2023年普冉股份研究报告：工艺引领存储产品优势，“存储+”业务拓展第二增长曲线

1、 普冉股份：国内领先存储厂商，研发加码助力技 术升级+新品开拓

1.1、 发展历程：NOR Flash+EEPROM 产品奠定市场 地位，进军“存储+”领域拓展赛道

普冉股份深耕非易失性存储器芯片，围绕“存储+”战略打造第二成长曲线。普 冉股份前身无锡普雅半导体成立于 2012 年，2013 年公司第一颗产品—BLDC Fan Driver 研发成功并进入量产，2014 年公司 64Kb~1024Kb IIC EEPROM 系 列产品研发成功并实现量产，2015 年公司小容量高可靠性的 2Kb~32Kb IIC EEPROM 进入量产，同年公司第一颗高安全性 4Mb SPI NOR Flash 产品研发 成功并进入量产，2016 年普冉半导体正式注册成立，同年公司小容量 1Mb~4Mb SPI NOR Flash 进入量产，2017 年公司工作温度达 125°的高可靠性 4Mb SPI NOR Flash、具有软件写保护功能的 64Kb~128Kb IIC EEPROM 进入量产，2018 年公司面向物联网应用的超低功耗，宽电压，高可靠性的 32Mb & 64Mb SPI NOR Flash 进入量产，公司存储业务切入 IoT 领域，2019 年公司首颗 AECQ100 P25Q80 Flash 进入量产，公司相关产品拓展至汽车领域。2021 年公司于科创 板上市并开始实施“存储+”战略，积极拓展通用微控制器（MCU）和存储结合 模拟等新产品线。

1.2、 股权结构：股权结构稳定，核心团队经验丰富

公司股权结构稳定，实控人为王楠、李兆桂。公司控股股东及实控人为创始人 王楠、李兆桂，截至 2023 年中报，两人分别直接持有 18.74%、4.86%的股权， 并已签署一致行动协议，为一致行动人。公司第二大股东为上海志颀企业管理咨 询合伙企业（有限合伙），持股 18.37%，王楠、李兆桂分别持有其 18.72%、6.93% 的合伙份额。

管理及核心技术团队行业经验丰富，研发人员持续扩充。公司创始团队及技术 团队拥有多年研发和管理经历，曾任职于 NEC、华虹 NEC、中芯国际、Integrated Device Technology,Inc.(IDT)、旺宏、Silicon Storage Technology,Inc.、SONY 等国内外知名企业。公司核心技术人员平均工作年限超过十五年，具备深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless 行业经验。研发人员方面，公司持续扩充研发团队， 提升研发能力，截至 2023 年 6 月 30 日，公司共有研发人员 204 人，同比增长 17.91%，研发人员占比达 61.45%。未来公司有望凭借核心团队对工艺及产品的 深厚理解及研发团队的扩充持续扩充产品线，提高产品竞争力。

1.3、 财务概况：短期业绩承压，研发持续加码

公司处于降价去库存阶段，业绩短期承压。2017-2021 年公司营收由 0.78 亿元 快速增长至 11.03 亿元，CAGR 达 94.04%；归母净利润由 0.04 亿元增长至 2.91 亿元，CAGR 达 197.44%。业绩快速增长主要系下游应用领域需求增长带动公 司产品销售额快速提升。2022 年以来，受国际形势紧张、不可控因素震荡、产 能释放、产品价格下跌等宏观因素影响，半导体设计行业进入下行周期，行业景 气度下降明显，公司业绩短期承压，2022 年公司实现营业收入 9.25 亿元，同比 下滑 16.15%，实现归母净利润 0.83 亿元，同比下滑 71.44%，公司主营业务毛 利率达 29.85%，同比下滑 6.38 个百分点，净利率达 8.99%，2023 年 H1 公司 实现营收4.69亿元，同比下滑17.71%，主营业务毛利率20.57%，同比下滑 12.44 个百分点，公司收入及毛利率下降主要由于在当前市场需求仍然疲软的情况下， 公司采取适当降价去库存的定价策略以逐步消化过多库存引起的供需不平衡。 2023 年 H1 公司实现归母净利润-0.78 亿元，同比下滑 175.68%，净利率-16.70%， 净利润下降的原因主要为收入下降、加大投入导致研发费用增长，扩大产品线导 致销售费用、管理费用增长以及股权激励的实施导致股份支付费用增长。

