2023年美光分析报告：全球存储芯片巨头，开启业绩上行周期

公司概况：全球存储芯片巨头

公司概览：深耕存储芯片领域，业绩由 DRAM 与 NAND 共同驱动

美光科技：全球存储芯片行业龙头，正在跨越周期底部。美光科技（MU.O）于 1978 年在美国爱达荷州成立，并于 1984 年在纳斯达克上市，截至 2023 年 11 月 1 日，公司市 值 762 亿美元，对应股价 69.4 美元/股，2010 年至今最大涨幅近 18 倍。公司 1981 年推 出首款产品 64K DRAM，随后迅速达到了业界前沿水平，于 1999 年推出业界首款 DDR DRAM，成为行业变革引领者。而伴随电子行业的发展，公司主营产品 DRAM 与 NAND 技术持续迭代，在 DRAM 和 NAND Flash 产品领域已建立成熟的产品矩阵，下游覆盖消 费电子、工业、医疗等广泛领域。随着规模不断扩张，公司现已成为世界上存储芯片龙头 公司之一，竞争对手主要包括三星、SK 海力士等。

业务分类：按产品用途分为四大部门，下游涵盖云服务器、智能手机等领域。美光采 用 IDM 模式，始于外供原材料，经过晶圆制造、组装和测试等工序生产存储产品，并冠以 自有品牌进行销售。在产品快速迭代的存储芯片市场中，IDM 模式能够充分发挥设计与制 造环节的协同作用。按照芯片用途的差异，公司共下设四个部门：1）计算和网络业务部 （Compute and Networking Business Unit，CNBU）：主要包括销往客户端、云服务器、 企业、图形和网络市场的内存产品和解决方案。2）移动业务部（Mobile Business Unit， MBU）：主要包括销往智能手机和其他移动设备市场的内存产品。3）嵌入式业务部 （Embedded Business Unit，EBU）：主要包括销往工业、汽车和消费市场的内存和存储 产品。4）存储业务部（Storage Business Unit，SBU）：主要包括销售到企业和云、客户 端和消费者存储市场的 SSD 和组件级解决方案，以及以组件和晶圆形式销售的离散 NAND。

产品分类：主要为内存产品，其中以 DRAM 与 NAND 为主。作为龙头存储厂商，美 光的产品矩阵主要分为内存与存储器产品，其中：1）内存产品（Memory）：内存主要负 责硬盘等硬件上的数据与 CPU 之间的数据处理，直接与 CPU 交换数据。公司内存产品矩 阵包括 DRAM、超带宽 HBM 产品、NAND Flash、NOR Flash 等多个产品类型，重点产 品包括 DDR5、GDDR6X、HBM2E、LPDDR、3D NAND 等。2）存储器产品（Storage）： 一般指固态硬盘或机械硬盘，是长期存储和存取数据的电脑组件。公司在这方面的产品布 局主要为存储卡、数据中心 SSD 与客户 SSD。

技术演变：技术节点持续精进，先进节点良率进展超预期。1）在 DRAM 领域，公司 1-α技术（对应 10nm-11nm 制程）已成为主流技术，目前在向 1-β过渡方面持续取得进 展。1-α DRAM 良率已经高于历史上的所有节点，1-β技术已提前达到目标良率。2）在 NAND 领域，目前 176 与 232 层占据了公司 90%以上的 bit 出货量，同时持续在 QLC 上 领先行业（23Q1 QLC 占据超过 20%的 NAND bit 出货量）。目前 176 层 NAND 良率已经 高于历史上所有节点的良率，232 层 NAND 已提前达到目标良率。3）展望未来，公司将 在保证质量的前提下根据下游需求提高先进节点的产量，根据公司 FY23Q3 业绩会，公司 在基于 EUV 光刻机的 1-γ节点研发上取得良好进展，公司预计 1-γ技术将在 2025 年引 入，在能耗、成本、性能和密度方面进行优化。

