2025年中微公司研究报告：刻蚀设备领军企业，内生外延打造平台型公司

1、刻蚀设备领军企业，内生外延三维发展

国产刻蚀设备领军者，产品品类持续扩张

公司于2004年开始运营，随后开启了产品品类的持续扩张之路：公司于2007、2010、2012、2016、2017年分别研制成功了首台CCP刻蚀设备、首台TSV设备、首台MOCVD设备、首台VOC设备、首台双反应台ICP刻蚀设备； 同时公司对刻蚀设备进行持续迭代，于2011、2013和2016年分别研制成功了45nm、22nm和7nm介质刻蚀设备，于2017年成功进入国际先进7nm产线，2021年顺利付运首台8英寸CCP刻蚀设备；此外，公司在沉积设备领域持续发力，2022年首台CVD钨设备付运客户，2024年新产品LPCVD设备实现首台销售。 在投融资方面，公司于2014年成为第一家“大基金”投资的企业，2015年完成对拓荆的投资，最终于2019年成为科创板首批上市公司。

公司创始人资历深厚，激励计划增强人才稳定性

公司股权结构较为分散。截至2024年三季报，上海国资旗下的上海创业投资有限公司持有公司15.05%的股份，为公司第一大股东，此外国家集成电路产业投资基金及其二期分别持有公司13.04%和3.93%的股份。 创始人技术背景深厚，激励计划增强人才稳定性。公司创始人兼董事长尹志尧博士曾先后担任泛林半导体研发部资深工程师、研发部资深经理，以及应用材料等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官等，从业经验丰富，是公司核心技术人员之一；同时，公司上市后多次发布限制性股票激励计划，其中2024年限制性股票激励计划激励对象总人数达到了全体职工的99.72%，预计将有效增强人才团队的稳定性。

新签订单持续提升，2019-2023年公司业绩快速增长

公司产品持续获得国内外客户认可，2019-2023年经营业绩持续高增。2019-2023年，公司营收由19.47亿元增长至62.64亿元，复合增长率达到33.93%，归母净利润由1.89亿元增长至17.86亿元，实现了75.43%的复合增长率； 2024年前三季度，公司营收同比增长36.27%至55.07亿元，其中公司主力产品刻蚀设备收入为44.13亿元，同比增速高达53.77%；归母净利润同比下降21.28%，一方面是研发费用同比增长较多，另一方面，2023年同期公司出售持有的部分拓荆科技股票产生股权处置收益，导致2023年归母净利润基数较高。

2、CCP刻蚀国产龙头，ICP刻蚀稳步突破

刻蚀为芯片制造重要工序，干法刻蚀为行业主流

刻蚀是芯片制造的重要工序之一，按照工艺可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。湿法刻蚀主要利用腐蚀剂进行刻蚀，在线宽控制以及刻蚀方向性等方面存在局限性，3μm之后的工艺大多采用干法刻蚀，根据华经产业研究院数据，2021年全球干法刻蚀市场规模占比在90%以上，是当前主流技术。  干法刻蚀按照刻蚀的材料不同可以分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀。针对不同材料的刻蚀设备，其市场占比会随着工艺技术的发展出现此消彼长的情况，例如30nm之后的工艺中出现的多重图形技术使得硅刻蚀的占比快速增加。根据智研咨询数据，2022年中国刻蚀设备市场中，介质刻蚀和硅刻蚀占比分别为50.6%和45.6%，应用较为广泛。

海外巨头垄断市场，国产厂商崭露头角

由于刻蚀工艺较为复杂，技术壁垒较高，海外巨头泛林半导体、东京电子、应用材料等占据了市场的主要份额，根据华经产业研究院的数据，2020年三者合计市占率为90.25%，市场集中度较高。国产厂商北方华创、中微公司在刻蚀设备领域均有所突破，目前已在国内晶圆厂产线上实现规模化应用。 全球半导体刻蚀设备市场规模预计将实现稳健增长。根据Business Research Insights的数据，全球刻蚀设备市场规模将由2023年的207.4亿美元增长至2032年的321.7亿美元，年均复合增速为5%。