存储芯片市占率逐步提高，“存储+”系列芯片塑造第二增长曲线。NOR Flash 方面，2017-2021 年公司 NOR Flash 产品销售收入由 0.45 亿元增长至 7.84 亿 元，CAGR 达 104.62%，结合华经产业研究院全球 NOR Flash 市场规模并假设 汇率均采用 7.3RMB/美元核算，2017-2021 年公司 NOR Flash 市占率由 0.27% 增长至 3.72%；EEPROM 方面，2017-2021 年公司 EEPROM 产品销售收入由 0.29 亿元增长至 3.19 亿元，CAGR 达 82.20%，结合亿渡数据全球 EEPROM 市场规模并假设汇率均采用 7.3RMB/美元核算，2018-2021 年公司 EEPROM 市 占率由 0.68%增长至 3.94%。2022 年公司存储芯片业务营收达 8.72 亿元。“存 储+”系列芯片业务方面，2022 年公司实现“存储+”系列芯片营业收入 0.53 亿元，毛利率达 33.19%，非存储类芯片产品营收较 2021 年同期增长 9 倍。未 来随公司产品力提升及业务拓展，公司存储芯片业务市占率有望持续提升，“存 储+”系列芯片业务规模有望持续扩张。

期间费用率上升，研发持续加码。2017-2021 年，公司销售费用率及管理费用 率整体呈下降趋势，销售费用率由 2017 年的 5.62%下降至 2021 年的 1.96%，管理费用率由 2017 年的 5.14%下降至 2021 年 2.28%。2022 年随行业景气度 下降，公司销售费用率及管理费用率上升，2022 年公司销售费用率及管理费用 率分别为 3.00%、3.60%，2023 年 H1 公司销售费用率及管理费用率分别为 4.21%、4.66%。研发费用率方面，2022 年以来随公司持续推进技术创新与新 品研发，公司研发费用率持续提升，2022 年公司研发费用率达 16.07%，同比 增长 7.77 个百分点，2023 年 H1 公司研发费用率升至 20.01%。受益于研发投 入加大，公司原有产品持续迭代，性能持续优化，新产品按计划实现量产，产品 竞争力和覆盖面进一步增强。

1.4、 主营业务：NOR Flash&EEPROM 为核心，“存储 +”业务打开成长空间

公司主营业务包含 NOR Flash、EEPROM、MCU、VCM Driver 等产品。公司 主营业务为非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，产品 广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备 和物联网等领域。公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年，以先进工艺低功耗 NOR Flash 和高可靠性 EEPROM 为核心持续完善和优化产品，相关产品可充分 满足客户对高性能存储器需求并实现对工业和车载应用的支持。公司亦基于先进 工艺和存储器优势实施“存储+”战略，积极拓展通用微控制器（MCU）和存储 结合模拟等新产品线。 协同效应造就产品优势，“存储+”业务空间广阔。公司“存储+”业务主要包括 MCU 产品、VCM Driver 芯片产品和其他模拟产品，可广泛应用于消费电子、家 电、物联网、医疗健康、工业控制、通用民品等领域。

产品优势塑造品牌口碑，下游客户广泛。公司产品具备低功耗、高可靠性等产品 优势，下游客户口碑良好。NOR Flash 业务方面，公司相关产品应用于低功耗 蓝牙模块、TWS 耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵 有机发光二极体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域，目前公司已 与汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华 星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系，相关产品广泛应用于三星、 OPPO、vivo、小米、联想、惠普等品牌厂商；EEPROM 业务方面，公司相关 产品可应用于手机摄像头模组（含 3D)、 智能仪表、网络通信、家电等领域， 目前公司已与舜宇、欧菲光、丘钛微电子、信利、合力泰、三星电机、三赢兴、 盛泰等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等 ODM 厂商形成了稳定的合作关系，产品广泛应用于 OPPO、vivo、小米、美的 等知名厂商的终端产品。公司亦积极开拓海外市场，未来有望凭借产品优势持续 拓展客户群体。

