2024年普冉股份研究报告；存储业务高速增长，“MCU+模拟”打开成长空间

1 大力投入研发拐点已至，“存储+”战略打开长期成长空间

1.1 深耕非易失性存储芯片，“存储+”战略拓展业务布局

普冉股份前身无锡普雅于 2012 年成立，2016 年普冉半导体（上海）有限公司成 立，并于 2021 年上市。公司致力于非易失性存储器芯片的研发和创新，逐步构 建以 NOR Flash 和 EEPROM 为核心的产品矩阵。公司在非易失性存储器芯片领域 深耕多年，产品以低功耗、高可靠性为特点，在客户中建立了良好的品牌声誉， 并成为国内主要供应商之一。同时，通过实施“存储+”战略，公司积极拓展微控 制器和模拟芯片领域，利用在存储领域的技术积累和平台资源，向更高附加值市 场和多元化市场进行拓展。

公司主要产品包括 NOR Flash 和 EEPROM 两大类存储芯片、微控制器以及模拟产 品，广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴 设备和物联网等多个领域。 1) NOR Flash：公司 NOR Flash 产品针对不同存储需求，在多个领域内发挥关键 作用，包括低功耗蓝牙模块、TWS 蓝牙耳机、手机触控与指纹识别技术、TDDI 触 屏系统、AMOLED 显示屏、可穿戴设备以及车载导航和安全系统等。 2) EEPROM：广泛应用于摄像头模组（涵盖智能手机、笔记本电脑、新能源及传统 汽车、三维成像技术）、智能仪器、工业控制系统、汽车电子、网络通讯和家用电 器等。 3) MCU：微控制器芯片以 ARM Cortex-M 系列 32 位通用 MCU 为主，其应用领域涵 盖智能家居、可穿戴设备、物联网、计算机网络、玩具、安防系统以及工业控制 和车载电子等。4) 模拟产品：基于在存储、模拟和传感器技术方面的深厚积累，公司持续开发应 用于光学防抖的音圈马达驱动芯片，包含独立型和存储集成型两类开环马达驱动 解决方案，主要应用于手机及其他设备的摄像头模组。

1.2 股权结构稳定，股权激励提升整体凝聚力

股权结构稳定集中。创始人及实控人王楠先生与李兆桂先生持股比例较高，并已 签署一致行动协议。王楠先生担任董事长职务，直接持有公司 18.74%的股份，通 过员工持股平台间接持有公司股份 3.98%；李兆桂先生直接持有 4.86%的股份， 并通过员工持股平台间接持有股份 1.27%，该平台持股比例为 18.37%。王楠先生 和李兆桂先生合计持有公司 28.85%的股权。

管理团队产业背景丰富。创始团队及技术骨干曾在 NEC、华虹 NEC、中芯国际、 Integrated Device Technology, Inc. （ IDT ）、 旺 宏 、 Silicon Storage Technology, Inc.、SONY、瑞萨等国际知名企业积累了丰富的研发和管理经验。 核心技术人员平均拥有超过十五年的行业工作经验，背景涵盖 IDM、Foundry 和 Fabless 等领域。公司不仅重视团队的专业能力培养，而且在新研发领域积极引 进行业精英，为产品持续升级和业务拓展提供坚实的人才支撑。

多次股权激励，提升团队核心凝聚力。普冉股份上市以来采取了积极的股权激励 措施，目的在于提升团队的工作热情和创新能力，以实现公司长远发展的战略目 标。股权激励计划旨在奖励对公司发展做出重大贡献的员工，明确排除独立董事、 监事、单独或合计持有公司 5%以上股份的股东或实际控制人及其直系亲属，以及 外籍员工，确保激励计划的合理性和普适性。

2024 年 3 月 13 日公司发布 2024 年限制性股票激励计划草案。本激励计划首次 授予限制性股票的授予价格为 46.32 元/股。激励计划拟授予激励对象的限制性 股票数量为 45.75 万股，约占本激励计划草案公布日公司股本总额的 0.61%。其 中，首次授予限制性股票 36.60 万股，约占本激励计划草案公布日公司股本总额 的 0.49%，占本激励计划拟授予限制性股票总数的 80.00%；预留 9.15 万股，约 占本激励计划草案公布日公司股本的 0.12%，占本激励计划拟授予限制性股票总 数的 20.00%。 股权激励彰显长期发展信心。根据公司公告，以 2023 年公司 11.27 亿营收作为 基 数 测 算 ， 预 计 2024/2025/2026/2027 年 公 司 营 收 目 标 值 分 别 为 16.3/19.2/24.8/29.3 亿元，对应同比增速分别为 45%/17.2%/29.4%/18.2%。