芯片制造技术持续迭代，带动刻蚀需求增长

先进制程芯片的多重曝光需求使得刻蚀设备的重要性进一步提升。随着国际上先进芯片制程从7-5nm阶段向更先进工艺方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺进行曝光，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸； NAND进入3D时代，其层数增加要求刻蚀技术实现更高深宽比，带动刻蚀设备需求进一步加大。3D NAND增加集成度主要是通过增加堆叠层数，因此刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上加工40:1到60:1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。

公司CCP刻蚀技术领先，ICP刻蚀进展可观

CCP刻蚀方面，公司已对28nm以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28nm及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。根据公司2024年半年报，DRIE、AD-RIE可以满足绝大多数28nm以上CCP刻蚀需求，2024H1付运数量超过2023年全年；AD-RIE-e除了持续付运用于最先进逻辑芯片生产线，还取得了先进存储生产线的重复订单，2024H1付运量为2023年全年的2倍以上；SD-RIE在首家先进逻辑客户端针对金属掩膜一体化大马士革刻蚀工艺的验证已进入良率测试阶段，并进入第二家客户进行现场验证；UD-RIE已经在存储器件生产线验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的量产能力。

ICP刻蚀方面，公司设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理以及微电机系统等芯片和器件的60多条客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。截至2024年上半年，公司ICP刻蚀设备中的Nanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>70%的年均复合增长，8英寸和12英寸深硅刻蚀设备在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证。

3、薄膜沉积设备顺利推进，量测检测设备持续布局

薄膜沉积为芯片制造核心工序之一，技术路线具备多样性

薄膜沉积是指采用物理或化学方法在衬底材料上沉积一层待处理的薄膜 材料，根据工作原理不同可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积 （CVD）和原子层沉积（ALD）等：

物理气相沉积（PVD）：是指利用物理方法，如真空蒸发、溅射镀膜等 方式在晶圆表面形成薄膜。在超大规模集成电路产业中，使用最广泛的 是溅射镀膜，其在高度真空下，将稀有气体在外加电场作用下电离成离 子，在高电压下轰击靶材，撞出靶材的分子或原子并使其抵达晶圆表面 形成薄膜，主要应用于集成电路的电极和金属互联。根据Gartner数据， 2020年PVD设备市场占比约为19%，随着集成电路集成度不断提高， 多层金属布线的层数越来越多，PVD工艺的应用也将更为广泛。

化学气相沉积（CVD）：是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温 度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底材料表面从而获 得薄膜。根据Gartner数据，2020年CVD设备市场占比约为66%。

原子层沉积（ALD）：是指通过单原子膜逐层生长的方式，将原子逐层 沉淀在衬底材料上，反应过程中会周期性地在反应腔通入反应前驱物， 形成周期性的薄膜沉积，因此拥有非常精准的膜厚控制和优越的台阶覆 盖率，在28nm以下先进制程取得了越来越广泛的应用。根据Gartner 数据，2020年ALD设备市场占比约为11%。

海外厂商占据优势份额，国内厂商多领域破局

根据前瞻产业研究院引用Gartner的数据，三大细分市场均由海外厂商主导，其中应用材料基本垄断了PVD市场，2019年市场份额为85%；CVD市场中，应用材料、泛林半导体和TEL三足鼎立，2019年市场份额分别为30%、21%和19%；ALD市场则主要由TEL和ASM主导，2019年市场份额分别为31%和29%。 全球薄膜沉积设备市场规模预计稳步提升。根据观研报告网的数据，2025年全球薄膜沉积设备市场规模将达到340亿美元，同比增速预计为21.4%。

量测检测设备重要性显著，公司积极布局光学及电子束检测

应用于前道制程和先进封装的质量控制根据工艺可细分为量测和检测两大环节。量测指对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌等物理性参数的量测；检测指在晶圆表面上或电路结构中，检测其是否出现异质情况，如颗粒污染、表面划伤、开短路等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构缺陷。

从技术路线原理上看，检测和量测包括光学检测技术、电子束检测技术和X光量测技术等。根据中科飞测招股书转引VLSI Research和QYResearch的数据，2020年全球半导体检测和量测设备市场中，应用光学检测技术、电子束检测技术及X光量测技术的设备市场份额占比分别为75.2%、18.7%及2.2%，应用光学检测技术的设备占比具有领先优势，电子束检测技术亦具有一定的市场份额。

报告节选：

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