2023年杰华特研究报告 重点业务正从消费向通讯、工业等领域过渡

进入高速增长期，重点业务正从消费向通讯、工业等领域过渡

股权结构稳定

截至9月26日，ZHOU XUN WEI和黄必亮合计控股47.05%股权，为公司共同实际控制人。

公司进入高速增长期

公司进入高速增长期：公司2021年实现营收10.42亿元，同比+156%，归母净利润为1.42亿 元，扭亏为盈。公司2022年前三季度的营收与归母净利润分别为10.40与1.09亿元。电源管理芯片：公司电源管理芯片包括DC-DC芯片、线性电源芯片以及AC-DC芯片，其中 DC-DC芯片逐渐发力，AC-DC芯片营收占比逐年下降，主要系公司AC-DC芯片主要用于消 费电子，而公司逐步将业务重点向工业与汽车等其他应用领域过渡。2021年开始公司线性电 源芯片营收增长快速主要系新品量产以及与大客户展开合作。 信号链芯片：目前占比较小，营收增长主要系新产品的推出。

业务重点从消费电子向通讯电子、汽车电子及工业应用等领域过渡

随着公司消费电子应用领域业务的逐步稳定、 电源管理芯片的持续迭代以及产品布局的不断 拓展，公司逐步将业务重点从消费电子向通讯 电子、汽车电子及工业应用等领域过渡。 汽车电子与新能源领域等国家战略性新兴行业 将成为公司的重点市场发展方向。

DC-DC芯片：平均单价逐年提升主要系产 品型号的丰富、应用领域向通讯电子、计 算与存储及汽车电子拓展以及与客户合作 的加强。AC-DC芯片：20年平均单价同比下降主要 系推出成本低产品且采取具有市场竞争力 的定价策略；后续年份平均单价提升主要 系需求以及产品结构改善。线性电源芯片：21年平均单价提升较多主 要系新产品实现量产、单价较高的通讯电 子产品占比高于单价较低的计算与存储。 电池管理芯片：锂电池充电芯片采取业内 领先的集成充电方案，营收增长较快。信号链芯片：收入提升主要系新品推出。

综合毛利率稳步提高，2022H1研发费用率20.46%

随着线性电源芯片在通讯领域的新品的量产、DC-DC芯片在通讯领域的产品进入大客户供应 链并逐步放量、市场需求的驱动以及产品结构的变化，公司综合毛利率呈上升趋势，2022前 三季度实现综合毛利率40.71%。 扣除股份支付后，2019-2021公司四费比率呈下降趋势；2022H1管理费用率有所上升主要系 公司营业规模增长需扩充人员； 2022H1公司财务费用率增长主要系支付较多产能保证金等原 因使得公司银行贷款增加，利息支出金额增长。作为技术驱动型公司，公司始终保持较高的研 发费用率。

供应商稳定，品牌客户资源丰富

公司不存在向单个供应商采购比例超过采 购总额50%的情况，且供应商稳定。 公司采购业务通常采用“框架协议+订单 ”的方式向供应商采购，公司与前五大供 应商均签署重大采购合同；2022年1月， 公司与中芯国际签署《战略合作协议》， 约定公司向中芯国际提供金额为 33,920 万元人民币的保证金，以协助中芯国际为 满足公司的产能需求持续投资扩充产能， 合同有效期至 2025年12月31日。

中低压+高压+超高压BCD工艺平台彰显技术不可替代性

虚拟IDM模式：基于自有工艺进行芯片制造

同业上市公司采用 Fabless业务模式，而 公司采取虚拟IDM模 式，是国内少数同时 具备自主工艺制造技 术和多产品线设计开 发能力的模拟集成电 路企业。

模拟集成电路工艺

目前应用于模拟集成电路的工艺包括 BCD工艺以及CMOS等其他工艺，公司 使用BCD工艺，该工艺可以降低模拟芯 片的功耗、减少不同模块之间的相互干 扰并降低成本。 现阶段BCD工艺的发展路径是“More Moore”和“More than Moore”齐 头并进，即在重视制程的更新外，亦聚 焦于优化功率器件结构、使用新型隔离 工艺等方向。