1.3 新品放量叠加需求复苏，全年高增可期

去库存成效显著叠加新品放量，业绩持续高增。2022 年半导体行业景气度下行， 公司库存水位持续高增，因降价去库存导致 22 年营收同比下滑 16.15%，营收由 2021 年的 11.03 亿元下降至 2022 年的 9.25 亿元。进入 2023 年伴随库存充分去 化以及公司新品陆续放量，公司出货量不断增长，市场份额持续提升。2023 年公 司实现营收 11.27 亿元，同比增长 21.87%。24Q1 公司实现营收 4.05 亿元，同比 +98.52%，环比+12.5%，为自 22Q4 以来连续第 5 个季度环比增长。24Q1 营收增长 的主要因素为下游消费类产品需求回暖。根据公司 6 月 19 日公告，24 年 4 月至5 月实现营收约 3.38 亿元，同比增长约 131%，同时在手订单 1.7 亿元左右，经 营持续向好。

去库存成效显著叠加需求复苏，23Q4 利润端大幅扭亏。2021 年，全球半导体行 业景气度较高，下游应用需求旺盛。公司生产的通用型存储芯片在消费电子、物 联网和工业控制等多个下游细分应用领域均实现了经营业绩的高速增长，同时 NOR Flash 及 EEPROM 产品毛利率均有显著上行，公司实现归母净利润 2.91 亿。 2022 年半导体行业步入下行周期叠加公司加大研发投入及市场开拓，公司利润端 显著承压，全年实现净利润 0.83 亿元。2023 年公司实现归母净利润-0.48 亿元， 主因前三季度需求疲弱导致的产品量价承压所致。23Q4 伴随消费类产品需求复 苏，同时前期产品导入和市场开拓取得显著成效，公司归母净利润于 23Q4 实现 大幅扭亏。24Q1 公司产品持续放量，营收大幅增长规模效应显现，利润持续释放， 24Q1 实现扣非归母净利润 0.62 亿元，同比大幅扭亏，环比+34.8%。

利润率有望持续上行。公司毛利率自 2021 年达到高峰之后，因行业需求下滑竞 争加剧导致毛利率有所下滑，2023 年公司毛利率为 24.29%，24Q1 公司毛利率继 续增长至 31.8%，净利率 12.33%，同环比均有显著修复。预计伴随下游需求持续复苏以及公司新品放量，公司利润率有望迎来持续上行。近三年因公司业务及产 品规模不断扩张，销售及管理费用稳中有升，24Q1 公司规模效应显现，各项费用 率有所降低，其中销售费用率和管理费用率约为 3.0%，财务费用率约为-1.7%。

持续加大研发投入。公司持续加强技术创新和产品布局，尤其是在“存储+”战略 领域，公司保持了充足的研发支出，持续推进产品迭代和性能升级，市场竞争力 不断加强。23 年公司研发费用达 1.91 亿元，同比增长 28.2%。24Q1 研发费用为 0.51 亿元，同比增长 8.5%。

2 存储：SONOS 工艺带来成本性能优势，高容量产品带动新增长

2.1 NOR Flash 物联网时代不可或缺，大厂退出格局优化

NOR Flash 是非易失闪存技术之一，具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP） 等特点。电子产品必须配置中小容量代码存储器，以满足指令执行、系统数据交 换等功能。NOR Flash 对比其他存储产品具备显著的性能、功耗和成本优势，是 电子产品中不可或缺的重要元器件，当前广泛应用于蓝牙模块、TDDI 触控芯片、 AMOLED 手机屏幕等消费电子产品领域和汽车电子、安防、可穿戴设备、物联网设 备等其他领域。 NOR Flash 对比 Nand Flash，并联结构决定其应用场景。从 NOR FLASH 的结构原 理图中可见每个 Bit Line 下的存储单元是并联的。一方面，存储单元的并联结 构决定了 NOR FLASH 具有存储单元可独立寻址且读取效率高的特性；另一方面， 并联结构决定了 NOR Flash 金属导线占用很大面积，因此 NOR FLASH 的存储密度 较低，无法适用于需要大容量存储的应用场合。以上特性决定了 NOR Flash 更适 用于 code-storage，不适用于 data-storage。而 Nand Flash 基于串联结构，特 性则与 NOR Flash 相反。

