2025年半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期

一、企业级需求高增，存储价格全面上涨

（一）DRAM：服务器建置动能回暖，25Q4 DRAM 价格涨幅预期上修

服务器建置动能回暖，需求拉动 DDR5 价格稳健上扬。DDR5 方面，海外原厂退出 DDR4 致 DDR4 与 DDR5 价差大幅收窄，甚至部分料号已出现倒挂情况。例如七月 PC DDR4 8GB 模组价格已超越同容量的 DDR5 模组，出现罕见的“价格倒挂”。许多 PC OEM 因 争取不到供给，只能下修 DDR4 机种的产销规划，并扩大 DDR5 机种比例。而服务器领 域受到 CSP 建置动能回温，DDR5 产品需求持续增强，预计未来各类 DDR5 需求均将进 一步走强。据 inSpectrum Tech 数据，截至 2025 年 10 月 17 日，DDR5 16Gb 2Gx8/ DDR5 16Gb 1Gx16 周度现货价格分别为 8.33/8.48 美元，较本轮底部涨幅分别达 94.2%（25.2.14） /94.9%（25.2.14）。

原厂持续推进减产/转产 DDR4，颗粒供不应求价格持续攀升。DDR4 世代内存产品至今 已问世 15 年，基于性能/功耗/容量上限/可靠性等多项优点，需求逐步由 DDR5 取代，加 上 HBM、DDR5、LPDDR5(X)等产品的利润率皆明显较高，内存市场向 DDR5 世代全面 转型已是大势所趋。在此背景下，三星和 SK 海力士均将资源重心转向 DDR5 和 LPDDR5 高端产品，旧制程 DDR4 产能逐步缩减。自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至 今已近一年，随着产能调整深入演进，存储现货市场部分 DDR 颗粒资源供应紧俏，2025 年下半年 DDR4 市场处于持续供不应求与价格强势上涨态势。根据 inSpectrum Tech 数 据，截至 2025 年 10 月 17 日，DDR4 8Gb 1Gx8/16Gb 2048Mx8 周度现货价格分别为 5.43/10.79 美元，较本轮底部涨幅分别达 296.4%（25.1.17）/298.2%（25.3.14）。

25Q4 DRAM 涨幅预期可观，供应商收到 CSP 加单提高调升报价意愿。据 TrendForce， 由于三大 DRAM 原厂持续优先分配先进制程产能给高阶 Server DRAM 和 HBM，排挤 PC、Mobile 和 Consumer 应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程 DRAM 价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。据 Trendforce9 月预测数据，预估 整体一般型 DRAM 价格将季增 8-13%，若加计 HBM 涨幅将扩大至 13-18%。25 年 10 月， 由于供应商收到 CSP 厂商加单后明显提高调升报价的意愿，Trendforce 上调 25Q4 DRAM 价格预测，一般型 DRAM 价格预估涨幅从先前的 8-13%上修至 18-23%，并且很有可能 再度上修。

26 年服务器出货量&单机容量持续提升，预计 DDR5全年延续上涨趋势。根据 Trendforce， 展望 2026 年，预估 Server 整机出货量年增幅度将扩大至 4%左右，且因各 CSP 积极导入 高效能运算架构以支援大型模型运算，Server 单机 DRAM 搭载容量将随之提高，推升整 体 DRAM 位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续。据 Trendforce 预测，由于 Server 需求维持强劲，预期 DDR5 合约价于 2026 全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显 著。

（二）NAND Flash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨

闪迪率先宣布上调闪存产品价格，现货 Flash Wafer 价格强势上涨。25 年 9 月 4 日， Sandisk 宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调 10%以上。Sandisk 表示正看到对闪存产品的强劲需求，这是受人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益 增长的存储需求的推动，因此决定对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨 10%以上。 为了确保能提供高性能闪存解决方案并支持持续的创新投资，Sandisk 目前正在对闪存产 品组合进行价格调整。25 年 9 月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货 Flash Wafer 价格强势上涨，截至2025年10月29日，TLC闪存256Gb/512Gb/1Tb价格分别为3.5/5.0/7.4 美金，相比 25 年 9 月 2 日价格涨幅 16.7%/61.3%/27.0%。拉长时间周期来看，目前 NAND 资源价格几乎已与 24 年高位持平。

由于颗粒端价格持续拉升，SSD 成品 9 月起同步跟涨。截至 2025 年 10 月 29 日，512GB PCIe 3.0/PCIe 4.0 SSD报价分别为43/46美金，相比25年9月2日价格涨幅38.71%/38.55%； 1TB PCIe 3.0/PCIe 4.0 SSD 报价分别为 71/75 美金，相比 25 年 9 月 2 日价格涨幅 29.09%/29.31%；2TB PCIe 4.0 SSD 报价 145 美金，较 9 月 2 日涨幅 33.03%。

供给优化&企业级 SSD 需求攀升，预计 25Q4 NAND 合约价有望全面上涨。供给角度来看，NAND Flash 受惠于上半年减产与优先去化库存，市场供需平衡明显改善，原厂库存 与价格压力同步缓解。需求角度来看，由于 Server OEM 及 CSP 业者上半年积极清理库 存，英伟达新一代 Blackwell 芯片于 2H25 进入放量出货阶段，叠加 HDD 供给吃紧，带 动 Enterprise SSD 需求大幅攀升，Trendforce 预计 NAND 25Q4 各类产品合约价将全面上 涨，平均涨幅达 5-10%。具体分下游市场来看，由于服务器领域新增需求显著，闪存市场 预计其涨幅将达 10%，而手机和 PC 市场在原产产能全面转向服务器的前提下也很难走 出独立行情，亦将出现 5-10%的涨幅。