财务概览：营收随周期波动，盈利能力领先行业

营收表现：营收随行业周期波动，FY2023 实现营收 155 亿美元。FY2018-FY2023， 公司营业收入波动明显，主要反映公司业绩与行业周期的相关性。半导体存储芯片具有强 周期性，公司营收亦呈现出周期性特征。其中，FY2023 作为行业周期性低点，公司 FY2023 实现营收 155 亿美元（同比-49%），业绩增速接近近年低点亦体现出本轮周期经历了较深 调整。

营收结构：DRAM 收入占比约七成，CNBU 部贡献主要营收。1）按部门分：计算和 网络业务部（CNBU）贡献主要收入，其次为移动业务部（MBU）。FY2023，CNBU、MBU、 SBU、EBU 收入贡献占比分别为 37%、23%、16%、23%。近年来收入结构较为稳定， 计算和网络业务部（CNBU）与嵌入式业务部（EBU）收入占比分别约为 40%、25%。2）按产品分：公司 DRAM 产品贡献主要收入，FY2023 收入占比为 71%。近年来公司 DRAM 产品收入占比为 68%-74%，NAND 占比 21%-29%，收入结构较为稳定。除 DRAM 与 NAND 外，还包括 3DXPoint 内存、NOR Flash 等业务营收，合计占比 2%-5%。

盈利能力：呈现较强波动性，持续领先竞争对手。1）毛利率：FY2022，公司毛利率 为 45%，同比提升 7pcts，领先于竞争对手。尽管公司毛利率受供需关系影响，呈现较大 周期性波动，但 FY2018 年至今公司毛利率保持在 30%以上。FY2023，受行业周期影响， 公司 GAAP 毛利率为-9%。2）净利率： FY2023，公司 GAAP 净亏损 58 亿美元（去年 同期净利润 87 亿美元），主要反映行业周期性下行对公司业绩带来的影响。从过去的净利 率看，FY2019-FY2020 净利率下滑，主要由于客户库存调整，以及行业周期下行带来的 ASP 降低。尽管如此，近年来公司净利率持续优于竞争对手，反映公司领先行业的盈利能 力。

行业分析：周期低点已过，AI 需求注入成长动能

市场情况：主要为 DRAM 与 NAND 产品，市场份额向头部集中

市场规模：2022 年约 1300 亿美元，主要包括 DRAM 与 NAND 两个子板块。1）市场总量 上看：存储芯片赛道有着规模大、周期性和成长性兼具的显著特点。根据 WSTS 数据，存储芯 片为集成电路芯片的第二大子类别（2020/2021/2022 年占比分别为 27%/28.3%/27.8%）。回顾 存储芯片赛道的发展，可观察到较强的周期性和成长性。根据WSTS 数据，2012 年存储芯片市 场规模为 570 亿美元，2022 年增长至 1298 亿美元，CAGR 约为 9%。WSTS 预计 2023 与 2024 年，全球存储芯片市场规模分别为 84 亿美元与 120 亿美元，主要反映行业周期的推进。同时 Yole 预计，2027 年存储芯片市场规模将达 2630 亿美元（2021-2027 年 CAGR 约 8%）。各细 分子类别中，DRAM 市场增速最快（2021-2027 年 CAGR 约 9%），我们预计到 2027 年规模增 长至 1580 亿美元，其次是 NAND 和 Nor Flash 产品。2）市场结构上看：在存储芯片市场中，DRAM 与NAND 为占比最大两个板块。根据Yole 数据，2021 年DRAM 市场占比为56%，NAND 市场占比为 40%，二者合计占存储芯片市场的 96%。

出货量：先进节点产品出货量明显增长，包括 DDR5 与 QLC 产品。1）DRAM：目前 DRAM的主流类型仍是DDR4，近期出货占比保持稳定。随着计算和存储需求的不断增长， 特别是在大数据、AI、云计算和 HPC 等领域，对更高性能/更大容量/更低功耗的内存需求 也在增加，DDR5 占总出货量比重将逐渐上升。IDC 预计未来五年内，DDR4 份额将进一 步被 DDR5 取代，到 2027 年，DDR5 将占 DRAM 总出货量的 80%以上。伴随着生产工 艺的成熟，DDR5 的价格有望持续下探，这将赋予其更优的性价比。因此，存储效率、存 储性能更高的 DDR5 有望逐步取代 DDR4，成为主流品类。2）NAND：QLC 产品有望显 著增长，其中：从堆叠结构上看，3D NAND 凭借垂直堆叠结构，将实现更大的存储容量， 逐步蚕食 2D NAND 的市场空间；从产品类型上看，在 2D DRAM 中，MLC 为出货量最多 的品类，多应用于工业领域和车规存储，在 3D DRAM 中，目前 TLC 以相对更高的存储密 度和相对更合理的价格占据 NAND 出货主流，但以更大容量和更低成本为目标的 QLC 料 将成为未来的发展趋势。根据 IDC 预测，QLC 出货量将呈加速上升趋势。预计到 2027 年， 3D-QLC 将占 NAND 总出货量的约 55%。