2、 非挥发存储器行业：应用领域拓展叠加市场扩容， 工艺优势打造产品竞争力

2.1、 半导体行业：周期拐点将至，关注去库存进展

半导体行业具有强周期性。半导体周期本质是供需关系演变推动的“缺芯-扩产过剩-缩减产能”的循环。上轮周期为 2019 年年中（波谷）- 2022 年年中（波 峰）。2022 年下半年以来，行业处于下行阶段。 本轮周期拐点将至。复盘整体周期轮动时间，半导体每轮周期约为 4-5 年，其中 从波谷到波峰的上行周期是 1-3 年，从波峰至波谷的下行周期 1-2 年。当前半导 体周期波峰出现于 2022 年 Q2，按照历史规律有望在 2023Q3-2024Q2 期间进 入复苏阶段。未来随消费电子复苏、汽车电子、物联网、人工智能等行业发展， 半导体行业有望迎来景气周期。

2.2、 存储芯片：现代信息产业的核心之一，行业周期 波动性明显

存储芯片又称半导体存储器，是现代信息产业应用最广的核心零部件之一。存 储器可存储程序代码以处理各类数据，并可存储数据处理过程中产生的中间数据 和最终结果，被广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，是应用面最广的基础性通用集成电路产品之一。存储芯片的种类繁多，根 据存储芯片的功能、读取数据的方式和数据存储的原理，存储芯片可分为挥发性 存储器和非挥发存储器。公司非挥发存储器产品覆盖 NOR Flash 和 EEPROM 两大产品类别。

存储芯片行业与半导体整体行业周期方向同步，但波动性更强。当半导体行业 处于景气周期时，存储芯片行业增长更快，半导体处于周期下行阶段时存储芯片 下跌幅度更大。以上一轮周期为例，2017 年全球半导体销售额同比增长 21.6%， 全球存储芯片市场规模同比增长高达 61.5%；2019 年全球半导体销售额同比下 降 12 %，全球存储芯片市场规模同比下降 32.6%。未来若半导体行业周期回暖， 存储芯片行业有望成为复苏较快、弹性较大的半导体细分板块。

2.3、 NOR Flash：利基市场逐步复苏，普冉股份 SONOS 工艺铸就竞争优势

2.3.1、 NOR Flash 随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码， 适用于中低容量应用

Flash 存储器（“闪存”芯片）是从 EEPROM 演变而来的支持可擦除写入非挥 发存储器。Flash 可分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两类，NAND Flash 存储采 用多位串联结构，可有效节省空间及成本，增加储存密度，但读取速度较慢。 NOR Flash 存储阵列由各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随 机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，芯片内执行、读 取速度快，通常被用于存储相关数据和代码程序，以满足快速启动应用系统的需 求。

NOR Flash 适用于中低容量应用。根据接口的不同，NOR Flash 可以分为串行 和并行两种结构，串行结构相对简单、成本更低，随着工艺的进步，串行闪存已 经能满足一般系统对速度及数据读写的要求，逐步成为主要系统方案商的首选。 作为数据读取和存储的重要器件，NOR Flash 的主要功能是数据的存储和读取 以及同时实现开机启动等固定运行的程序。NOR Flash 不必把应用程序代码读 到系统 RAM 中即可直接运行，因此其在运行程序时优势更显著，可适用于对开 机响应时间、可靠性等要求较高的电子设备。由于 NOR Flash 的随机存储、可 靠性强、读取速度快、可执行代码等特性以及其在中低容量应用中的性能及成本 优势，NOR Flash 被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费类电子、汽车电子、 安防、工控、基站、物联网设备等领域。