服务器市场：由于 25Q4 大型云服务商对高容量 eSSD 新增需求显著，9 月以来服务 器客户加单动作频频，新增订单需求超过原厂原计划的预期供应量，CFM 预计四季 度 eSSD 涨幅将达到 10%。

手机市场：在原厂产能全面转向服务器、收紧嵌入式存储供应的市况下，CFM 预计 四季度 Mobile NAND ASP 将出现 5%~10%的涨幅。

PC 市场：由于 PC 端在此前建立了一定的消费类 cSSD 库存水位，基于库存水位且 消费端新增 PC 需求有限，cSSD 备货意愿较低，供需双方对 cSSD 价格谈判展开新 一轮拉锯战。考虑到 NAND 原厂涨价诉求较为强烈，服务器市场和嵌入式 NAND 价 格均出现涨价行情，加上 NAND Flash Wafer 成本明显上扬，PC 端 cSSD 市场很难 走出独立于大市的调整行情，CFM 预计在供需深度博弈下四季度 cSSD 价格涨幅达 5%至 10%。

二、AI 服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期

（一）云厂商资本开支高增，服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长

云厂商加速数据中心扩建，资本开支高增。据 Trendforce，随着 AI 服务器需求快速扩张， 全球大型云厂商正扩大采购英伟达 GPU 整柜式解决方案、扩建数据中心等基础建设，并 加速自研 AI ASIC，预估将带动 2025 年谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲骨文和腾讯、阿 里巴巴、百度八大 CSP 的合计资本支出突破 4200 亿美元（YoY+61.06%），约为 2023 年 与 2024 年资本支出相加的水平。26 年因来自 CSP、信创云的需求持续稳健，对 GPU、 ASIC 拉货动能将有所提升，加上 AI 推理应用蓬勃发展，Trendforce 预计全球 AI Server 出货量将年增 20%以上，占整体 Server 比重上升至 17%。

大模型复杂程度日益加深，存储配置亟待提升。典型的 AI 大模型训练和推理过程主要分 为五个阶段：数据输入、数据准备、模型训练开发、模型推理部署和归档，需要根据每个 阶段所需的存储特征来提供针对性的存储解决方案。随着模型越来越复杂，训练数据集 越来越大，AI 工作复杂将对存储的需求进一步提高。具体来看，AI 训练阶段涉及庞大的 数据集和复杂的计算，要求存储系统具备高速读写能力和超大容量。而 AI 推理阶段虽然 数据读取频率高于写入，但同样需要高效的数据访问速度来支持实时决策。

全球数据中心基建持续升温，服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长。近年来大型 云服务商适度超前投资 AI 基础设施，为未来长期发展提前部署存算力资源。服务器 NAND 和 DRAM 的应用占比持续增长，据闪存市场，服务器 NAND 应用占比有望从 2023 年的 16%提升至 2025 年的 30%，服务器 DRAM 应用占比有望从 2023 年的 32%增长至 2025 年的 36%。

NAND 方面：算力中心加速部署超高容量 eSSD 以提升性能并降低能耗，25 年服 务器 NAND 应用占比有望达 30%。据闪存市场《2024-2025 年全球存储市场趋势白 皮书》，预计 2025 年互联网企业对 PCIe5.0 eSSD 需求持续增加，32TB 及以上 QLC eSSD 在服务器市场的渗透率有望稳步提升，推动服务器存储位元需求近年来 持续大幅攀升。据 CFM 闪存市场数据，2024 年全球存储应用市场中，服务器、手 机和 PC 的 NAND 应用占比分别为 30%、31% 和 14%，而服务器 NAND 应用 占比将从 2023 年的 16% 攀升至 2025 年的 30%。

DRAM 方面：服务器 DDR5 及 HBM 需求攀升，25 年服务器 DRAM 应用占比有望 达36%。随着支持 DDR5 的 Intel EMR 与 AMD Bergamo 处理器平台渗透率提升， 叠加搭载 Nvidia Hopper/Blackwell 及 AMD MI300 等加速芯片的 AI 服务器出货 量显著增长，服务器 DDR5 及 HBM 需求实现快速攀升。据 CFM 闪存市场数据， 2024 年服务器、手机、PC 终端在 DRAM 应用中的占比分别达 34%、32% 和 14%， 其中服务器 DRAM 应用占比从 2023 年的 32% 预计将增至 2025 年的 36%。在 64GB 及以上 DDR5 与 HBM3e 12hi 出货量增长的推动下，2025 年服务器存储位 元需求同比增幅将超过 20%。

近两年来服务器存储需求增幅显著领先于各主要应用市场，存储原厂持续将新增产能与 资本支出向高性能 eSSD、DDR5 及 HBM 领域倾斜，AI 应用需求不断驱动存储技术与 产品迭代升级。据闪存市场《2024-2025 年全球存储市场趋势白皮书》，2025 年 NAND 和 DRAM 容量需求将分别增长 12%和 15%。