DRAM 竞争格局：呈现寡头格局，三星、美光、SK 海力士为三大龙头。1）从销售 额看，Statista 数据显示，DRAM 竞争格局较为稳定，其中 22Q3 三星/SK 海力士/美光的 市占率分别为约 41%/29%/26%，行业 CR3 约为 96%。2）从出货量看，IDC 数据显示，23Q1 三星/SK海力士/美光的市占率分别为 44%/27%/23%，与销售额口径的较为相近。3） 我们认为：DRAM 芯片呈现寡头格局，龙头通过兼并收购而不断提高市场份额，比如美光 在 2013 年收购了 Elpida，2016 年收购了 Inotera 之后，市占率进一步提升。

NAND 竞争格局：市场份额相对分散，CR5 市占率超过 95%。1）从销售额来看，Statista 数据显示，22Q3 市场前五大玩家三星/凯侠/SK 海力士/西部数据/美光分别占 NAND 市场 的 31%/21%/19%/13%/12%，相对于 DRAM 市场来说更加分散，但前五大厂商仍占据全 市场 96%的份额。2）从出货量来看，IDC 数据显示，三星市占率近年来稳定在 33%左右， 此外铠侠、SK 海力士、WDC 均在 15%左右波动，美光市占率在 10%左右波动，整体竞 争格局保持相对稳定。

周期展望：正在穿越周期低点，AI 为下轮周期注入新驱动

结合市场规律、库存、Capex 与价格综合考虑，我们认为存储芯片行业低点已过，有 望在 2024 年开启复苏。从历史周期及 WSTS 预期看，CY2024 有望开启存储芯片下一轮 上行周期，而结合 Capex、主要厂商库存、以及典型产品价格趋势等客观因素，我们认为 行业周期性低点已过，并有望在 CY2024 迎来行业复苏，其具体原因如下：

周期复盘：每轮周期约 3-4 年，主要由供需关系驱动。1）存储芯片具备典型的周期 属性：由于存储芯片的功能、技术与演进方向上具有高度一致性（向着更高存储密度、更 快读写速度迭代），标准化程度高，具备大宗商品属性，因此行业周期属性较为显著。2） 历史周期驱动力：新需求驱动周期上行，供过于求导致行业进入下行周期。①2012-2015 年：主要受 iPhone 4/4S 带来的 DRAM 与 NAND 新需求所驱动，以 iPhone 为代表的智能 手机出货量快速增加，各大存储厂商纷纷扩产，最终导致市场供过于求，进入下行周期。 ②2016-2019 年：一方面受安卓手机竞争力增强所驱动，并带来内存与存储空间的竞争追 逐；另一方面受 3D NAND 的技术进步所驱动，三星、海力士等厂商纷纷把产能转向 3DNAND，最终导致扩产后 PC、服务器需求动能不足，进入下行周期。③2020 年至今：一 方面受疫情带来的居家办公需求（PC、服务器等）所驱动，另一方面受 5G 终端带来存储 需求增长。随后受地缘政治、疫情反复、汇率波动等多种因素影响，行业进入下行周期。 3）展望未来：过去每轮周期持续约 3-4 年，基于历史规律，我们认为存储芯片市场周期 低点已过，随着消费电子行业需求回复正常水平，以及下游 AI 带动服务器需求，行业有望 逐步企稳，并开启下一轮周期。