物联网需求涌现驱动 NOR Flash 市场规模稳步增长。NOR Flash 市场规模在 2006 年之后伴随功能手机的出货下滑持续萎缩，至 2016 年全球 NOR Flash 市场规模 为 18.6 亿美元。但 2016 年之后物联网及可穿戴等需求不断涌现，重新带动 NOR Flash 市场规模的增长，2022 年全球 NOR Flash 市场约为 35 亿美元。我们预计 伴随在可穿戴、汽车电子、医疗工控等领域的需求持续增长，未来 NOR Flash 市 场规模仍将持续稳定增长。

NOR Flash 竞争格局：大厂退出格局优化。全球 NOR Flash 市场经历过较长时间 的下行，NOR Flash 供应商巨头美光和 Cypress 于 2016 年和 2017 年先后宣布逐 步退出中低容量的消费品、PC 市场，将主要精力投入车规和工控用高容量产品， 华邦电、旺宏和兆易创新的份额逐步上升。当前 NOR Flash 市场主要由华邦电、 旺宏、兆易创新三家占主导地位，2021 年三家合计市场份额达 90.7%。中国大陆 以普冉股份、东芯股份等为代表的后进厂商一方面持续拓展市场份额，同时也积 极拓展产品线，逐步向中大容量产品发力。

2.2 低功耗 NOR Flash 成各家必争之地，普冉 SONOS 工艺优势显著

面对可穿戴设备、健康监测等物联网应用对低功耗的严格要求，NOR Flash 的工 作电压正由传统的 3.3V 向更低的 1.8V 乃至 1.2V 转变，以实现更低的运行功耗 和延长电池寿命。随着先进工艺制造技术的应用，部分主控芯片的工作电压已经 降至 1.2V 水平，显著降低了产品的运行与待机功耗。当前，众多厂商已推出支 持 1.2V 工作电压的 NOR Flash 产品，以满足日益严苛的市场需求。

NOR Flash 主要分为 ETOX（浮栅技术）和基于 SONOS 结构的 MirrorBit 技术两大 体系。

1）ETOX 技术：利用浮栅场效应管作为基本存储单元，通过源极、漏极、控制栅 和浮置栅四个端电极实现数据存储。数据的写入和擦除操作是通过向浮栅中注入 或抽出电子来完成，利用浮栅是否存储电荷来区分数字“0”和“1”。 2）SONOS 技术：由赛普拉斯于 2001 年提出，采用氧化物-氮化物-氧化物（ONO） 结构，以硅氮化物作为电荷存储层，该结构通过在氮化层中捕获电荷实现存储。

SONOS 具有低电压低成本等多重优势，普冉为国内最先布局 SONOS 的厂商。SONOS 电荷存储层为绝缘体，对隧道氧化层缺陷具有较低敏感度，能够提升数据保存稳 定性。此外，由于 SONOS 电荷捕获机制能够简化制造工艺，具备良好成本效益。 伴随 MirrorBit 技术发展，SONOS 可以实现单个存储单元存储 4 比特信息，存储 密度得到增加。在国内 NOR Flash 市场，东芯股份、恒烁股份、兆易创新等企业 均采用开源的 ETOX 技术。普冉股份是国内首家采用 SONOS 工艺的企业，于 2016 年与赛普拉斯签订技术授权协议，并于 2017 年推出首款 SONOS 产品。 自 NOR Flash 1986 年 1.5 微米制程发展至今，NOR Flash 向 45nm 制程的微缩接 近成本与技术的边界，而国内众多厂商的制程技术仍停留在 50nm 以上。普冉股 份凭借 SONOS 工艺，已于 2020 年跨越 45nm 门槛，推出功耗更低的 40nm 产品， 目前成功量产 4Mbit 至 128Mbit 的全系列 40nm NOR Flash。该技术在降低制造 成本的同时，还具有功耗与电压性能上的优势，满足了市场对高性价比及低功耗 产品的需求。特别是在功耗敏感领域，如可穿戴设备，普冉股份的 40nm 产品可 有效减小电池体积并降低系统成本，为客户带来更高性价比的产品方案。