（二）DRAM:低功耗内存需求日益旺盛，26 年传统 DRAM 新增产能有限

1、能耗限制推升低功耗内存重要性，英伟达 Grace CPU 率先应用 LPDDR5X

数据中心建设面临能耗问题，低功耗内存架构至关重要。随着 AI 技术迅速兴起，数据 中心面临如何在提供海量算力的同时降低能耗的问题。据美光官网援引美国能源部发布 的数据中心电力需求增长的评估报告，到 2028 年预计美国数据中心和 AI 的用电量将增 加两倍，从而推动美国能源需求极速增长。为应对全球数据中心基础设施日益增长的能 源需求，先进的节能型硬件技术至关重要。通过开发和采用创新型低功耗内存架构，数 据中心可以获得显著的性能提升，同时比传统 DDR5 内存消耗更少的能源。 低功耗内存架构是数据中心必备战略要务，英伟达 Grace CPU 已采用 LPDDR5X。与 DDR5 等传统内存技术相比，低功耗内存的工作电压更低，并通过降低功耗、减少产生 的热量、优化的节能型电路设计来提高能源效率。据美光对 LPDDR5X 内存和传统 DDR5 内存进行的对比测试，LPDDR5X 内存可实现至关重要的性能提升。在使用 Meta Llama3 70B 测试推理性能时，LPDDR5X 相比于 DDR5 的推理吞吐量提高 4 倍、延迟降低近 80%、 能耗降低 73%。低功耗内存技术可同时降低用电量和运营成本，从而为数据中心带来经 济效益，已不仅仅是一种技术升级选项，而是现代数据中心必备的战略要务。英伟达新 一代 Grace CPU 使用带有纠错码 (ECC) 的 LPDDR5X 显存来实现服务器级可靠性，同 时将能效提高 5 倍，非常适合云、企业和高性能计算 (HPC) 工作负载。

针对 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求，存储厂商亦积极拓展低功耗内存在数据中 心的应用。25 年 10 月，美光正式送样业界高容量 SOCAMM2 模组，在其 25 年 3 月发 布的 LPDRAM SOCAMM 基础上实现了功能的进一步拓展，在相同的规格尺寸中实现 50% 的容量提升，增加的容量可以将实时推理工作负载中首个 token 生成时间（TTFT）显著 缩短 80% 以上。与同等能效的 RDIMM 相比，SOCAMM2 模块的能效提高了三分之二 以上，同时将其性能封装到三分之一大小的模块中，不仅优化了数据中心占地面积，还 最大限度地提高了容量和带宽。

2、HBM 单位元收入贡献远超传统 DRAM，26 年传统 DRAM 新增产能有限

HBM 单位元收入贡献远超传统 DRAM，且差距仍在不断扩大。HBM 是 DRAM 行业最 核心的价值增长引擎，单位元贡献的收入远超传统 DRAM，且 HBM 的营收占比和位元 产出占比之间的差距仍在不断扩大。2024 年，HBM 凭借 5%的位元出货量，贡献 DRAM 行业 19%的营收。而到 2026 年，预计 HBM 将以 9%的位元出货量，贡献 DRAM 行业 41%的营收。

主要原厂 26 年均聚焦 HBM 产能扩张，传统 DRAM 新增产能有限。2026 年，DRAM 领 域主要扩产集中于 HBM，整个行业的 HBM 产能占比将显著提升。各家厂商均专注于 HBM 产能的扩张，SK 海力士是 HBM 扩产最为激进的厂商，计划在 2026 年将高达三分之一的总产能用于 HBM 生产。而美光大幅提高 HBM 产能扩张，26 年规划 HBM 产能接 近翻倍。从传统 DRAM 的新增产能来看，仅三星新增 1.5 万片/月，海力士新增 5000 片/ 月，长鑫存储新增 1 万片/月，南亚科新增 7000 片/月，整体新增产能相对有限。

（三）NAND:受 KVCache 卸载&HDD 挤占影响，NAND 出货或将出现爆发式增长

1、中高容量 eSSD 应用占比大幅提升，低延迟驱动 PCIe5.0 渗透率提升

企业级 SSD 主要应用于互联网、云服务、金融和电信等客户的数据中心。在数字经济时 代，企业越来越将数据视为一项自身核心资产，对数据安全的重视程度越来越高。大量 企业将内部信息系统和业务系统实现了数字化升级，底层数据对内关乎着企业日常经营 的稳定，对外决定着信息化业务的正常运营。固态硬盘作为数据的载体，除了高性能和 大容量的需求之外，企业客户还对产品包含使用寿命、稳定可靠、功耗控制、系统兼容、 数据纠错、数据保存能力在内的多方面性能提出了严格的要求。整体来看，企业客户更 加在意产品可靠性，而闪存介质的特性在带来高速度和大容量的同时也存在相应的缺陷， 需要固态硬盘厂商通过固件技术创新进行优化，更好地满足企业客户的使用需求。

