一般存储于 GPU 内存中。KV Cache 容量的增长已超过 HBM 承载上限，频繁 的内存溢出可能导致推理过程出现“记忆断片”，迫使 GPU 执行重复计算，从 而引发延迟和卡顿。将 KV Cache 卸载到 DRAM、SSD 等成本更低、容量更充 裕的内存层级成为业界核心策略。此外，HDD 是数据中心冷数据的首选，承 载近 80%存储容量。由于全球主要 HDD 制造商近年未规划扩大产线，推理需 求导致 Nearline HDD 严重缺货，云厂商开始考虑使用 SSD 去补齐 HDD 缺口， 促使高效能、高成本的 SSD 逐渐成为市场焦点，特别是大容量的 QLC SSD 出 货可能于 2026 年出现爆发性增长。