中低压：0.18微米的7-55V中低压BCD工艺

公司自主研发的7-55V电压先进BCD工艺平台，经过三期迭代，目前已处于国际先进水平， 相关参数与某头部晶圆厂第三代工艺相近。 基于该工艺平台，公司进行中低压全集成电源管理芯片的研发，已量产诸如国内首款60A单 芯片全集成芯片、大电流POL等多个产品品类，广泛应用于服务器、人工智能、通讯等领域 下的低压大电流CPU供电场景。

高压：0.18微米的10-200V高压BCD工艺

公司自主研发的 10-200V 高压BCD工艺平台主要用于研发高压、高可靠性芯片。与主要晶圆 厂相比，公司高压BCD工艺的器件击穿电压BV（Breakdown Voltage）能力较强，特别是在 200V高耐压应用中具有明显优势。基于该工艺平台，公司已经量产多系列芯片如热插拔保护芯片，以太网供电芯片，桥式驱动 芯片等，广泛应用于通讯电子和工业应用等领域。

超高压：0.35微米的10-700V超高压BCD工艺

公司自研的超高压BCD工艺平台适用于AC-DC系列产品的研发，基于该平台，已量产了诸如 应用于高频 GaN 的ACF控制器等多款行业先进性产品。公司的第三代超高压BCD工艺平台在晶圆面积、电源效率及耐压等级等多项指标上达到或超 过了部分国际知名厂商的公司产品，并且该工艺的主要器件性能已优于部分主流晶圆厂的器 件性能。

DC-DC：21年营收占比36%；产品覆盖5~700V低中高全电压等级

公司的DC-DC芯片兼具成本优势和性能优势：基于与所需电压相匹配的自有工艺，公司针对 性进行电路设计，实现晶粒面积小于竞品，具备成本优势；同时公司基于自研的DC-DC控制 技术并结合下游终端设备的系统应用特点进行优化，实现产品的高效率、高可靠性以及良好 的电源特性。

DR MOS：MOSFET的节能高效之星

Doctor MOS（DR MOS）是将High Side MOS、Low Side MOS及驱动IC三个原先分离的 原件，通过四方平面无引脚封装技术整合成高度集成电路化元件的节能技术。三合一封装的 DR MOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频 的潜力，并大幅降低寄生电容电感，进而降低开关损耗，达成卓越效率。

传统的CPU/GPU电源供应器，需使用三颗IC： Driver、 high side MOSFET、low side MOSFET，然而这三个独立 的IC，分散在主板上，彼此间的讯号传递路径很长，操作频 率无法太高。 因此若需在更高频的环境下操作，是无法提供 CPU/GPU足够的动态电流。

DR MOS则是将上述三个独立原件，封装在一个QFN中，将 大幅降低控制讯号的传递路径，将可提高操作频率。使用DR MOS的主板，在相同的散热条件下，温度及阻值更低，展现 更好的用电效率、更省电; 此外，透过DR MOS的超低电源反 应时间及低阻抗特性，主板也会有更好的超频表现。

DR MOS应用：主要多用在CPU/ GPU供电、服务器、数据库、5G等需要高频操作的应用。 凭借其将新型MOS和驱动其开关的电路集合于单晶片原理，DR MOS缩短了开关切换时间， 具备更低的内部电阻及漏电流。因此，其动态响应速度更快，发热量低，无用功耗低，功率 密度更高。这些特性，使得DR MOS被广泛运用于PC（主板）、图形卡、笔记本电脑、服务 器、路由器及存储器。