中高容量 eSSD 应用占比大幅提升，预计 25 年 8TB 及以上应用占比超 40%。在数据量 方面，为确保模型训练的准确度，所需的数据量不断增长，并且数据来源已经扩展到文 本、音频、图像、视频等多模态。近年 8TB/16TB 及以上中高容量 eSSD 应用占比大幅提 升，据 CFM 数据，2024 年服务器市场 8TB eSSD 应用占比约 21%，16TB 及以上大容量 SSD 占比约 10%，预计 2025 年 8TB 及以上容量 eSSD 份额占比将扩大至 42%，其中 8TB 占比 28%（YoY+7pct），16TB 及以上占比 14%（YoY+4pct）。 PCIe5.0 SSD 可加速模型部署，渗透率逐步提高。在 AI 大模型的训练和部署中会频繁使 用到 Checkpoint 检查点环节，以定期保存模型的中间状态，包括模型的权重、偏置、优 化器状态等等。大模型的Checkpoint通常非常大，而训练过程通常会并发多个Checkpoint， 大量的数据需要快速地从存储设备传输到内存或计算单元中，以尽快恢复程序或任务的 运行状态。在固定时间内，PCIe 5.0 SSD 能够更快地训练多个模型，从而加速 AI 模型的 部署。因此在 AI 训练场景中，更高性能低延迟的 PCle 5.0 esSD 应用得到青睐。据 CFM 数据，2024 年服务器市场中 PCe5.0SSD 市场份额约为 10%，预估 2025 年该比例有望大 幅增长至 30%。

2、KV Cache 容量增长超出 HBM 承载上限，或将卸载至 DRAM 和 SSD

历史 token 计算结果缓存可显著提高效率，KV Cache 技术应运而生。在大模型领域，随 着模型参数规模的扩大和上下文长度增加，算力消耗显著增长。以多轮对话场景为例， 随着对话轮数增加，历史 token 重算占比持续增长。因此，构建高效的历史 token 计算 结果缓存机制，理论上可以实现对重复计算过程的智能规避，从而显著提升计算资源的 利用效率，KV Cache 技术应运而生。为了避免在每个时间步为所有令牌重新计算所有这 些张量，可以将它们缓存在 GPU 内存中。每次迭代，当计算新元素时，它们都会简单地 添加到正在运行的缓存中，以便在下一次迭代中使用。

KV Cache 容量增长超出 HBM 承载上限，将其卸载至 CPU 和 SSD 成核心策略。在 LLM 推理过程中， HBM 的消耗主要来自模型权重和 KV Cache，其中 KV Cache 和序列长度 呈正相关性。以 Llama 2 7B 模型为例，一个包含 4096 个 token 序列的单次请求，其 KV Cache 将消耗约 2 GB 的 HBM，给 GPU 内存带来显著压力。KV Cache 容量的增长已超 过 HBM 承载上限，频繁的内存溢出可能导致推理过程出现“记忆断片”，迫使 GPU 执 行重复计算，从而引发延迟和卡顿。然而，并非所有 KV 缓存数据都需要始终保留在 GPU 内存中，在许多实际应用中用户可能不会与 LLM 持续交互。将 KV Cache 卸载 （offloading）到成本更低、容量更充裕的内存层级（如 CPU DRAM、SSD）成为业界核 心策略。 华为 UMC 将 KV Cache 缓存进行卸载，降低每 Token 推理成本。华为推出以 KV Cache 为中心的推理加速套件“推理记忆数据管理器”（Unified Cache Manager，简称 UMC）。 融合了多类型缓存加速算法工具，可以分级管理推理过程中产生的 KV Cache 记忆数据， 扩大推理上下文窗口，以实现高吞吐、低时延的推理体验，降低每 Token 推理成本。其 将实时对话的“极热数据”存在 HBM 中（约十 GB~百 GB 级容量），将短期记忆的“热 数据”存在 DRAM 中（约百 GB~TB 级容量），将长期记忆数据与外部知识等“热温数 据”存在 SSD 中（TB 级~PB 级容量），通过多级缓存解决 AI 推理体验与成本问题。

3、HDD 供应短缺严重，北美 CSP 逐步采用 SSD 补齐 HDD 需求缺口

HDD 是数据中心冷数据的首选，承载近 80%存储容量。现代数据中心根据不同工作负 载对性能和成本（TCO）的需求，采用分层存储策略，组合使用 SSD、HDD 和磁带等不 同存储技术来平衡不同工作负载的需求。其中 SSD 性能最强但成本也最高，磁带提供最 低成本但性能最差；HDD 则在二者之间取得了平衡。在目前数据中心建设中，HDD 是 “冷数据”的首选，承载了近 80%的存储容量。

推理需求导致 Nearline HDD 严重缺货，Trendforce 预计 26 年 SSD 出货有望趁势爆发。 AI 创造的庞大数据量正冲击全球数据中心存储设施，随着 AI 推理应用扩张，冷数据储 存需求也急速攀升，传统作为海量数据存储基石的 Nearline HDD（近线硬盘）已出现供 应短缺。据 Trendforce，由于全球主要 HDD 制造商近年未规划扩大产线，无法及时满足 AI 刺激的突发性、巨量储存需求。目前 NL HDD 交期已从原本的数周，急剧延长为 52 周以上，加速扩大 CSP 的储存缺口。北美 CSP 早已规划于温数据应用扩大采用 SSD，但因为这波 HDD 缺口严峻，CSP 甚至开始考虑于冷数据采用 SSD，促使高效能、高成本的 SSD 逐渐成为市场焦点，特别是大容量的 QLC SSD 出货可能于 2026 年出现爆发性增长。