复苏结构：存储芯片复苏弹性最大，主要由其大宗商品属性所决定。存储芯片技术高 度标准化，可替代性较强，具备大宗商品性质，因此存储芯片对下游需求的周期性波动较 为敏感。根据 WSTS 数据，存储芯片的市场增速波动显著大于其他类型的集成电路，WSTS 预计 2024 年存储芯片市场规模将达到 1203 亿美元，对应同比增速为 43%，显著高于集 成电路的平均水平。

Capex 预期情况：除三星逆势扩张外，2023 年皆下调，并在 2024 年有所回升。1） 总量上看，三星资本开支规模最大，美光、SK 海力士等厂家属于第二梯队，且 2023 年 Capex 预期与去年持平，显著高于竞争对手（同比下降 40%-50%），但这主要归因于三星 常年以来逆势扩产的战略，而非业绩端驱动的结果。2）增速上看，主流厂商的资本开支 增速与存储芯片的市场规模增速具备较高相关性，且两者有一定的相位差。主要原因在于， 当市场需求旺盛时，主流厂商积极扩产，而当市场疲软时，生产厂家将缩减资本开支并减 小产量，供需错配得到改善，因此市场复苏往往跟随着 Capex 增速低点出现。3）我们认 为：23Q1-23Q2，主流厂商资本开支下降明显，且除三星外，主流厂商 Capex 预期增速 皆显著下滑，结合历史规律，行业市场规模有望临近复苏节点。

库存情况：判断周期进程的重要指标，主要存储厂商库存增速高点已过。库存规模代 表了厂商当前的压货压力，是判断半导体行业周期的重要指标。根据 Bloomberg 数据，三 大存储厂商 23Q2 库存合计 614 亿美元， 22Q1-23Q2 环比增速已明显放缓，环比增速分 别 15%/10%/13%/-2%/4%/1%，此外，头部存储厂商的库存同比增速皆持续下滑，库存增 速已度过高点，库存有望逐步恢复健康水平。

价格变化：受减产影响，DDR5 与 DDR4 产品价格先后反弹。现货价格往往能更直接 地反映供需关系的变动，其中 DDR4 8Gb 产品价格为主流产品，是重要的价格指标。今年上半年 DRAM 产品价格持续走低，但随着各大厂商有默契地减产，高端产品 DDR5 的现 货价格率先在 8 月开始回升，随后主流产品 DDR4 的现货价格亦在 9 月份实现回升。根据 界面新闻转引《韩国经济日报》报道，9 月中旬三星电子对 DRAM 和 NAND 闪存芯片涨 价 10%至 20%。同时美光亦在 FY23Q4 业绩会上表示，面对当前低价已有客户对内存产 品进行战略性购买。

下轮周期新驱动：AI 服务器带来新增量，相关产品包括 HBM 与 GDDR 等。随着人 工智能行业持续发展，AI 服务器出货量、单服务器的存储芯片搭载量、以及对 HBM 技术 的需求皆明显增长，我们认为 AI 将为存储行业进入下一周期注入重要驱动力。根据美光业 绩会数据，与传统服务器相比，AI 服务器中 DRAM 搭载量为原来的 3 倍，NAND 搭载量 为原来的 8 倍。而从产品类型上，AI 带来的需求主要包括 HBM 与 GDDR，其中：

HBM：通过高带宽大幅提升数据处理速度，主要用于高性能 AI 训练芯片。 应用场景：采用 3D 堆叠封装方式，英伟达、AMD 等 AI 芯片厂商皆投入应用。1） 产品介绍：高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）属于 DRAM 产品，可通过 三维叠加的多层 DDR 实现数据的大规模并行处理，高带宽能够显著提高 GPU 的数据处理 速度。HBM 作为 GDDR 产品的替代品，适用于更重视性能表现而非成本的芯片产品。此 外，GDDR 分布在封装好的 GPU 周围，而 HBM 通过多个 DDR 芯片的 3D 堆叠，同时通 过硅中介层连接至 GPU 核心，与 GPU 封装在一起，带来远超 GDDR 所能提供的带宽上 限，显著提升传输速度。2）应用情况：目前英伟达、AMD 等主流厂商都已经开始采用 HBM 产品。以 NVIDIA H100 芯片为例，每个 GPU 的 HBM 需求为 80GB，基于 H100 与 Grace CPU 的人工智能平台 DGX GH200 对应 HBM 需求为 144TB。