2.3.2、 NOR Flash 工艺对比：SONOS 成本更低，ETOX 在大容量存 储领域具备优势

从芯片设计角度看，存储芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成，存储单元结构是芯片设计的基础，电路设计的核心技术不仅是决定产品性能的关键因 素，还是产品差异化以及企业技术壁垒来源。目前 NOR Flash 的主流基础工艺 包括浮栅 ETOX 和电荷俘获的 SONOS 工艺结构： 1）ETOX 结构存储器主要由衬底、隧道氧化层、多晶浮栅、栅间绝缘层和多晶 控制栅组成，通过向浮栅中注入电子或拉出电子实现写入和擦除操作。 2）SONOS 结构由赛普拉斯在 2001 年提出，是以 ONO 堆栈为栅介质的 MOS 晶体管结构。SONOS 结构被广泛的应用于嵌入式非易失性存储器和 MCU 等半 导体器件中，具备成本低、操作电压低等特性。SONOS 结构存储器具使用绝缘 层(如氮）硅)作为电荷存储层，氮化物中的电荷陷阱俘获从通道注入的载流子并 保留电荷，由于电荷存储层是绝缘体，因此这种存储机制对隧道氧化缺陷的敏感 度较低，对于数据保存更为稳健。

对比 ETOX 工艺和 SONOS 工艺，ETOX 工艺在大容量存储领域具备优势， SONOS 工艺在低功耗、高可靠性、成本方面具备优势： 1）SONOS 工艺可以降低操作电压，实现低功耗和高可靠性。在 SONOS 工艺 结构中，ONO 特殊的存储结构可以使擦除和编程操作期间的电荷俘获效率最大 化，并使保留期间的电荷损失最小化。擦写电压的下降降低了擦除和写入操作对 单元结构的损耗，提高了存储器芯片的使用寿命，同时，擦写电压的下降意味着 更低的擦除写入功耗，有益于降低产品功耗、提高产品可靠性。 2）SONOS 工艺降低工艺复杂度与制造成本。ETOX 技术由于编程电压高，集 成复杂，一般需要在基本逻辑工艺基础上再额外增加 9-12 层光罩来实现。而 SONOS 工艺平台的处理结构更简单，一般只需要在基本逻辑工艺基础上再增加 3-5 层光罩就可以实现。SONOS 工艺结构需要光罩层数较少，可以降低光罩费 用和芯片的制造成本。 3）ETOX 工艺结构在大容量存储领域具有一定优势。 SONOS 工艺结构中存储单元是一个双管（2T）单元，而 ETOX 工艺的存储单 元是单管单元，这意味着 ETOX 工艺的存储单元较小。在中小容量领域，采用SONOS 工艺结构能够简化外围控制电路，大幅度降低芯片的尺寸和面积，加强 芯片的成本优势。在大容量存储领域，存储单元占芯片面积的比例随容量上升而 上升，存储器芯片面积大小成为决定芯片面积的主要因素，因此 ETOX 工艺在 大容量存储领域更具优势。

2.3.3、 NOR Flash 市场规模及竞争格局：利基市场逐步复苏，欧美 厂商陆续退出，国内厂商市占率提升

NOR Flash景气度随下游场景拓展而回升，2021年全球市场规模近30亿美元。 NOR Flash 是除 DRAM、NAND Flash 之外最大规模的利基型存储，据华经产 业研究院数据，2021 年 NOR Flash 占整体储存器市场 2%。在功能机时代，手 机对内存要求不高，NOR 凭 XiP 架构得以广泛应用。但智能机时代，手机内存 要求大幅提升，而 NOR 在高容量领域较 NAND 出现成本劣势，其市场份额逐渐 被 NAND 替代，市场规模不断缩减。2016 年以来随 AMOLED、可穿戴设备、 TDDI 等中低容量、高度读取速度领域需求增加，NOR Flash 逐步转向利基型市 场并重获增长动能，据华经产业研究院数据，2021 年全球 NOR Flash 市场规模 达 28.84 亿美元。

物联网、车载电子需求推动市场规模增长。随着物联网、可穿戴设备、汽车电子 等下游新兴需求的拓展，据前瞻产业研究院数据，预计全球 NOR Flash 市场规 模 2026 年有望突破 40 亿美元。根据公司招股说明书，分场景来看，中小容量 NOR 多用于 TDDI、AMOLED、蓝牙耳机等领域，预计有望分别带来 0.72 亿美 元、1 亿美元、3 亿美元的新增市场；大容量 NOR 主要应用于车载电子、工业 设备等领域，预计车载、5G 基站等领域有望分别带来 8-12 亿美元，0.43 亿美 元的新增市场。