三、重点公司分析

1、江波龙：企业级业务实现放量增长，整合 Zilia 构建海外增长极

聚焦存储业务，提供多下游存储解决方案。江波龙聚焦于存储产品和应用，形成了存储 芯片设计、主控芯片设计及固件算法开发、封装测试，以及生产制造等核心能力，为市场 提供消费级、车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。公司拥有行业 类存储品牌 FORESEE、海外行业类存储品牌 Zilia 和国际高端消费类存储品牌 Lexar （雷克沙），产品广泛应用于主流消费类智能移动终端（如智能手机、可穿戴设备、PC 等）、 数据中心、汽车电子、物联网、安防监控、工业控制等领域，以及个人消费类存储市场。 已与多个国产 CPU 平台完成兼容性适配，企业级业务实现放量增长。近年公司企业级存 储业务规模增长明显，25 年上半年企业级存储业务收入达 6.93 亿元（YoY+138.66%）。 公司已经推出多款高速 eSSD 产品，覆盖 480GB 至 7.68TB 的主流容量范围，支持 1DWPD（每日整盘写入次数）和 3DWPD 的高耐用性选项，产品外形涵盖 2.5 英寸到 M.2 的多种规格，构成了全面的企业级产品组合。公司的 PCIe SSD 与 SATA SSD 两大 产品系列已成功完成与鲲鹏、海光、龙芯、飞腾、兆芯、申威多个国产 CPU 平台服务器 的兼容性适配，为在主流平台上的广泛应用提供了坚实的技术基础。截至 25 年上半年， 公司企业级产品已导入头部互联网企业的供应链体系中，并持续深化与多个领域知名客 户的合作，将为公司业绩提升带来积极作用。

Zilia 顺利整合，构建海外增长极。公司巴西控股子公司 Zilia 整合收到明显成效，2025 年上半年 Zilia 实现销售收入 13.88 亿元（YoY+ 40.01%）。Zilia 作为巴西头部存储器厂 商，已构建了完善的海外供应链体系，与半导体存储全球头部客户、半导体存储原厂建 立了长期合作关系，在巴西与南美市场拥有深厚影响力。公司通过整合自身技术和测试 能力，与 Zilia 领先的封装测试制造能力结合，构建了全球化与国内产能并重、自主产能 与委外产能并行的制造格局，打造能够应对新时代国际环境变化的弹性供应链及业务体 系。在公司技术、品牌与资源加持下，Zilia 拓展了 SSD、UFS、DDR5 等领域的中高端 产品方案，不断提升其业务价值量。基于江波龙全球影响力，Zilia 持续开拓海外头部厂 商，并深化海外头部客户合作关系。

2、德明利：企业级 SSD 部分产品开始送样，消费级内存已实现量产出货

深耕“聚焦存储”战略，构筑多样化产品线并推行差异化策略。在“聚焦存储”战略指 导下，德明利不断完善存储产品矩阵，拓展产品应用领域与应用场景，目前已经形成了 包括固态硬盘、嵌入式存储、内存条和移动存储在内多条存储产品线。在消费级市场，公司通过自研主控、自建测试与生产线，形成具有较高性价比的标准化移动存储、固态硬 盘、内存条等存储产品；在商规级、工规级、车规级与企业级应用领域，公司聚焦场景需 求，灵活、高效调整主控与固件方案，为客户提供高品质、定制化的存储解决方案。 AI 浪潮大势所趋，企业级 SSD 部分产品已给云服务企业送样。AI 浪潮下，公司正加快 向高容量、高性能固态硬盘产品拓展，重点聚焦于 QLC NAND 应用与企业级 SSD 两 大方向。针对 QLC NAND，公司前瞻性地布局相关关键技术，包括针对 QLC NAND 介 质特性开发的新一代纠错算法、压缩技术、低功耗设计等，目前公司已经具备了成熟的 QLC NAND 商业应用能力，并已经实现量产销售。企业级 SSD 方面，公司正在加快推 进产品研发与客户验证工作，截至 2024 年末已给多家云服务企业进行送样，部分产品已 顺利通过客户验证并成功导入。 消费级内存已实现量产出货，加快送样及验证工作。公司目前已经组建了内存条产品线 相关团队，并规划了覆盖 DDR3、DDR4 及 DDR5 系列规格，主要类型分为 LPCAMM2、 CAMM2、RDIMM、SODIMM 和 UDIMM 等。为快速实现高质量产品的批量交付，公 司内存业务与研发团队在高效完成产品设计与方案开发的同时，着手研发并部署了内存 产品测试设备，保障产品可靠性与兼容性，依托现有客户资源实现市场快速突破。在企 业级存储领域，公司企业级 RDIMM 业务同样取得重要突破，截至 25Q2 已成功导入核 心客户体系，实现稳定批量出货，凭借高可靠性与性能优势，为客户数据中心建设提供 了关键存储支持。公司内存产品线已经依托自主研发的固件算法优化与硬件协同设计能 力，形成从芯片选型到终端适配的全栈技术闭环，未来将持续拓展 LPCAMM2 等新品， 强化存储性能与服务质量（QoS）保障。

