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中微公司深度报告：国产刻蚀设备领军者，薄膜业务蓄势待发。中微公司是国内半导体设备的龙头企业之一，主要为集成电路、LED外延片、功率器件、 MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等设备。公司深耕集成电 路制造核心设备领域，主要产品包括刻蚀与薄膜沉积设备两大类：刻蚀设备方面，公司的 等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际一线芯片制造商的先进制程产线；薄膜沉积领域，公 司近年来成功开发的LPCVD和ALD设备已通过客户验证，多款产品进入市场并获大批量 重复订单。在泛半导体设备领域，公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，随着全球半导 体产业向三五族化合物半导体加速拓展，尤其在Mini/Micro LED新型显示、新能源汽车功 率器件等领域的需求持续释放，MOCVD设备作为关键工艺装备，市场空间将进一步扩大。 此外，公司积极把握半导体设备市场新机遇，通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等在 量检测设备、环保设备、工业互联网等领域积极拓展，构建多元化的业绩增长点。为满足 业务快速增长需求，公司持续保持高强度研发投入，2025年前三季度研发费用达17.94亿 元，同比增长96.30%，研发费用率高达22.25%，未来五到十年，公司计划通过自主研发 与产业合作，覆盖集成电路关键领域超过60%的设备市场，实现高质量可持续发展。

公司以CCP刻蚀设备为核心，并顺利研发ICP刻蚀设备，覆盖95%以上的刻蚀应用需求， 伴随先进制程与三维存储技术的迭代，刻蚀设备的需求将进一步提升。制程进步伴随着工 艺尺寸的进一步缩小大幅度提升了对刻蚀设备的需求，根据SEMI，一片7nm芯片在生产过 程中需经历约140次刻蚀工艺，相比28nm制程所需的40次，增长超过2.5倍。公司12英寸 高端刻蚀设备已实现从65nm至5nm及更先进制程的量产应用，面向5nm以下节点，公司正 积极推进下一代机型研发，旨在进一步提升刻蚀选择比、均匀性及量产稳定性。三维存储 方面，堆叠层数的不断增加不仅对刻蚀设备的需求提升，在深宽比能力方面也提出更高要 求。公司开发的超高深宽比掩膜ICP刻蚀设备与超高深宽比介质CCP刻蚀设备已在先进存 储制造产线中大规模应用。目前，公司已成功研制出三代共18种等离子体刻蚀设备，主要 聚焦CCP刻蚀设备，ICP刻蚀设备进展顺利，2025年前三季度，公司刻蚀设备营收61.01亿 元，同比增长约38.26%，占总营收约76%。

薄膜沉积和MOCVD外延设备方面，公司已成功发布六款薄膜沉积产品，覆盖存储器件及 先进逻辑器件的钨、金属工艺需求；公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，将进一步向 mini/micro LED和功率器件延伸。1）2025年前三季度，LPCVD和ALD等薄膜设备收入 4.03亿元，同比增长1332.69%。钨系列产品方面，公司提供CVD钨、HAR钨及ALD钨设 备，可满足存储器件所有钨应用场景，包括高深宽比金属互联及三维存储器件字线应用； 金属栅极应用领域，公司推出的金属栅系列产品涵盖ALD氮化钛、ALD钛铝及ALD氮化钽 等多款设备，在薄膜均匀性、污染物控制与生产效率等关键指标上均达到国际先进水平， 全面满足先进逻辑制程需求。2）公司2024年MOCVD设备营收3.79亿元，同比下降 18.03%。公司是氮化镓基LED市场最大的MOCVD设备供应商，凭借PRISMO A7、HiT3 及UniMax等系列产品持续服务全球客户。公司亦积极拓展MOCVD技术应用边界，新一代 硅基氮化镓设备与碳化硅外延设备正分别处于研发与验证阶段。尽管受LED市场波动影 响，公司通过向高端显示、功率半导体等领域的拓展，有望开辟新的增长空间。