2022年振华科技主营业务及业务布局分析 振华科技为军工电子元器件的龙头

一、振华科技：军用电子元器件龙头企业

1.1公司剥离低质量业务，聚焦主营电子元器件业务

公司为军用元器件赛道龙头企业，产品广泛应用于核工业、航天航空等领域。振华科技前 身为 1965 年成立的大型军工电子基地（“083 基地”），是国家“863 计划”重点发展 对象，公司于 1997 年在深圳证券交易所上市，从 2013 年开始逐步剥离无效资产，于 2019 年开始聚焦于军工电子元器件业务。经历 50 余年深耕军工电子元器件赛道，公司目前已 经成为国内军用电子元器件的龙头企业，具有专业化、规模化的新型电子元器件研发生产 基地，为航天、航空、核工业、兵器、船舶等行业持续提供优质电子元器件。

持续剥离低质量业务，聚焦主业。当前，智能手机市场相关电子业务已由增量市场竞争转 化为存量市场竞争，高端品牌开始抢占低端市场。因此，公司在 2013-2019 年间，先后剥 离欧比通信、百智科技、智能科技、振华天通、振华通信等子公司。目前公司仍持有振华 通信 49%的股权，但最终战略为退出通信整机相关业务，消费市场带来的经营风险得到释 放，为企业聚焦高端军用电子元器件奠定坚实的基础。

公司实控人为中国电子信息产业集团，旗下多家优质子公司并行横向拓宽影响力。截止 2022 一季度末，公司控股股东是振华电子集团，直接持有 32.73%的股权。中国电子信息产业集团 为实际控制人，为中央主营网络安全、信息化的骨干企业。振华科技目前有 9 家全资子公司和 3 家控股子公司，不同公司间业务明确。振华永光、振华云科等 10 家子公司覆盖主动元件、 被动元件和电源模块等新型电子元器件业务，其中多家为细分赛道龙头，是公司的营业收入主 要贡献者。振华动力、中电桑达 2 家子公司主营服务业。旗下子公司齐头并进产生协同效应， 扩大在电子元器件领域的影响。

1.2 业务结构优化调整，公司业绩随市场旺盛需求大幅提升

业务”瘦身”、聚焦主业助公司盈利质量大幅增长。2017-2019 年，受低效业务剥离与低质 量子公司股权转让等原因，公司可计入合并报表收入持续减少，因此，整体营收自 2017 年的 80.18 亿元快速下降至 2019 年的 36.68 亿元，得益于其 2019 年后的主营新型电子 元器件业务的盈利能力突出，2017-2019 年的归母净利润仍呈现每年的额小幅上涨。 2020 年后公司基本聚焦新型电子元器件产业，盈利质量显著改善。

2020 年营收 YOY+7.7%，归母净利润 YOY+103.5%，达 6.06 亿元。随着“十四五”期间对于军品电 子元器件的需求进一步加大，2022Q1 公司营业收入达 18.86 亿元，YOY+44.2%，归母 净利润达 6.07 亿元,YOY+146.2%。振华科技作为军工电子元器件的龙头公司，预计随着 下游需求持续放量，其业绩仍将保持较高的增长趋势。

公司相较同业盈利能力突出。振华科技作为军用电子元器件的龙头企业，自 2017 年起， 振华科技电子元器件收入都为可比公司同年份收入的 2 倍以上。公司产品相较于同业有更 高的下游认可度，振华科技在高营收基数下，同比增长率也呈现快速上升的趋势，2021 年营收同比增长率达到 43.5%。“十四五”期间军装备加速列装，结合军工行业以销定产 的特点，2021 年振华科技合同负债达 2.14 亿元，YOY+525.8%，远超同业公司，增长态 势维持到 22 年一季度，体现公司在手订单充足，在新型号订单获取上具备核心竞争力， 为公司未来业绩增长提供有力支撑。

