半导体存储行业专题报告:存储拐点将至,新需求点亮曙光.pdf
- 上传者:十一路
- 时间:2023/05/17
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半导体存储行业专题报告:存储拐点将至,新需求点亮曙光。根据 IC Insights 的数据,2021年 DRAM 在整个存储市场的市场份额约为 56%,Flash 闪存的市场份额约为 43%, 其中 NAND 闪存为 41%,NOR 闪存为 2%,其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM)将会缓慢成长, 但大幅抢占市场的可能性较小。
2024 年 NAND 市场规模有望达 684 亿美元,随着 NAND 原厂陆续缩减资本开支,NAND 产能正在逐渐收敛, 库存去化正在进行。我们看好原厂和渠道的库存水位或在 23 年 Q2 或 Q3 见顶,NAND 价格出现弹性,2024 年 NAND 市场有望实现复苏。目前 NAND 行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC 六家公司同台竞争的格局, 2022Q3 的 CR3 达 65%,CR6 接近 95%,随着 WDC 与铠侠的合并谈判急速,我们预计未来行业集中度将进一步提 高。美光、三星和海力士都有望在 23 年将产能转进 200 层以上,Solidigm 以及铠侠/WDC 将落后一世代的制程。3D NAND 解决了 2D 结构下“闪存缩放限制”的问题,大容量、高堆叠层数的 3D NAND 将是行业未来发展趋势。
2023 年全球 DRAM 市场规模有望达 596 亿,DRAM 厂商产能增加幅度收敛,DRAM 厂商扩产计划有所延后。 数十年的大浪淘沙后,2022Q3 DRAM 市场 CR3 超过 95%,三星、海力士和美光分别占比 41%、29%和 26%。DRAM 可分为主流DRAM和利基型DRAM ,随着国外大厂逐渐推出利基市场(三星21Q4停产DDR2,预计23年停产DDR3; 海力士也计划停产 DDR3),国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV 和 3D DRAM 或成未来趋势,从三大厂商的工 艺制程上看,美光在制程上领先,三星在 EUV 的使用上领先。
2028 年 NOR Flash 市场规模有望达 61 亿美元,21-28 年 CAGR 达 14.4%,NOR Flash 十年低迷期已过,新应 用的普及打开向上成长曲线。NOR Flash 凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为 5G、TWS 蓝牙耳机、AMOLED、IOT 以及自动驾驶汽车等新应用的首选,NOR Flash 和 NAND Flash 性能和定位不 同,二者可互补而不可替代。NOR Flash 市场经历数次洗牌,海外厂商逐渐撤退,中国台湾和中国大陆厂商趁势而起, 2021 年 NOR Flash 市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据,市占率分别为 35%、33%和 23%。
我们测算得 2026 年 HBM 市场规模有望达 56.9 亿,2022-2026 年 CAGR 有望达 52%。“3D 堆叠+近存储运算” 突破内存容量与带宽瓶颈,HBM 成为处理大量数据和复杂处理要求的理想解决方案。根据 TrendForce 的数据,2022 年三大原厂 HBM 市占率分别为 SK 海力士约 50%、三星约 40%、美光约 10%,随着海力士在 HBM3 产品上的持续 领先,预计海力士市占率将继续走高。
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