欧美厂商陆续退出，国内厂商市占率提升。由于 NOR Flash 市场容量有限以及 DRAM、NAND Flash 需求增长等因素，国际存储大厂纷纷退出中低端 NOR Flash 市场，产能或让位于高毛利的高容量 NOR Flash 或 DARM、NAND Flash 产品。美光、赛普拉斯（被英飞凌收购）先后于 2016、2017 年开始淘汰中低端NOR 产品。在国际存储大厂陆续退出的背景下，国产厂商兆易创新、华邦、旺 宏等厂商市场份额持续上升，据华经产业研究院数据，目前全球 NOR Flash 市 场已逐渐形成了华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯和美光的五强竞争格局，2021 年华邦、旺宏、兆易创新市场份额分别达 34.8%、32.7%和 23.2%。公司 2021 年市场份额约为 5.2%，距兆易创新、华邦、旺宏等厂商尚有一定差距，未来随 出货量快速增长，公司市场份额有望持续提升。

2.3.4、 SONOS 工艺造就公司 NOR Flash 产品竞争优势，车规进程 持续推进

SONOS&ETOX 工艺并行，NOR Flash 业务优势持续深化。NOR Flash 方面， 公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，具 备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取等优异性能。制程方面，目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm，公司 40nm 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容 量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平；工艺结构方面，公司 2016 年与赛普拉斯签署 SONOS 的技术授权协议，目前是市场上少数能够利用 SONOS 工艺平台完成 NOR Flash 存储芯片研发设计的企业之一；公司亦并行 采用浮栅（ETOX）工艺结构提供以中大容量为主、中小容量为辅的系列产品， 目前已达到 50nm 的先进制程并实现六颗产品的大批量量产出货，公司 256Mbit 产品 2023 年上半年已经出货，512Mbit 到 1Gbit 容量产品亦正在依照规划逐步 推出。应用领域方面，公司 NOR Flash 业务在汽车领域拓展顺利，中小容量 NOR Flash 车载产品已陆续完成 AEC-Q100 认证，主要应用于部分品牌车型的前装车 载导航、中控娱乐等，公司已逐步推进全系列 NOR Flash 车规认证。未来公司 有望凭借自己深厚的工艺积累强化产品性能及成本优势，持续提升公司 NOR Flash 市场份额。

2.4、 EEPROM：手机多摄、汽车智能化驱动规模平稳 增长，应用领域扩张推动业务高质量发展

2.4.1、 EEPROM：即插即用，可靠性高

EEPROM 指支持电可擦除的非挥发存储器，是一种即插即用的小容量可编写只 读存储设备。EEPROM 具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、 功耗低等特点，广泛应用于汽车电子、智能电表、智能家居、小家电等领域。依 照操作方式不同，EEPROM 芯片可分为串行 EEPROM 和并行 EEPROM。并行 EEPROM 存储容量较大、读写相对简单，但价格相对较高，适用于信息量较多 的场合。串行 EEPROM 结构简单、接口少、保存可靠、功耗低且价格低廉，占 据绝大部分 EEPROM 市场份额，广泛应用于一些掉电时数据需要保存或某些需 要数据能在线修改的场景。

EEPROM 和 NOR Flash 均为满足中低容量存储需求的非易失性存储器，但二 者在性能上存在差异。可靠性方面，行内主流的 EEPROM 产品数据保持时间可 达 100 年，擦写次数可达 100 万次，NOR Flash 产品普遍数据保持时间可达 10 年，擦写次数可达 10 万次；容量方面，EEPROM 容量通常为 1Kbit~2048Kbit， NOR Flash 容量通常为 512Kbit~512Mbit；功能方面，NOR Flash 具备芯片内 执行的能力（XIP)，应用程序可以直接在 Flash 闪存内运行，不必再把代码读到 系统 RAM 中，简化了芯片模组的结构。性能差异亦导致 EEPROM 和 NOR Flash 应用领域上存在不同，NOR Flash 更适合如蓝牙耳机、AMOLED、TDDI、安防、 智能家居、可穿戴设备等对数据存储量要求较高、程序调用更频繁的应用领域， EEPROM 更适合存储小规模、需要经常修改的数据，适合手机摄像头、汽车电 子、智能电表、医疗监测仪等存储数据修改频繁、耐用性和可靠性要求较高的应 用领域。