多相控制器：电源管理系统的智慧大脑

多相控制器应用：主要用在CPU/ GPU/ SoC/ ASIC供电、服务器与计算系统等需要大电流、 低电压、快速瞬态响应和高频操作的应用。数字多相控制器凭借自动环路补偿和自适应切相 功能，大大提升了多相变换器的效率，因此能够更有效地解决大电流/功率应用挑战，大幅降 低部件选择、环路/性能优化和布局等带来的负担。这些特性，使得数字多相控制器被广泛运 用于汽车、消费电子、工业、电信基础设施、云计算等领域。

数字多相控制器是改善数据中心效率和尺寸 的关键技术：随着用户对数据中心的需求越 来越大，提高数据中心尺寸和密度也变得迫 在眉睫。其中关键制约因素是服务器每个机 架的功率限制。提高工作电压是一种解决方 案，但该方案必须同时满足高效率与小尺寸 。因而无需任何外部元器件的数字多相控制 器成为技术关键，其带来的低成本与系统可 调性使得该技术更具吸引力。

多相控制器是一种为中央处理单元 (CPU)、图形处理单元 (GPU)、片上系统 (SoC) 和专用集 成电路 (ASIC) 等供电的功率转换控制系统。该技术可以通过自适应切相和相位控制等方法， 根据负载电流的变化改变相位操作来提升多相变换器的效率。这一技术可满足服务器和计算 系统对大电流、低电压和快速瞬态响应的需求。

传统的模拟控制器在优化补偿回路时需进行多次迭代计算 外部元件正确值以满足多种工作条件；模拟控制需要大量 外部器件进行环路补偿和负载-线性校准，占板面积大且设 计复杂；传统模拟控制器使用一个 PWM 信号来驱动单个 功率级，无法满足500A以上的大电流需求。

数字多相控制器由于具有自动环路补偿的功能，避免了潜 在的重复劳动，从而有更好的瞬态性能；同时无需任何外 部元器件便可完成系统微调，在减少PCB布局复杂程度的 同时亦减少了占板面积；无需使用倍相器便能满足500A以 上的大电流需求。

AC-DC：21年营收占比35%；供宽电压、低能耗、高性价比

基于自主平台工艺的芯片设计，公司可提供宽电压、低能耗、高性价比的AC-DC产品。通过 对产品的持续性迭代与创新，公司逐渐在快充、智能电表、照明等市场积累了较强的品牌知 名度。同时公司的AC-DC应用市场国产芯片方案发展迅速且客户认可度高，国产市场空间逐 步释放。

募投持续赋能汽车电子等下游应用的渗透以及BCD工艺平台

2022E全球模拟芯片和信号链模拟芯片各617亿、110亿美元市场

目前我国的模拟市场份额占全球比例已超过60%，国产替代需求强劲，随着新技术与产业政 策的双轮驱动，中国模拟芯片市场将迎来更大的发展机遇。

电源管理芯片行业集中度较高，市场增长驱动力强劲

全球电源管理芯片的CR6为61%，集中度较高 ，主要厂商为德州仪器、亚德诺、英飞凌、罗 姆、微芯、日立，国内厂商的市场份额总体较 小，仍处于追赶阶段，国产替代需求强劲。 电源管理芯片市场的增长驱动力来自细分市场 规模的持续增长以及智能化需求开拓的新型应 用领域的不断拓展。 电源管理芯片各品类中DC-DC、PMIC等品类 规模占比较高。

2026E全球电源管理芯片565亿美元市场，汽车领域潜力巨大

2021年全球电源管理芯片市场规模约为370亿美 元，按销售收入口径测算，2021年公司在全球电 源管理芯片的市场份额约为0.43%。 受益于物联网及5G时代应用领域的拓展及需求的 增加，TMR预测2026年全球电源管理芯片市场规 模将扩张至约565亿美元，其中全球汽车电源管理 芯片市场规模预计从2020年的22.5亿美元扩张至 2026年的37.8亿美元（Yole预测），CAGR为9% ，增长潜力巨大。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）