2022年存储芯片行业企业竞争优势分析 普冉股份深耕中小容量利基型存储芯片设计

公司成立于 2016 年，2020 年变更为股份制公司。公司深耕非易失性存储器芯片设计多年，主要产品包括 NORFlash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片。公司致力于研发 28~55nm 低功耗、高可靠性的 NOR 型串行 Flash 存储器产品，可应用于传统消费、工业以及新兴应用市场；130nm 非易失性 IICEEPROM 存储器具备业界领先的400万次擦写寿命、6KV 静电防护能力，在智能电网、汽车前装、工业控制以及IOT领域广泛应用。

1. 战略布局 Nor Flash+EEPROM 存储芯片产品线，拓展高附加值市场

NOR Flash 主要作为模组中控制芯片的辅助芯片，解决模组芯片的数据和代码程序的存储需求。存储芯片擦除、写入和读取等工作模式下的电流和功耗与不同的工作电压以及芯片容量有关，通常情况下，更大容量、更高工作电压的存储芯片，功耗越大。公司NOR Flash 产品采用电荷俘获工艺结构，工艺制程为 55nm，提供了512Kbit 到128Mbit容量的系列产品，覆盖 1.65V-3.6V 的操作电压区间。针对消费电子领域推出了低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的 NOR Flash 产品，在蓝牙耳机、TDDI、AMOLED等相关市场上，公司已经和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系，产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商。

EEPROM 相较于 NOR Flash 的容量更小、擦写次数高。公司已形成覆盖2Kbit 到1Mbit容量的 EEPROM 产品系列，主要采用 130nm 工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到 400 万次，数据保持时间可达200年。公司的 EEPROM 产品广泛应用在手机摄像头模组、白色家电、智能仪表等领域，终端用户主要包括 OPPO、vivo、华为、小米、三星、联想、传音等手机品牌厂商和美的等家电厂商。

图：公司 EEPROM 产品应用领域

公司采用 SONOS 工艺完成了 512Kbit-128MbitNORFlash 的产品布局，从工艺制程和容量维度持续实现技术迭代，以提升产品的性价比和竞争力。工艺制程方面，公司自2016 年成立以来，采用 55nm 的电荷俘获工艺进行 NORFlash 存储器芯片的设计，相较于行业主流的浮栅 65nm 工艺制程，具备更优的功耗和芯片尺寸。产品容量方面，公司在成立之初，推出了 512Kbit 至 4Mbit 容量系列的 NORFlash 产品，随后的两年时间里逐步实现了 512Kbit 至 128MbitNORFlash 的全容量覆盖。本此募投项目包括40nmNORFlash系列存储器芯片以及 NewGenNORFlash 系列存储器芯片研发，向智能穿戴、物联网、5G基站等更高附加值的市场拓展，满足市场对 NOR 产品低功耗、大容量的要求。

公司目前在 EEPROM 领域已形成较为完整的系列产品布局，在工艺制程和存储单元两个主要维度持续实现技术迭代。工艺制程方面，公司始终采用130nm工艺平台进行EEPROM 研发设计，但持续针对存储单元的结构、擦写电压进行改造和优化，在不牺牲可靠性指标的前提下，不断优化 EEPROM 芯片中存储单元的尺寸，使得单颗芯片具备更高的性价比；产品功能方面，公司对 EEPROM 产品增加分区域保护、地址编程等功能，以解决摄像头参数存储的安全性、动态存储等问题；产品系列化方面，公司EEPROM产品做到 2Kbit-1Mbit 的全容量覆盖，同时支持 SOP/TSSOP/DFN 等传统封装，能够满足不同应用领域对容量和封装的需求。随着摄像头模组对 EEPROM产品的小型化封装和高可靠性需求，公司面向摄像头模组应用推出了全系列 WLCSP 封装的产品，同时支持地址配置和写保护功能；WLCSP 产品均采用自主知识产权的划片槽技术，能有效避免生产过程中带来的裂片风险。公司目前正在进行新一代 95nm 及以下EEPROM产品研发，并依托新产品将下游应用逐渐从手机摄像头等消费电子领域拓展到5G 通讯、工业控制等市场。公司拟开发车载 EEPROM 产品，通过运用纠错校验（ECC）和差分存储技术，开发具备超高擦写能力、超长数据保存时间等特点的 EEPROM 产品，并提升产品的温度适应能力和抗干扰能力，完成 A3 和 A2 等级的汽车 EEPROM 产品的开发。