2.4.2、 EEPROM 市场规模及竞争格局：手机多摄+汽车智能化驱动 规模增长，国产替代空间可观

据华经产业研究院数据，2021年EEPROM在存储芯片市场中份额占比小于1%。 随着 5G 智能通讯、汽车电子等下游领域需求不断拓展，EEPROM 市场规模不 断提升，2022 年随消费电子需求下行，EEPROM 市场增速减缓。未来智能手机 摄像头多摄配置、汽车智能化有望驱动 EEPROM 市场继续增长。市场规模方面， 受益于手机模组、消费电子、工业、通讯、医疗等应用领域需求旺盛，EEPROM 市场规模持续增长。据赛迪顾问统计，2018 年全球 EEPROM 市场规模达 7.14 亿美元，预计 2023 年有望达 9.05 亿美元。

EEPROM 市场集中度高，竞争格局稳定。EEPROM 主要供应商包括意法半导 体、美国微芯科技、聚辰股份、安森美半导体、艾普凌科等。EEPROM 行业集 中度较高，第一梯队意法半导体、美国微芯科技产品单价高，在汽车电子领域占 主导地位，据华经产业研究院数据，意法半导体与美国微芯科技市占率分别为 31.00%与 22.10%；第二梯队厂商包括聚辰股份、安森美、普冉股份等，产品价 格适中，主要应用于消费电子、通讯、家电等领域。

2.4.3、 应用领域扩张推动公司 EEPROM 业务高质量发展

EEPROM 应用领域持续拓展，业务质量持续提升。目前公司 EEPROM 系列产 品容量覆盖 2Kbit 到 4Mbit，操作电压覆盖 1.2V 到 5.5V，具备高可靠性、面积 小、性价比高等优势。公司 EEPROM 产品同时实现了分区域保护、地址编程等 功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数 可达到 400 万次，数据保持时间可达 200 年。制程方面，公司 EEPROM 产品主要采用 130nm 工艺制程，部分中大容量产品采 95nm 及以下工艺制程，目前 已实现量产。下游应用领域方面，公司持续推进 EEPROM 产品导入工业控制和 车载领域，2022 年公司工业控制 EEPROM 业务占比显著提升，汽车电子产品 占比所有提升，公司车载 EEPROM 产品完成 AEC-Q100 认证，并在车身摄像 头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，此外公司亦推 出支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mbit 容量的超大容量 EEPROM 系列产品，其中 2Mbit 产品已批量用于高速宽带通信和数据中心。未来随公司 EEPROM 全系列 产品车规认证的持续推进以及 EEPROM 业务在工业控制、高速宽带通信、数据 中心等领域的持续拓展，公司 EEPROM 业务质量有望持续提升。

3、 “存储+”行业：MCU+VCM 打造第二增长曲线

3.1、 MCU：行业增速稳定前景广阔，结合 SONOS 工 艺打造高性能产品

微控制单元（MCU)，又称单片微型计算机或者单片机，是把 CPU（中央处理器） 的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、A/D 转换、DMA 等周边 接口、TFT、LCD、LED 驱动电路等整合在单一芯片上形成的芯片级计算机。 MCU 具备高集成度、高可靠性、低电压、低功耗、易拓展等特点，可广泛应用 于智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等领域。

行业增速稳定前景广阔。市场规模方面，据中商情报网数据，2022 年全球 MCU 市场规模达 209 亿美元，同比增长 6.6%，未来随物联网发展及汽车电动化趋势 深化，全球 MCU 市场规模有望持续增长，预计 2023 年将达 226 亿美元，同比 增长 8.1%，2022 年我国 MCU 有望达 420 亿元，同比增长 7.69%。分下游领域 看，据中微半导官网数据，消费电子为中国 MCU 主要应用领域，占比达 26%， 计算机网络次之，占比达 18%。目前新能源汽车中已大量使用 MCU，以 ADAS 系统为例，其车载传感器和车载摄像头部分需要高性能的 MCU 进行数据处理与 驱动控制。据拓璞产业研究院数据，预计 2022 全球车用 MCU 市场规模达 80.6 亿美元，同比增长 8.3%，未来随新能源汽车渗透增加与智能驾驶等功能渗透率 增加，汽车 MCU 有望成 MCU 增速最快的下游应用领域之一。

