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存储行业分析报告：供需改善下NAND价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求。存储行业不同细分领域表现明显分化，高端存储器价格表现较好，消费类产品价格跌至周期底部；但伴随 HBM 等高端存储器需求持续旺盛，叠加减产效应 下整体供需格局明显改善，部分NAND产品价格拐点显现，存储模组等厂商盈 利能力亦有望得到修复。供给侧，伴随海外存储原厂针对性减产和去库存，部 分NAND等产品价格拐点显现。需求侧，一方面多家云厂商未来资本开支指引 较好，HBM、eSSD等需求旺盛，国内存储IDM厂商和配套供应链公司加速国 产替代；另一方面算力下沉趋势确立，嵌入AI大模型的手机/PC/可穿戴等产品 存储容量持续提升，边缘侧算力要求带来存算一体等创新加速。2025年国内存 储行业将持续围绕消费类产品边际复苏+高端产品国产替代+端侧产品创新加速 三大主线，建议重点关注国内存储模组、利基存储芯片及配套供应链公司机遇。

存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善，NAND等产品价格拐点趋近。 供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化，高端产品需求和价格表 现较好，但消费类产品价格持续承压，同时NAND价格表现明显弱于DRAM。 但最近几个季度以来，存储行业发生明显积极变化，高端存储器需求持续旺 盛，同时消费类、NAND等过剩产能持续去化，整体供需格局持续边际改善， NAND等部分产品价格拐点趋近，模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。

高端存储器景气延续，国产替代进程加速。24Q4北美互联网云厂商资本开支 同比高增长，多家厂商2025年资本开支指引乐观；三大存储原厂2025年资 本开支将聚焦HBM、eSSD等高端存储器扩产，指引景气延续，美光将2025 年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。国内厂商在高端存 储器领域加速追赶，以长存长鑫为代表的厂商分别在多层 3D NAND、 LPDDR5等领域快速追赶，部分产品性能媲美海外龙头；另外近期韩媒报道， 三星将在下一代V10 NAND产品上和长存合作，侧面印证了国产存储IDM技 术实力。同时，在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及HBM等 配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。

AI端侧产品逐步落地，存储模组+利基芯片持续扩容。根据SK海力士指引， 2025 年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40%；在前期2025 年CES大会上，多款AI+AR眼镜产品亮相。近期Deepseek等大模型推出， 通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，显著降低算力需求，使复 杂模型在边缘设备（如手机、IoT设备）上运行成为可能，将进一步加速搭载 AI 大模型的端侧产品落地。AI PC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯 片扩容趋势明确，例如AI手机平均DRAM容量从8GB增至12-16GB、AI PC 平均DRAM容量从12GB增至16-64GB、AI耳机NOR容量从64-128Mb增 至256Mb。

存算一体打破存储“双墙”限制，算力下沉需求加速存储创新。传统服务器 计算芯片与存储器采用并行架构，CPU在处理来自片外DRAM数据时，常用数据会被存储在缓存中，一方面，CPU和主内存之间有限带宽会限制数据交 换速度，从而形成“存储墙”；另一方面，数据搬运能耗极高，形成“功耗 墙”。存算一体方案应运而生，可通过采用2.5D/3D 互联等近存计算或者采 用HBM、新型存储器等存内计算的方式，突破存储“双墙”限制。另外，算 力逐步从云端下沉至边缘端，边缘设备除了提出算力需求，还对灵活性、成 本、功耗等提出要求，将进一步加速存算一体方案创新，以华邦电CUBE为 代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备，能够在小容量同时实 现高带宽。