技术发展：量产版本迭代至 HBM3，主要玩家包括 SK 海力士、三星与美光。1）发 展历程上看，HBM 的发展始于 2013 年，由 SK 海力士成功研发 HBM1 产品。随后三星加 入 HBM 赛道的竞争，三星与 SK 海力士分别于 2016 与 2017 年宣布量产 HBM2 产品，美 光亦于 2018 年放弃 HMC 技术转向 HBM 技术研发。经过多年迭代，HBM 产品现已发展 至 HBM3，由电子器件工程联合委员会（JEDEC）于 2022 年推出行业规范，三星与海力 士在同年宣布量产。根据美光 FY3Q23 业绩会，美光 HBM3 产品已开始送样，将于 2024 年早期实现量产。2）性能迭代上看，2022 年 1 月，JEDEC 发布 HBM3 标准，与 HBM2E 相比，在带宽、功耗和单位面积容量上有较大提升。其中，带宽为 HBM 核心参数，直接 影响数据处理速度，HBM3 带宽为 819GB/s，与上一代 HBM2E 比近乎翻倍。3）竞争格局：根据 Trendforce 数据，2022 年 SK 海力士占据全球 50%的 HBM 市场份额，其次是 三星的 40%与美光的 10%，后二者正全力扩大 HBM 产能与研发产品。

GDDR：用途与 HBM 相似，更注重成本与性能的平衡。 应用场景：与 HBM 相似，应用在更注重性价比的芯片。GDDP 是针对图形显卡所特 化的一种 DDR 产品，在人工智能训练中具备技术上的优势。1）与其他存储产品（DDR、 LPDDR 等）相比，GDDR 能够兼顾成本与性能之间的平衡。其中，GDDR6 的数据率（Data Rate，即单位时间内能传输多少 bit 的数据）可达 16Gb/s，高于 DDR4 的 3.2Gb/s 与 LPDDR5（Low Power DDR，低功耗 DDR）的 6.4Gb/s。同时 GDDR6 具备 32bit 的位宽， 因此总带宽可达 512Gb/s（64GB/s）。2）与 HBM 相比，以 HBM2E 为例，GDDR6 的数 据率要更快，但由于 HBM2E 具备 1024bit 的高位宽，单次传输效率显著高于 GDDR6， 因此总带宽高于 GDDR6。尽管如此，与 HBM 的高带宽相伴随的是高成本，主要应用在 极其追求性能表现的芯片中。对于成本敏感的芯片而言，考虑到高制造成本与高封装难度， GDDR6 显然具备更明显的优势。

技术发展：当前迭代至第六代产品，提高带宽为行业趋势。GDDR 起初是为高端显卡 特别设计的高性能 DDR 存储器，在工作频率、时钟频率、电压等方面与 DDR 有所不同， 市场上的 GDDR 产品已经经历了从 GDDR 到 GDDR6 的迭代。当前主流规格为 GDDR6， 主要应用在人工智能及高端显卡领域，搭载 GDDR6 的代表性 AI 产品包括 Nvidia L40、 A40 等。从行业趋势上看，GDDR 数据率有望不断提升，用于 AI 训练领域。根据 Rambus 官网信息，Rambus 于 2023 年 5 月推出 GDDR6 PHY 产品，数据率可达 24Gb/s（GDDR6 数据率标准为 16Gb/s），为每个 GDDR6 内存设备提供 96 GB/s 带宽，主要用于人工智能、 机器学习、图形和网络等应用。