普冉深耕低功耗中小容量 NOR Flash 市场，推出业界首款 1.1V SONOS 工艺产品。 2023 年 4 月普冉股份推出超低电压超低功耗 GS N 系列 1.1 V NOR Flash 产品， 该系列产品功耗相比公司 2020 年推出的 40nm 1.8V NOR 产品降低了 38%。在同 一频率下，其四线读取模式的功耗更实现了 60%的降幅，显著延长终端设备使用 时长。P25Q325N 在读取功耗上仅为 2.86mW，相比业界同等 1.1V 产品功耗减半甚 至更低。P25Q325N 同时支持高速读取，能达到 416Mbps 的 STR 和 640Mbps 的 DTR 速率。产品在封装技术方面也提供 SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8 及 WLCSP 等多 种形式。GS N 系列自 2022 年底开发完毕，现已覆盖 16Mb 至 64Mb 的容量范围， 且于 23Q1 开始交付产品，未来计划扩展至 4Mb 至 128Mb 容量。

大容量 NOR Flash 产品带动存储业务新增长。近些年随着可穿戴及边缘端设备应 用功能的日趋复杂，其对 NOR Flash 的容量要求越来越高，NOR Flash 一定程度 上呈现出向中高容量发展的趋势，对应产品难度及价值量也有显著提升。大容量 产品市场格局相对更优，主要由华邦电、旺宏、兆易创新等厂商把控。在此背景 下，普冉股份持续加大研发力度，发力中高容量 NOR Flash 产品，目前公司 256Mbit-1Gbit 产品已经量产，并持续推进客户拓展。中高容量 NOR Flash 将带 动公司存储业务实现更高质量的成长。

2.3 EEPROM 技术领先助力多领域应用，普冉份额居中国大陆前二

EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）作为一种非易失性存储技术，以其紧凑的 体积、简易的接口设计、可靠的数据保存能力、在线改写的便利性及低功耗特性 而著称。该技术支持字节级别的数据修改，更新时间通常不超过 5 毫秒，且具备 高达100万次以上的耐擦写性能，满足大多数应用场景的需求，广泛应用于家电、 智能电表、智能家居系统以及汽车电子等多个领域。

EEPROM 在小容量频发擦写应用场景占据优势。EEPROM 能够实现按字节进行数据 擦写，存储单元体积相对较大。相比之下，Flash 存储单元在体积缩小的同时， 仅支持按扇区或区块进行擦写，即便是单一存储单元中的数据需要更新，整个所 在扇区的所有数据也需被擦除，影响存储单元重复使用频率和寿命，降低其在小 容量领域的成本效益。因此，在 1MB 以下的小容量领域，EEPROM 因其高性价比而 占据优势，特别适合于那些对擦写频次高、寿命要求更为严苛的应用。

EEPROM 市场规模超 9 亿美元，普冉股份市场份额中国大陆排名第二。近年来全 球 EEPROM 芯片市场规模稳步增长，2021 年市场规模达到 8.34 亿美元，预计到2023 年将增长至 9.05 亿美元，复合增长率达 4.09%。EEPROM 供应商主要集中在 欧洲、美国、日本及中国，包括意法半导体、微芯科技、聚辰股份、安森美半导 体、艾普凌科（Ablic）、辉芒微、复旦微电、罗姆半导体等，呈现出竞争相对集 中的态势。在 2021 年的 EEPROM 市场销售额排行榜上，普冉股份位居全球第六， 是中国大陆排名第二的 EEPROM 存储器芯片供应商。

技术储备深厚，工艺制程业界领先。普冉股份已成功开发一系列 EEPROM 产品， 涵盖 2Kbit 至 4Mbit 存储容量，操作电压 1.1V 至 5.5V 不等。该系列产品主要采 用 130nm 制程技术，以其高度可靠性、紧凑尺寸及优异性价比著称。产品设计中 集成了分区保护和地址编程等功能，有效保障芯片内数据的安全，防止数据丢失 或被篡改。此外，公司 P24C 系列 EEPROM 产品的可擦写次数高达 1000 万次，展 现出极佳的耐用性。对于中大容量产品，公司采用 95nm 或更先进制程，并已顺 利量产，进一步提升产品竞争力。