3、香农芯创：“分销+产品”共驱发展，子公司海普存储发力企业级存储

“芯片分销+自研产品”互为表里，一体两翼共驱发展。香农芯创前身聚隆科技成立于 1998 年，早期专注于洗衣机减速离合器等家电核心零部件，2019 年基石资本完成对聚隆 科技的要约收购，后公司于 2020 年开展一系列针对半导体行业的股权投资业务。2021 年， 公司完成对联合创泰 100%股权的重大资产收购事项，主营业务由洗衣机减速离合器的生 产、研发、销售变更为电子元器件分销，同年更名为“香农芯创”。2023 年，香农芯创联 合 SK 海力士、大普微电子等合作方设立控股子公司深圳海普存储，定位企业级存储。自 此，香农芯创形成“分销+产品”一体两翼的发展格局。 兼具授权品牌优势&客户资源优势，分销业务竞争优势显著。原厂的授权是代理商在市 场上稳健发展的基石，经过多年的潜心合作发展，公司已积累了众多优质的原厂授权资 质，先后取得全球全产业存储器供应商之一的 SK 海力士、全球著名主控芯片品牌 MTK 的代理权以及 AMD 的经销商资质，形成了原厂线优势。公司结合原厂产品的性能以及 下游客户终端产品的功能需求，积极开拓各大下游市场，产品广泛应用于云计算存储（数 据中心服务器）、手机等领域。目前客户主要系阿里巴巴、中霸公司、华勤通讯等互联网 云服务商和国内大型 ODM 企业，实现了对该等领域一流厂商的覆盖，具备领先的客户 优势。在存储芯片领域，公司已实现对中国核心互联网企业的覆盖，后期产品线将陆续 向其他领域辐射。

“分销+产品”协同驱动发展，海普存储企业级模组产品进展顺利。香农芯创在高端存储 领域历经多年耕耘，现已形成“分销+产品”一体两翼的发展格局。分销业务端，公司已 具备数据存储器、控制芯片、模组等电子元器件产品提供能力，产品广泛应用于云计算 存储（数据中心服务器）等领域。在存储产品以外，香农芯创全资子公司联合创泰于 24 年 5 月公告收到 AMD 签署的《AMD 经销商确认函》，扩大分销业务经营范围。产品业务端，企业级内存模组市场原厂高度垄断，独立品牌的模组厂市场份额仍较小，香农芯 创联合海力士、大普微联合设立海普存储发力企业级 SSD 和 RDIMM 产品。海普存储建 设、开发进展顺利，以深度服务国家大数据产业为出发点，围绕国产化、定制化路线，已 完成企业级 DDR4、DDR5、Gen4 eSSD 的研发、试产，产品性能优异，用于云计算存储 （数据中心服务器）等领域。目前已完成部分国内主要的服务器平台的认证和适配工作 并正式进入产品量产阶段。25 年 8 月，香农芯创公告拟与无锡灵境云共同发起设立无锡 新威智算科技有限公司。合资公司设立完成后，将有利于公司充分发挥“分销+产品”优 势，参与产业链深度合作，拓宽产品销售渠道并提升综合竞争力。

4、兆易创新：国产存储器 IC 设计龙头，积极布局定制化新兴赛道

具有全球影响力的存储器设计公司。兆易创新成立于 2005 年，深耕专用型存储芯片行业 二十年，MCU 领域十四年，成为了中国内地专用型存储芯片和 MCU 领先企业，打造了 具有全球影响力的专用型存储芯片和 MCU 品牌。根据弗若斯特沙利文报告，以 2024 年 销售额计，公司是多个领域的市场领导者，全球唯一一家在 NOR Flash、SLC NAND Flash、 利基型 DRAM 和 MCU 领域排名均全球前十的 IC 设计公司。具体而言 NOR Flash 全球 第二、中国内地第一；SLC NAND Flash 全球第六、中国内地第一；利基型 DRAM 全球 第七、中国内地第二；MCU 全球第八、中国内地第一；指纹传感器芯片中国内地第二。 大厂减产带来利基型 DRAM 份额空间，定制化存储先发优势显著。利基型 DRAM 产品 方面，随着海外大厂加快淡出利基型 DRAM 市场，市场呈现供不应求的局面，25 年前三 季度公司利基型 DRAM 产品量价齐升，毛利率季度环比改善明显。随着占大部分份额的 厂商逐渐减产甚至停产，将给其他供应商带来多倍增长空间。此外，公司积极推进下一 代工艺制程的产品开发和导入，随着明年新制程的产品实现量产，产能有望进一步打开， 从而在利基型 DRAM 市场提升市场份额。定制化存储方面，公司控股子公司青耘科技开 展的定制化存储业务正有序推进中，在 AI 手机、AI PC、汽车、机器人等若干领域的客 户拓展进展顺利。公司在定制化存储领域拥有显著先发优势，同时与战略供应商拥有长 期良好稳定的合作关系，带来产能保障和制程优势。