国产厂商市占率低，国产替代空间广阔。竞争格局方面，国内 MCU 市场以瑞萨、 恩智浦等海外厂商为主，国内厂商市占率较低，根据 IHS 及前瞻产业研究院数 据，2021 年我国 MCU 企业兆易创新、中颖电子、乐鑫科技、国民技术和复旦 微电其市占率分别为 4.4%、4.1%、1.5%、1.8%和 0.8%，未来国产替代空间广 阔。近年来 MCU 市场本土化趋势明显，国内芯片厂商迎来较好的市场导入和上 量窗口。依托强大的本土 OEM 厂商，本土 MCU 厂商在市场需求的快速响应、 供应链调整、技术支持等方面形成了独特的竞争力，未来随产品及技术迭代， MCU 国产化率有望进一步提升。

MCU&NOR Flash 业务协同，SONOS 工艺造就低成本、低功耗优势。公司 MCU 产品凭借在 SONOS 工艺方面的深厚积累，采用先进制程下的嵌入式 Flash 工 艺和设计，通过版图优化及减少所需掩膜版的数量，有效减小了芯片面积，降 低了工艺复杂度及产品成本。公司 MCU 产品亦结合基本逻辑工艺的低功耗特征， 采用双管（2T）单元共源（CSL）结构，显著降低了存储单元尺寸并获得了极 低的静态功耗。公司基于自身功耗低、工艺领先、集成度高、自由设计的存储 器，布局 ARM Cortex-M 内核系列 32 位通用型 MCU 产品。截至 2023 年中报， 公司 MCU M0+系列产品已大规模量产出货，共计 120 余颗料号，累计出货已 超 1 亿颗，主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器 等下游领域。公司基于 ARM 内核的 M4 MCU 原型产品进展顺利，后续有望导 入消费及工控等应用场景。未来公司随 MCU 产品的持续扩充以及 MCU 生态环 境建设的持续推进，公司 MCU 业务规模有望持续扩张。

3.2、 VCM：协同 EEPROM 深化摄像头模组业务

音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置，音 圈马达驱动芯片（VCM Driver）是与音圈马达匹配的驱动芯片，主要用于控制 音圈马达来实现自动聚焦功能。常见音圈马达驱动芯片主要包括开环式音圈马 达驱动芯片、闭环式音圈马达驱动芯片和 OIS 光学防抖音圈马达驱动芯片。

智能手机的摄像头模组是音圈马达驱动芯片的重要应用领域。智能手机前置自 动对焦镜头和双摄镜头的应用成为音圈马达的主要增长点。市场规模方面，据 沙利文数据，2015 年到 2018 年，随着智能手机市场规模及需求稳定增长，全 球音圈马达驱动芯片市场规模由 1.22 亿美元增长至 1.43 亿美元。未来随着自动 对焦镜头及多摄像头应用增加，摄像头音圈马达驱动芯片市场规模有望进一步 增长，据沙利文数据，预计到 2023 年全球音圈马达驱动芯片市场规模有望达到 2.73 亿美元。

VCM&EEPROM 业务协同，产品顺利交付。公司 VCMDriver 芯片业务与 EEPROM 业务协同效应良好，目前已依托 EEPROM 产品客户资源优势实现了 下游的顺利交付。目前公司内置非易失存储器的 PE 系列音圈马达驱动芯片（二 合一）多颗产品进入大批量供货，支持下一代主控平台的低功耗、小面积 1.2V PD 系列音圈马达驱动芯片产品也已进入量产，可顺应各类智能终端轻薄化的发展 趋势。此外，公司结合行业发展趋势，与终端密切配合，启动开发新一代 VOIS 芯片。未来公司 VCM Driver 芯片业务在 EEPROM 业务的协同加持下有望持续 增长，公司在摄像头模组领域的竞争优势和市场占有率有望持续提升。

编辑：火腿肠