高附加值军品占比提升拉动电子元器件业务毛利率稳步上升。振华科技着重旗下 5 家主动 与被动元器件子公司的发展，5 家子公司营收占总收入的比例从 2017 年的 27.2%快速增 长至 2021 年的 75.7%。其中高端半导体分立器及集成电路业务等主动电子元器件业务更 是发展重点，主要子公司振华永光和振华微增速高于其余子公司，业务结构呈现高端化发 展趋势。预计未来随着企业持续加码高端电子元器件业务，公司整体毛利率将进一步提升。

期间费用管控初见成效，或进一步推动盈利质量提升。2019 年公司处置振华通信股权后， 期间费用率出现拐点，除 2021 年管理费用因一次性计提统筹外费用 2.3 亿元导致大幅上 升外，其余皆呈现下降趋势。2022Q1 公司管理、销售和财务费用继续呈现下降状态，费 用率整体改善明显。预计随着期间费用的进一步有效管控，企业盈利质量将得到持续优化， 高研发费用打造军品电子元器件技术护城河。公司在电子元器件赛道研发投入远超同业。 振华科技研发费用从 2019 年的 2.32 亿元大幅上涨至 2021 年 3.70 亿元，2022Q1 研发支 出为 0.99 亿元，YOY+26.9%。相较宏达电子、鸿远电子 2022Q1 年研发费用，振华科技 对研发重视程度超越同赛道公司，加强技术护城河建立。同时，高研发投入使得公司具有 更大潜力去开拓新军品订单和冲破国外的技术封锁，优先获得国产潮带来的高端元器件存 量市场订单。

二、振华科技：横向纵向拓展合作助力国防信息化

2.1 重视研发投入，构建企业技术护城河

公司累计持有的专利数量和新增专利数量都远超竞争对手。根据公司年报，2021 年公司 共计申请专利 336 件（其中：发明专利 162 件），获得专利授权 223 件（其中：发明专 利 27 件）。公司累计拥有专利 1348 件（其中：发明专利 359 件，拥有软件著作权登记 31 件）。振华科技获得 2021 年国家级专精特新“小巨人”企业认定 1 户，获批贵州省级 工业设计中心 3 个，目前累计拥有省部级以上创新平台 25 个。荣获贵州省科技进步二等 奖 1 项、三等奖 3 项。

这些数据目前都远超其竞争对手，与其高研发投入所匹配，说明公 司的研发支出有效的转化为实际成果。而其主要竞争对手宏达电子、鸿远电子、火炬电子 累计专利仅为 231、125、264 个。振华科技以电子元器件为核心主业，瞄准中高端产品， 提前布局，着力关键核心技术研发以及共性技术、前沿前瞻性技术研究，持续加大科技投 入，加快推进募投项目和产业化能力建设，努力提升公司核心竞争力。

2.2 股权激励绑定核心员工，高目标彰显公司信心

股权激励有效防止人才流失，同时提高公司运营效率。公司于 2018 年末发布股权激励计 划，主要对象为公司及控股子公司的部分董事、高级管理人员、核心管理人员、核心技术 人员、核心销售人员、核心技能人员，占公司 2019 年员工人数的比例约为 5.54%。公司 股权激励使企业的管理者和关键技术人员成为企业的股东，其个人利益与公司利益趋于一 致，有效弱化了二者之间的矛盾，从而形成企业利益的共同体。同时让振华科技的员工分 享风险经营带来的高收益，刺激其潜力的发挥。促使员工大胆进行技术创新和管理创新采 用各种新技术降低成本，从而提高企业的经营业绩和核心竞争能力。更主要的是帮助振华 科技留住人才、稳定人才。2021 年 12 月 9 日，公司会议通过《关于公司 2018 年股票期 权激励计划第一个行权期行权条件成就的议案》，公司股票期权激励计划第一个行权期行 权条件已满足，公司 351 名激励对象在第一个行权期可行权股票期权数量为 332.8 万份， 行权价格为 11.67 元/份。