5、佰维存储：构建 AI 端侧存储综合竞争力，智能穿戴存储收入同比高增

深耕存储主业，积极拓展国内外一线客户。公司产品在国内存储厂商中市场份额位居前 列，并已进入各细分领域国内外一线客户供应体系，营收保持高速增长。在手机领域，公 司嵌入式存储产品已进入 OPPO、传音控股、摩托罗拉、HMD、ZTE、TCL 等知名客户； 在 PC 领域，公司 SSD 产品目前已经进入联想、Acer、HP、同方等国内外知名 PC 厂商； 在国产 PC 领域，公司是 SSD 产品的主力供应商，占据优势份额；在智能穿戴领域，公 司产品已进入 Meta、Rokid、雷鸟创新等国内外知名 AI/AR 眼镜厂商，Google、小天才、 小米等国内外知名智能穿戴厂商的供应链体系；在企业级领域，公司企业级产品已通过 中国移动 AVAP 测试、20 余家 CPU 平台和 OEM 厂商的互认证测试，与国内多家平台厂 家建立合作关系，并已通过多家互联网厂商的审厂，为后续企业级业务发展打下基础； 在车规领域，公司产品已在国内头部车企及 Tier1 客户量产。 积极布局 AI 端侧，构建 AI 端侧存储综合竞争力。公司在 AI 端侧领域的产品线布局以 高性能存储技术为核心，通过自研主控芯片、固件算法与先进封测能力实现差异化竞争， 覆盖 AI 手机、AIPC、AI 眼镜、具身智能等多场景。在产品方面，公司面向 AI 手机已推 出 UFS、LPDDR5/5X、uMCP 等嵌入式存储产品，并已量产 12GB、16GB 等大容量 LPDDR5X 产品。在 PC 领域，公司面向 AIPC 已推出高端 DDR5 超频内存条、PCIe5.0SSD等高性能存储产品。在智能可穿戴领域，公司 ePOP 系列产品目前已被 Google、Meta、 小米、小天才、Rokid、雷鸟创新等知名企业应用于其智能手表、智能眼镜等智能穿戴设 备上，其中，公司为 Ray-BanMeta 提供 ROM+RAM 存储器芯片，是国内的主力供应商。 2024 年，公司智能穿戴存储产品收入约 8 亿元，同比大幅增长。2025 年，随着 AI 眼镜 的放量，公司与 Meta 等重点客户的合作不断深入，公司预计将推动智能穿戴存储业务的 持续增长。

6、聚辰股份：DDR5 加速渗透驱动 SPD 增长，汽车 EEPROM 打开成长空间

DDR5 内存模组渗透率加速提升，SPD 先发卡位把握创新发展机遇。公司自 DDR2 世代 起即研发并销售配套 DDR2/3/4 内存模组的系列 SPD 产品，为业内少数拥有完整 SPD 产 品组合和技术储备的企业。针对最新的 DDR5 内存技术，公司与澜起科技合作开发了配 套新一代 DDR5 内存模组的 SPD 产品，主要应用于个人电脑及服务器领域，并已在行业 主要内存模组厂商中取得大规模应用。随着 DDR5 内存模组渗透率的持续提升，以及下 游内存模组厂商库存水位的改善，公司配套 DDR5 内存模组的 SPD 产品的销量持续增 长，成为公司业绩增长的重要驱动力。 国内唯一成熟&系列化汽车 EEPROM 供应商，汽车 EEPROM+Nor 组合优势显著。聚 辰股份是国内唯一可以提供成熟、系列化汽车级 EEPROM 芯片的供应商，25 年汽车级 EEPROM 成功导入多家全球领先的汽车电子 Tier1 供应商，市场份额快速提升，产品的 销量和收入较上年同期实现高速增长。此外，公司基于在汽车电子市场的客户资源优势， 顺应下游客户同时提出的汽车级 EEPROM 芯片和汽车级 NOR Flash 芯片需求，通过提供 组合产品及解决方案等方式，汽车级 NORFlash 芯片亦成功搭载在多款主流品牌汽车中 导入市场，汽车电子业务国产替代空间广阔。

7、联芸科技：国产 SSD 主控芯片领先厂商，全系布局日臻完善

全球领先的独立主控芯片厂商，业绩稳步增长。公司自成立以来一直专注于数据存储主 控芯片的研发及产业化，已发展成为全球出货量排名前列的独立固态硬盘主控芯片厂商， 是全球为数不多掌握数据存储主控芯片核心技术的企业之一。公司先后实现 SATA、PCIe 接口固态硬盘主控芯片及关键核心技术的突破，产品覆盖消费级、工业级及企业级固态 硬盘等应用领域。2024 年，公司的数据存储主控芯片营收 9.20 亿元，同比增长 25.42%， 市场影响力进一步增强。 客户广泛优质，产品布局全面。在消费级零售 SSD 应用领域，除部分 NAND 原厂品牌 SSD 尚未打入外，全球大部分 SSD 品牌均有采用公司 SSD 主控芯片及解决方案；在 消费级 PC-OEM 前装 SSD 应用领域，公司消费级 SSD 主控芯片已广泛应用于众多品 牌 PC 电脑中；在企业级 SSD 应用领域，公司 SATA 主控芯片已在众多服务器厂商中 获得规模商用。公司嵌入式存储主控芯片下游客户和终端用户高度一致，现有 SSD 合作 伙伴将是嵌入式存储主控芯片的重要资源。公司未来会继续夯实此领域的技术、不断创 新，随着主控接口速度和 NAND 闪存颗粒的演进，持续推出新一代有竞争力的产品。同 时，公司正将固态硬盘主控芯片在功耗、性能、颗粒适配性和可靠性等方面独特的技术 和架构用于嵌入式存储主控芯片，开发系列 UFS/eMMC 产品，为手机、AIoT 和车载等 嵌入式领域提供有竞争力的产品，从而构建起全系列固态存储主控芯片。