公司分析：业绩有望跟随存储芯片周期同步改善，技 术领先驱动中期成长

周期展望：产品价格企稳回升，业绩有望在 23H2 企稳

基于公司减产情况与 Capex 计划，我们认为其业绩有望在 23H2 企稳，具备穿越周 期底部的韧性。结合公司降低产能利用率及 Capex 的应对措施、库存增速已过高点的库存 指标、出货量环比明显提升、下游客户库存恢复正常水平等客观因素，我们认为随着行业 产品价格逐步企稳回升，公司业绩亦有望在 CY23H2 企稳，并在 2024 年迎来行业复苏。 为此，公司采取了以下措施： 降低产量：开启减产计划，同时大幅削减自身 Capex。1）降低产量：在本轮下行周 期中，存储芯片市场价格持续下探。美光等主流厂商通过减产的方式缓解行业供需关系， 规避价格持续下行。美光于 FY23Q3 业绩会上表示，DRAM 和 NAND 较 FY2022 高点的 减产幅度由 25%提高至 30%，反映下游市场的持续供过于求。三星于 2023 年 4 月份宣 布减产，亦是存储厂商价格战终结的重要因素之一。伴随各头部存储芯片厂家的减产计划 和资本开支的下调，供需错配的行业背景有望出现改善。2）削减 Capex：主流厂商在 2023 年同样削减了资本开支。美光、SK 海力士等厂家纷纷削减资本开支 30%-50%不等。其中 美光 2023 年 Capex 预计为 70 亿美元，同比下降 42%，2024 年 Capex 将略微增长，但 其中 FY2024 WFE（晶圆厂设备）Capex 将同比下降。

消化库存：公司库存增速已过高点，下游客户库存去化亦接近尾声。根据公司 FY23Q4 业绩，美光的库存增速已连续三个季度下行。此外，公司在 FY23Q4 业绩会上对下游客户 库存水平进行了描述，其中，1）PC 与智能手机：大多数客户库存已恢复至正常水平，与 公司此前预期一致；2）数据中心：库存持续优化，有望在 CY2024 年早期恢复至正常水 平，更多受到传统数据中心的影响；3）汽车：大多数客户库存已恢复至正常水平。结合 上述信息，我们认为，公司自身与下游库存水平都正在往健康方向发展。

布局 AI：布局先进 HBM 产品，为下轮上行周期注入新驱动。根据公司官网，美光的 高带宽（Ultra Bandwidth）产品布局包括 HBM3E、HBM2E、GDDR6 与 GDDR6X，其中： 1）产品节奏：最先进的 HBM3E 于 2023 年 7 月 26 日推出并开始送样，根据公司 FY23Q4 业绩会，HBM3E 目前正处于 NVIDIA 计算产品的资格认证阶段，预计将于 CY2024 早些 时候量产，并在 FY2024 实现有意义的收入。2）产品性能：根据公司官网，HBM3E 是业 界首款第二代 8 层堆叠（8-High）的 24GB HBM3，将基于业内先进的 1-Βdram 节点生 产。HBM3E 的带宽超过 1.2TB/s，每脚位传输速率超过 9.2Gb/s，性能比当时市面上其它 HBM3 解决方案高出 50%，能够缩短 GPT-4 等大语言模型 30%以上的训练时间，并能够 符合多模态数兆参数 AI 模型所需。

技术优势：专注于 DRAM 与 NAND 领域，制程精进程度领先行业

制程节点：DRAM 与 NAND 制程皆领先行业。1）DRAM：美光 DRAM 制程节点领 先行业。目前 1α贡献了公司大部分 DRAM 产量，同时，美光已开始向 1β过渡。2022 年 11 月 1 日，美光向选定的合作伙伴运送其 1-βDRAM 技术的合格样品，并已经开始进 行基于该节点技术的量产准备。1β节点将允许以更小的占用空间提供更高的内存容量， 从而降低每比特数据的成本，并将使得系统在使用数据密集型 5G 和人工智能应用程序期 间，依旧保持响应的及时性和流畅性。2023 年 5 月，美光宣布向引入极紫外 (EUV) 技术 以制造其下一代 DRAM 1γ节点，以确保公司产品在存储密度上的竞争力居于行业前列。 2）NAND：美光 NAND 层数领先行业。3D NAND 为主流技术方向，可通过垂直堆叠多个 存储层来实现更高的存储密度。美光于 2022 年 7 月 26 日宣布量产 232 层 3D NAND，是 第一个推出 200 层以上 NAND 的公司，主要反映公司的技术领先性。美光推出的 NAND 产品实现了当时的最高密度，达到 14.6 Gb/mm2，而三星 238 层 NAND 的 TLC 密度为 11.5 Gb/mm2，SK 海力士 238 层 TLC 密度为 14.39 Gb/mm2 (其在 2023 年 ISSCC 会议上 展示的 300+层 NAND 密度达到 20 Gb/mm2 )。