普冉股份的 EEPROM 产品在多个下游应用领域展现出广泛的应用潜力，包括手机 摄像头模组、工业控制系统、汽车电子以及高速宽带通信和数据中心等。

1）手机摄像头模组：已成功研发 128Kb 至 512Kb 容量新一代摄像头模组 EEPROM 产品，于 2022 年实现量产，已被全球手机龙头品牌在其旗舰机型中采用。公司 亦推出了 1.2V 的 L 系列 128Kb 产品，适配下一代手机主控平台，该系列产品已 实现了首个手机客户项目的小批量交付。2）工业控制：公司开发的超大容量 EEPROM 系列支持 SPI/I2C 接口和最高 4Mb 的存储容量，相较于其他应用领域，该 产品毛利率更高，有助于提升公司 EEPROM 领域 ASP。3）汽车电子：部分车载 EEPROM 产品已完成 AEC-Q100 全面考核，首批产品已在车身摄像头和车载中控系统中实 现了海外客户的批量交付。4）高速宽带通信和数据中心：公司的 EEPROM 产品在 服务器、交换机及相关光模块中应用，主要用于存储配置信息。 WLCSP 封装降低裂片风险，助力公司拓展手机摄像头模组 EEPROM。针对手机摄像 头加工和组装过程中容易出现的灰尘颗粒缺陷问题，公司采用了无金属化划片槽 设计。这种设计有效减少了在芯片加工过程中裂片和颗粒缺陷的风险，降低了产 品在使用过程中可能出现的潜在失效，进一步提升产品可靠性和用户满意度。此 外，WLCSP 封装技术应用不仅降低裂片风险，还因其占用空间小，有助于实现设 备轻薄化。随着智能手机对高性能摄像头模组的需求不断增加，此项技术有望加 深普冉股份在手机摄像头模组领域的市场渗透，为公司带来更广阔市场前景。

AI 高算力需求助推，公司积极拓展数据中心光模块业务。随着 AI 对高速计算和 数据传输速度的需求日益增强，高性能光模块成为实现先进传输方案的关键元件。 公司 EEPROM 产品主要承担开机启动、程序存储及少量数据存储等功能。根据 Yole， 全球光模块市场规模预计从 2019 年约 77 亿美元增长至 2025 年约 177 亿美元， 年复合增长率达 15%。光模块市场规模的快速增长将带动 EEPROM 的需求增长，有 望为公司 EEPROM 业务带来强劲的成长驱动力。

智能汽车电子系统存储需求日益增长，公司 NOR Flash 和 EEPROM 产品均已通过 AEC-Q100 认证。随着车载电子系统日益复杂化，包括高级辅助驾驶（ADAS）、图 形界面（GUI）、语音识别和高级数据处理功能的集成，对数据存储的需求急剧增 加。NOR Flash 以其高可靠性、低功耗和快速读取特点，在确保车辆断电数据完 整性方面显得尤为重要，市场需求稳步上升。以 ADAS 为例，根据中汽协测算，中 国 ADAS 市场规模预计从 2020 年的 844 亿元增至 2025 年的 2250 亿元，年复合增 长率约 22%。公司的 NOR Flash 和车载 EEPROM 产品均通过了 AEC-Q100 车规认证， 已被应用于部分品牌的车载系统中，同时公司正积极推进相关产品线全系列车规 认证。

3 存储+：MCU + 模拟芯片更大市场打开成长天花板

3.1 MCU 市场空间广阔，普冉股份积极布局

MCU（微控制单元），作为集成电路设计领域的关键产品，将中央处理单元（CPU）、 存储器、各类数据转换器以及输入输出接口等多种功能模块集成于单一芯片之上， 构成一种功能全面的微型计算机。MCU 通过降低 CPU 的规格与频率，以适应嵌入 式系统对体积、功耗和实时响应的严格要求，因而在汽车电子、消费电子及工业 控制等领域得到了广泛应用。这些微控制器在手机、家用电器、汽车、医疗设备、 光伏逆变器及航空航天等多个领域中，扮演着至关重要的角色，是现代数字经济 的核心组件之一。

