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中微公司研究报告：国产刻蚀+MOCVD龙头，加速打造高端装备平台。二十余载砥砺前行，国产高端装备平台领军者。中微公司成立于2004年 5月，当前公司已形成以刻蚀设备、MOCVD设备为基，向薄膜沉积设备、 量检测设备等拓展的平台化发展格局。公司目前等离子体刻蚀设备技术能 力达到5纳米级以下，未来还将继续开发更先进工艺水平，市占率持续提 升并不断收到领先客户批量订单。MOCVD设备在Mini LED等氮化镓基设 备领域市场占据领先地位，未来还将持续开发用于氮化镓、碳化硅等功率 器件及Micro-LED器件制造的MOCVD设备。24H1实现薄膜设备的首台 销售，公司还在规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备覆盖率。伴随 高研发转换效率，公司营收业绩稳健增长，收入和归母净利润分别从2018 年的16.39/0.9亿元增长到2024年的约90.65/16.3亿元，复合增速分别 达到33.0%/61.7%。

CCP领域技术领先，ICP设备付运势头强劲。刻蚀是半导体图案化过程的 核心工艺，全球范围来看，LAM、AMAT、TEL等企业占据市场主导地位。 受益于芯片向更先进制程演进及存储器件垂直化发展，叠加多重曝光下刻 蚀工艺步骤提升，刻蚀设备重要性进一步提升。中微公司凭借系列刻蚀设 备组合处于刻蚀创新技术前沿，市占率大幅提升，截至2024年第三季度， 公司累计交付CCP反应台超3800个，设备覆盖28纳米以上逻辑器件制 造绝大部分CCP刻蚀应用，公司ICP设备拥有700+反应台在线生产，覆 盖95%以上刻蚀应用。其中，Nanova单台机订单年增长超100%迅速扩 大市占率，PrimoUD-RIE已在生产线验证具有刻蚀≥60：1深宽比结构量 产能力，TSV新工艺验证成功，推动我国高端半导体制造设备达到新高度。

薄膜沉积设备研发转换高效布局，MOCVD应用领域拓宽。薄膜沉积设备 是芯片制造三大核心设备之一，按工艺原理不同，可分为PVD、CVD和 ALD，2025年全球薄膜沉积设备市场规模预计达239.6亿美元，目前行业 由AMAT和、Lam和TEL等企业垄断，国产厂商份额提升空间广阔。中微 公司持续推进多款薄膜沉积设备研发项目，至2024年中已实现六种设备 高效研发交付及客户量产验证，钨系列薄膜沉积产品全面覆盖存储器件钨 应用，公司LPCVD薄膜设备已经顺利进入市场，2024年收到4.76亿元批 量订单，实现销售收入1.56亿元。同时，公司深耕MOCVD领域，在全球 氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。