产品性能：最新一代 DRAM 产品为 DDR5，具备多层面技术优势。近年来，数据中 心基础设施的需求不断增长，对存储芯片的性能和可靠性均提出了更高的要求。DDR5 内 存是目前公司最先进一代 DRAM 产品。美光的 DDR5 内存相比 DDR4 内存总体性能实现 了大幅提升，且更针对数据中心打造，DDR5 内存大幅提高了 AI、HPC 和数据密集型应 用程序的性能，相比 DDR4，DDR5 能够提供更多的计算能力、更高的内存带宽。

从带宽上看：美光的 DDR5 DRAM 总带宽可达 4800 MT/s，未来可扩展到 8800 MT/s，与 DDR4 相比（带宽 3200 MT/s）具有显著提升。根据美光奥斯汀实验室的测试数据，带有 Micron DDR5 4800 MHz 系统的单插槽第四代 AMD EPYC CPU 9654（96 核）的带宽可 达 378 GB/秒，相比 Micron DDR4 3200 MHz 189GB/秒的测试结果来看，DDR5 在内存带 宽方面提升大约 2 倍。

从存储密度上看：存储性能的提升对于满足数据中心驱动的存储需求具有显著意义。伴随数 据中心工作负载的提高，对内存的速度和存储密度均提出了更高挑战。美光 DDR5 在存储 密度方面实现了显著提升。搭载 24Gb 组件，其存储密度有望在未来伴随组件的升级而进一 步提升。根据 TechInsights 的数据，美光 DDR5 DRAM-4800 的核心存储密度约为 0.25Gb/mm^2，高于三星和 SK 海力士的同类可比产品。

从传输效率与速度上看：美光 DDR5 DRAM 通过搭载可扩展内存增加处理器核心数量，以 提升传输表现。提高总线效率对于系统性能是至关重要的，因为它直接数据传输的速度和效 率。美光 DDR5 DRAM 总线传输效率相比其 DDR4 产品提高了 36%，同时传输速度上限提 高至 8800MT/s。总线传输效率和传输速度的提高对于改善系统的性能和响应时间有着重要 意义，正因如此，美光 DDR5 DRAM 产品在数据中心存储、高性能计算、商业分析等领域 皆表现不俗。

广泛布局：工厂布局全球化，下游布局多元化

工厂布局：美光在全球范围内建立的广泛布局是其核心竞争力之一。其在美国、中国 大陆、新加坡、中国台湾、马来西亚和日本等国家及地区均设立了制造或研发中心，并配备了先进的制造设备和研发实验室。同时，美光建立了覆盖全球范围的销售和服务网络， 与全球客户紧密合作，提供个性化的解决方案。

下游多样化：公司下游客户呈现多元化态势，更好应对下游行业波动。对公司来说， 移动设备、客户应用&显卡、企业级应用&云服务、固态硬盘&其他、汽车工业&消费五个 板块为收入的主要贡献者。总体来看，公司有着较为均衡的下游布局，反映美光产品矩阵 的丰富性，并具备覆盖多元化下游的能力，以更好地应对下游不同行业的周期变化。

兼并扩张：公司通过不断并购，增强 DRAM 与 NAND 的竞争力。总体来看，美光的 收购目的主要包括提升技术水平与扩充产能。通过不断的兼并收购，持续巩固公司的竞争 优势。2013 年，美光以总价值 25 亿美元收购苹果主要供应商 Elpida 公司及其拥有的 Rexchip 以加强晶圆生产能力；2014 年，美光购买了 Inotera 33%股权，两年后年在持有 Inotera 33%股权基础上收购剩余 67%股权。Inotera 是南亚科技与英飞凌的合资企业，提 供 DRAM 代工服务。Inotera 的 Fab 11 制造工厂位于中国台湾桃园，占美光总产量的约 35%，此次收购极大增加了美光 DRAM 的产能。2016-19 年，美光均有收购动作。

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