2. 存储芯片营收快速增长，盈利能力稳步提升

低价策略快速切入中小容量利基型存储芯片市场。公司NORFlash 产品平均单价为0.7 元~2.6 元，仅为市场同类产品单价的 20%。作为市场的新进入者，公司在保证产品性能的基础上采取高性价比策略以获得市场份额。2017 年-2020 年，公司实现营业收入0.8/1.8/3.6/7.2 亿元，复合增长率 108%。公司 2017-2019 年EEPROM营业收入分别为0.3/0.4/1.1 亿元（CAGR91.5%），主要系手机后置多摄像头的逐步推广及渗透，应用于摄像头模组 64Kbit、128KbitEEPROM 产品需求快速增长，2017-2019 年出货量复合增长率达 49%。NORFLASH 收入为 0.5/1.4/2.6 亿元（CAGR 达128%），主要因为下游蓝牙耳机（应用于蓝牙的产品收入 CAGR145%）、显示屏、可穿戴设备（收入CAGR216%）、物联网（CAGR370%）等领域需求快速增长带动 2MB-16MB 产品出货量上升（2017-2019出货量复合增长率 193%）。2020 年度，公司营业收入同比上升了97.6%。主要系一方面，公司 NORFlash 存储芯片产品下游消费电子和物联网市场需求快速增长，NORFlash市场呈现供不应求的趋势，产品单价较 2019 年上涨，拉动公司营业收入增长；另一方面，公司 EEPROM 存储芯片产品下游摄像头模组产品需求快速增长，加之公司积极拓展下游品牌客户及海外市场，EEPROM 产品已在小米等客户实现大量出货，对三星、松下等客户亦开始批量出货，导致当期 EEPROM 产品销量增长。

“以价换量”使得毛利率水平下降，WLCSP 封装模式抬高成本。2017-2020前三季度，公司综合毛利率 32.4%/24.8%/27.5%/23.2%：其中NORFlash 产品的毛利率分别为32.4%/23.9%/25.6%/23.1%，EEPROM 产品毛利率分别为32.2%/26.8%/30.6%/22.9%，毛利率水平整体呈下降趋势。2018 年度，公司 NORFlash 产品的毛利率同比下降8.6pct，主要是公司根据 NORFlash 产品的市场供需情况同时为开拓更多的市场，产品平均价格下降19.5%。2018 年度，公司 EEPROM 产品的毛利率较 2017 年度降低5.4pct，主要系2018年开始公司 64Kbit、128Kbit 容量的产品逐渐采用 WLCSP 封装形式，其单位封装格较高，导致当期单位封装测试成本上升，毛利率下降。2019 年公司NORFLASH产品和EEPROM产品毛利率分别同比上升 2pct、3.8pct，分别由于 NORFLASH 当期高毛利率的2Mbit、32Mbit 容量新产品收入占比上升以及毛利率较高的 64Kbit、128Kbit 容量EEPROM产品收入占比上升。2020 年 1-9 月，公司 NORFlash 产品和 EEPROM产品的毛利率分别较2019年度降低 2.5pct、7.7pct，主要系 NORFlash 的晶圆产能紧张提高了单位成本，EEPROM产品单价受市场竞争和公司策略影响有所降低。

图：公司主要产品营收（亿元）及 YOY

2017-2020 年公司净利率分别为 5.1%/7.3%/8.8%/ 12.5%，复合增长率95%，与营业收入增速基本一致。公司收入规模扩大带来的规模化效应不断体现。

期间费用率不断降低，研发投入力度大。2017 年-20201-9 月，公司期间费用率为27.6%/16.1%/15.9%/11.8%,期间费用率随营业收入高速增长而下降。公司研发费用分别为1291/1346/3114/2984 万元，研发费用投入持续增长。在此基础之上，公司计划进一步提高研发投入，此次发行募集的部分资金将用于公司主要产品技术的研发升级，公司的创新能力有望进一步提高。

3. 普冉股份股权结构稳定，管理团队为资深技术专家

公司的控股股东及实际控制人为王楠、李兆桂，合计控制公司55.9%的股权，股权结构较为稳定。王楠和李佳桂为公司创始人，曾先后就职于上海华虹NEC电子有限公司、中兴通讯、美国莱迪思半导体，从事半导体集成电路设计研发和运营管理，具备资深的技术背景。公司管理团队和技术团队其他主要人员都曾经在华虹NEC、中芯国际、IntegratedDeviceTechnology,Inc.（IDT）、旺宏、SiliconStorageTechnology,Inc.、SONY等国内外知名公司有多年研发和管理经历，核心技术人员平均工作超过十五年，具备深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless 行业经验，具备综合竞争优势。

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