2.3 积极增资潜力企业，打造平台型龙头企业

公司近五年购买大量优质资产，业务分布在电子元器件各个细分赛道。其中，公司最新并 购资产在 22 年 4 月，以现金形式对嘉兴奥罗拉电子科技有限公司进行增资扩股。增资金 额为 1,800 万元人民币，完成后公司将持有奥罗拉 20.2879%的股权比例。奥罗拉专注于 功率半导体器件，特别是 MOSFET 半导体芯片的研发和销售。

MOSFET 作为新型半导体功率器件的代表，已成为整机系统提高性能指标和节能指标的 首选产品。MOSFET 全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数 字电路的场效应晶体管。MOSFET 器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用 范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领 域。

MOSFET 市场将出现新的变革。Yole Développement 预判，未来五年会出现三个比较 明显的结构变化趋势：Trench MOSFET 将从中端下移至中低端，替代部分 Planar MOSFET 的低端市场，Advanced Trench（如 SGT 等）MOSFET 将彻底下移至中端，替 代 Trench MOSFET 在低压领域的中端市场，宽禁带（SiC、GaN 等）MOSFET 将更为 广泛地占据高端市场。

奥罗拉以自主开发国内领先水平的 MOSFET 芯片为切入点，致力于打破国外技术垄断， 实现高端半导体功率芯片自主可控。奥罗拉研制产品的主要方向为抗辐照 MOS，其开发 的抗辐照产品已基本达到了 IR 公司的R5、R6级别的产品性能。目前已推出包括 30V/100V 低压平面 MOS、30V/100V SGT、100V/200V 抗辐照 MOS 六款产品。中低压抗辐照功 率 MOSFET 的成功开发表明该公司已经自主掌握了中低压 MOSFET 抗辐照加固从芯片 结构设计到工艺流片的全流程技术，其开发的抗辐照产品已基本达到了 IR 公司的 R5、R6 级别的产品性能，产品整体达到国内先进技术水平。而低损耗 SGT MOSFET 的研制表明 该公司已经基本具备了高性能功率 MOSEFT 器件的开发能力，研发的 30V、100V SGT 器件性能优于国内同类产品,与英飞凌 OptiMOS3 性能相当。

增资后有助于打破国际技术封锁，满足国防需求。振华科技以抗辐照 MOSFET 器件目标， 与奥罗拉一道开展相关技术研究，掌握核心关键技术，实现产品自主可控。重点推进抗辐 照功率器件研制，重点目标市场为国防军事电子领域，与国家战略高度吻合，能切实提升 振华科技参与国家重大项目建设的能力，并能产生较好的经济效益和社会效益。公司致力 于打破国外技术封锁，将国际领先技术和国防建设需求相结合，真正解决国家在国防军事 工业存在的关键问题。

助力公司完善产品体系，推动结构升级转型。目前，振华科技的半导体分立器件主营产品 为二、三极管等基础半导体功率器件，整体上产品结构处于价值链的中低端，亟需向价值 链中高端的核心半导体功率器件（如抗辐照 MOS、SGT MOS、IGBT、SiC 肖特基二极 管、GaN HEMT 等）转型升级。而奥罗拉两款产品已成功应用于航天领域终端用户，对 振华科技的产品体系能提供较好的补充。增资奥罗拉后，在振华科技前期已布局的高可靠、 宇航级半导体功率二、三极管的基础上，增加了处于高新领域核心功率器件地位的抗辐照 MOS 产品研制保障能力，以系列化的 MOSFET 芯片开发为基础，将形成适应不同应用领 域需求的 MOSFET 研制保障能力，进一步丰富、完善高端半导体功率器件产品体系，从 而提升振华科技整体市场地位，加快振华科技产品由中低端向中高端的转型升级。公司未来也会继续进行优质资产并购路径，以完善自身业务格局。

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