8、北京君正：车规存储领先企业，积极布局 3D DRAM 领域

车规存储领先企业，产品矩阵丰富&客户资源优质。北京君正成立于 2005 年，起家于MPU 和智能视频芯片，2020 年公司通过收购 ISSI 成功进入车载存储行业，打开公司第 二成长曲线。公司旗下存储主体北京矽成（ISSI）深耕车载存储二十余载，产品矩阵丰富， 料号充沛，广泛应用于包括电子仪表盘、智能驾驶 ADAS、本地地图、车载娱乐、通信系 统在内的众多车内场景，目前在汽车领域的终端客户覆盖了大陆集团、法雷奥、Delphi、 博世等全球知名汽车一级供应商。 AI 带动高带宽内存需求，公司积极布局 3D DRAM 领域。在算力芯片性能不断提升，大 语言模型的参数规模迅速增长的情况下，AI 技术在智能手机、PC、服务器、汽车等各个 领域的应用不断拓展，当前 AI 模型和高性能计算对 DRAM 的带宽需求正以每年倍数级 的速度增长，3D DRAM 等新型存储芯片可有效满足 AI 芯片与高性能计算芯片对 DRAM 高带宽、大容量的需求，市场对包括 3D DRAM 在内的 AI 存储芯片的需求呈现出快速增 长的态势。公司拥有深厚的 DRAM 设计经验和丰富的产业资源，具有发展 3D DRAM 产 品的基础。公司积极布局面向 AI 应用领域的 3D DRAM 产品，积极跟进 AI 存储市场的 需求，努力抓住新兴市场机会。

9、普冉股份：NOR Flash 后起之秀，发力车规广阔市场

公司是国内非易失性存储器芯片领先企业。目前主要产品包括：NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、MCU 以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型 芯片，公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借其低功耗、高可靠性的产品 优势，在下游客户处积累了良好的品牌认可度，成为了国内 NOR Flash 和 EEPROM 的 主要供应商之一。2024 年，公司实现存储系列芯片营业收入 14.17 亿元，同比上升 40.10%， 毛利率 34.61%，同比上升 10.62 个百分点，出货量 67.72 亿颗，同比上升 33.09%。公司 持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入，产品应用 领域涵盖消费、工控、光伏及车载，增强了在全球市场的影响力。 修复节奏放缓导致存储短期承压，EEPROM 应用持续拓展。25H1 公司存储系列芯片实 现营收 6.73 亿元（YoY-6.98%），毛利率 31.82%，同比下降约 3pct。NOR Flash 产品线方 面，公司 SONOS Nor Flash产品主流工艺节点为 40nm，具有显著成本优势以及体积优势。 公司 SONOS 工艺的第三代 40E 平台 4Mbit~16Mbit 小容量系列已经顺利量产， 32Mbit~64Mbit 容量系列计划于今年年底量产，该平台系列产品将继续为公司保持行业领 先的成本优势。公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、中小容 量为辅的系列产品，目前 55nm 及 50nm 制程实现了 4Mbit~1Gbit 全容量系列产品量产出 货，有望实现在大容量市场的快速导入。EEPROM 产品线方面，公司持续推进产品在工 控和车载领域的应用，工控应用占比提升同时对稳定毛利率起到一定作用。公司车载产 品完成 AEC-Q100 Grade1 标准全面考核，车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实 现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比持续提高。此外，公司 2Mbit 超大 容量 EEPROM 系列产品已批量用于高速宽带通信和数据中心，SPD 产品也正在推进客户 验证流程。 “存储+”产品高速发展，与存储产品有效协同。25H1 公司“存储+”系列芯片实现营收 2.33 亿元（YoY+35.62%），毛利率 28.69%（YoY-0.55pct）。针对 MCU 产品，25H1 公司 基于 ARM 内核研发了主要应用于消费电子领域的超低功耗型 M0+ MCU 产品、应用于 电动工具等领域的电机专用型 M0+MCU，M4 MCU 产品已有 11 颗料号量产出货。针对 VCM Driver，公司内置非易失存储器的 PE 系列音圈马达驱动芯片（二合一）多颗产品以 及第三代 VOIS 芯片实现量产，有望与 EEPROM 实现协同效应增强摄像头模组领域竞争 力。

10、东芯股份：本土 SLC NAND 领先企业，构建“存、算、联”技术生态

深化存储技术布局，持续丰富产品矩阵。东芯股份于 2014 年成立，主营业务为中小容量 通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、 DRAM 等存储芯片完整解决方案，并能为优质客户提供芯片定制开发服务的公司。2024 年，持续实施产品更新迭代策略，“1xnm 闪存产品研发及产业化项目”已进入风险量产 阶段。2xnm 制程持续进行 SLC NAND Flash 产品系列的研发迭代，不断扩充产品料号； 公司基于 48nm、55nm 制程，持续进行 64Mb-2Gb 的中高容量 NOR Flash 产品研发工作； 公司在已量产的 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM 等产品基础上，持续进行新产 品的研发，此外设计研发的 LPDDR4x 产品已进入量产阶段。 构建“存、算、联”技术生态，培育第二增长曲线。在联接芯片领域，公司于 2024 年内 设立子公司亿芯通感，开展 Wi-Fi7 无线通信芯片的研发设计。首款无线透传芯片聚焦高 带宽、低时延场景，可满足智能终端等领域对高速连接的需求，通过差异化创新为消费 类企业客户提供本土化的智能无线通信与感知的芯片及解决方案。在计算芯片领域，公 司于 2024 年通过自有资金 2 亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能 GPU 赛道。上 海砺算坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和 AI 加速，对标主流 GPU 架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整 GPU 架构自主可控的关键问题。其 自主研发的首代图形处理芯片 G100 基于自研架构，可支持主流 3A 游戏运行。G100 芯 片产品已于 2025 年初进行流片，目前封装回片后已成功点亮。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）