32 位 MCU 应用占比将不断增加。MCU 按照位数可分为 4 位、8 位、16 位、32 位、 64 位，位数越高运算能力越强。根据 yole，32 位 MCU 占比营收占比有望从 2021 年的 57%提升至 2026 年的 66%。从出货量角度来看，32 位 MCU 预计出货量占比也 将持续提升。根据 Omdia，预计 2027 年 MCU 出货量将超 350 亿颗，2022-2027 年 全球 MCU 出货量 cagr 为 2.9%，其中 8 位和 16 位 MCU 出货量将维持稳定，32 位 MCU 仍将稳定增长。

MCU 市场短期承压，长期成长空间广阔。根据 yole，预计 2023 年全球 MCU 市场 规模约为 229 亿美元，伴随下游库存去化以及需求复苏，2024 年 MCU 市场有望实 现增速为 2.5%的温和增长。长期来看，伴随汽车电动化、数据中心、边缘计算和 物联网的快速发展，MCU 市场规模将保持稳定增长，至 2028 年市场规模有望达到 320 亿美元，2022~2028 年 cagr 约为 5.2%。

普冉股份于 2022 年布局 MCU 业务，与公司 NOR Flash 业务产生协同效应。基于 公司在 SONOS 工艺、超低功耗及高集成度方面的技术优势，普冉股份推出了特色 工艺的通用型 MCU 产品，首个系列为基于 M0+内核的产品。公司 M0+系列产品已 实现大规模量产，推出了 200 余个型号，截至 2023 年末，MCU 产品总出货量突破 3.5 亿颗。2024 年至今仍然以较快增速出货。2023 年 10 月，普冉半导体与 IAR 系统合作，进一步加强其 MCU 产品的生态支持，包括 32 位 ARM Cortex-M0+及 M4 系列。公司基于 ARM 内核的 M4 MCU 原型产品开发顺利，于 23Q3 开始量产出货， 目前正处于持续放量阶段。

3.2 智能手机需求催化 VCM 成长，OIS 芯片布局开拓新前景

音圈马达（VCM）是实现直线型及有限摆角运动的机械装置，主要用于推动镜头 移动产生自动对焦的成像组。其主要原理是在一个永久磁场内，通过改变音圈马 达内线圈的直流电流大小，来控制弹簧片的拉伸位置，进而调节镜头位置，实现 自动对焦。常见的三类音圈马达驱动芯片包括开环式音圈马达驱动芯片、闭环式 音圈马达驱动芯片和 OIS 光学防抖音圈马达驱动芯片。

智能手机需求推进 VCM 市场规模逐步扩大。近年来，随着智能手机市场规模及需 求 的 稳 定 增 长 ， 摄 像 头 音 圈 马 达 驱 动 芯 片 市 场 规 模 稳 步 攀 升 。 根 据 Frost&Sullivan，全球音圈马达驱动芯片市场规模将由 2014 年的 1.20 亿美元增 长至 2023 年的 2.73 亿美元。

二合一产品减少模组面积，依托 EEPROM 客户资源开拓下游市场。公司利用在 EEPROM 领域的技术积累，自主研发集成音圈马达驱动与 EEPROM 的二合一芯片。 此创新产品有效缩减在摄像头模组中所需芯片占用面积，增强产品竞争力，同时 响应智能终端设备向轻薄化发展的需求。目前公司 PE 系列音圈马达驱动芯片已 经批量供货，支持 1.2V 的 PD 系列音圈马达驱动芯片也已经量产。依靠 EEPROM 产品的客户基础，公司成功拓展了下游市场并实现了产品的顺利交付。

积极布局 OIS 音圈马达驱动芯片。OIS 技术的核心优势在于能够有效抵抗因手抖 或相机移动引起的干扰，通过物理方式调整相机镜头位置，补偿图像的退化和模 糊现象。公司独立研发的四阶马达快速稳定算法，结合电机阻尼系数的精确调节， 两者结合可使电机稳定时间控制在 10 毫秒以内，速度比行业通用标准（<15 毫 秒）快 30%。目前公司新一代 V-OIS 产品已通过认证并投入量产，其单价较普通 开环式音圈马达驱动芯片更高，将带动公司在音圈马达驱动芯片产品的业绩增长。

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