2023年半导体射频电源行业专题报告：国产化替代拐点已至

1 半导体射频电源：刻蚀+CVD 工艺的核心，技术壁垒高

1.1 射频电源：半导体工艺控制的核心，半导体零部件国产化最难关卡

什么是射频电源？是用来产生射频电功率的电源。核心作用—通过产生高频电磁 场，将在低压或常压下的气体进行电离、从而形成等离子体。由于不同气体产生的等离 子体具有不同的化学性能，从而在腔体内部实现不同的工艺需求。 下游应用：射频电源被广泛应用于半导体工艺设备、LED 与太阳能光伏产业、科学 研究、射频感应加热、医疗美容、常压等离子体消毒清洗等领域。工作频率一般处于 2MHz 至 60MHz 之间。

射频电源由五部分组成：输入电路、功率放大电路、阻抗匹配网络、信号检测电路 和控制电路。其中，功率放大和阻抗匹配是技术突破的重难点。 ① 输入电路：包括直流供电电源模块+振荡电路模块，作用分别为供电和发出信 号源。核心作用：决定电源最终输出的频率和波形，进而影响系统稳定性。 ② 功率放大电路：射频电源的核心，是制约射频电源发展的关键因素。由几个 固态晶体管组成。核心作用：振荡电路产生的信号源功率难以达到设备用电 要求，故须进行功率放大，从而使功率达到输出要求，其性能决定了电源系统 整体性能。 ③ 阻抗匹配网络：射频传输的效率关键在于阻抗匹配，其目的是保证信号或能 量能有效从“信号源”传送到“负载”。其主要功能是实时跟踪负载阻抗变 化，保障射频电源和负载之间一种处于抗阻匹配状态。核心作用：使得射频 功率源输出的功率能被负载全部吸收，从而提高系统的频率和稳定性能。 ④ 信号检测电路：用于检测射频电源负载的电压电流信号，并传输给控制电 路。 ⑤ 控制电路：由脉冲信号发生器和调制驱动电路组成。主要作用：是调制电源 的信号输出，使机器持续稳定工作，实现对射频电源输出功率的控制。 在电路中，功率变化过程为：低频交流电（50Hz/ 60Hz）—直流电—高频交流电 （2MHz 或以上）。

核心技术壁垒：主要在于电源波形、频率和功率性，以及在腔体中激发的等离子体 浓度、均匀度的精准控制。国内外技术差距主要体现在以下 3 个方面： ① 阻抗的高速匹配。现代工艺中各步骤之间的转换可能导致功率、气体流量和压力 迅速改变，使等离子体阻抗的急剧变化，对频率调谐的灵活性和速度提出了更高要 求。一方面需要更快的数据处理能力；另一方面需要完善数据的收集、处理和传输 系统，为机器学习等算法构建数据库进行分析和预测、客户个性化定制。以 AE 为 例，其电源发生器和匹配网络（PowerInsight）可用于收集信息，分析速度和精度 的，且无需外部传感器。 目前我国仍以手动调节阻抗匹配器为主，易受环境影响，需研制高精度、高速度高 精度、高速度的阻抗自动匹配器。 ② 多频率电源的提供。海外供应的电源系统通常使用 source RF 和 bias RF 两个甚至 多个电源，可相对独立控制等离子体密度和离子能量，实现更高的蚀刻速率、更大 的工艺自由度，提高良率水平。我国射频电源种类较为单一，宽频带电源、微波电 源、高功率射频电源的研发成果尚未普及于生产领域。 ③ 与芯片制造同步革新功能。以刻蚀工艺为例，其对射频电源的要求不仅包括控制 精度、功率范围、 效率、响应速度等，还需要电源系统配和新功能，如调频、扫 频、相位调整、脉冲和电弧管理等。射频电源厂需要与下游设备厂同步革新、研发 适配功能。

1.2 应用领域：产生等离子体的核心，作用于半导体 CVD、刻蚀等多道 工艺

射频电源是半导体中薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗等前道工艺机台的关键零部 件之一。射频电源是等离子体发生器配套电源，主要用于在低压或常压气氛中产生等离 子体，其直接关系到腔体中的等离子体浓度、均匀度和稳定度。

1.2.1 薄膜沉积 CVD 中的应用：薄膜沉积质量、沉积速率的关键

CVD 薄膜沉积：是在低气压下辉光放电使反应气体电离，再通入工艺气体，经一 系列化学反应和等离子体反应在基片上表面形成固态薄膜。

射频电源的作用：解离气体产生等离子体。薄膜沉积一般在真空腔中进行，腔内放 置平行且间距若干英寸的托盘。硅片置于托盘上，上电极施加 RF 功率。当原气体流过 气体主机和沉积中部时会产生等离子体，多余的气体通过下面电极的周围排出。射频功 率越大离子轰击能量越大，有利于沉积膜质量的改善。功率增加可增强气体中自由基浓 度，提高沉积速率，当功率增加到一定程度，反应气体完全电离，自由基达到饱和，沉 积速率则趋于稳定。

目前 PECVD 主要应用双频电源，由 400kHz 和 13.56MHz 构成，两个电源最高功 率均为 3000W。相比于单一电源，高频和低频相结合的双频驱动可以显著地降低启辉电 压， 更有利于获得稳定的等离子体源，减弱带电粒子对沉积衬底的轰击及红外芯片的 损伤，提高了工艺自由度。 双频电源系统可选工作模式： ① 高低频同时作用于反应室，高频为主，低频调制为辅； ② 高低频交替作用于反应室，可以快速切换； ③ 高低频单独作用于反应室，独立控制工作。

1.2.2 刻蚀机中的应用：针对 CCP、ICP 刻蚀，控制等离子体密度和离子能量

等离子体刻蚀：指在低压情况下，反应气体在射频功率的激发下辉光放电形成等离 子。等离子是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变 成离子外，还能吸收能力并形成大量的活性基团。活性反应基团和被刻蚀物质表面形成 化学反应并形成挥发性的反应生成物，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统 抽出腔体。其中，经常采用的刻蚀气体有氟（F）、氯（CI）、溴（Br）等卤族元素化合 物。

刻蚀按类型分：主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀覆盖近 90%的市场； 干法刻蚀进一步按产生等离子体方法不同：分为电容性等离子体刻蚀（CCP）电感 性等离子体刻蚀（ICP）。其中，射频电源可改变电子密度，轰击离子流量密度，增强各 向异性刻蚀。

射频电源在 CCP、ICP 刻蚀中的作用： CCP 工艺中：相互平行放置的电极在射频功率下产生的高频电磁场激发等离子 体。早期配套单一射频电源，高密度离子束流往往伴随高能量，使得在以化学刻蚀为主 的反应中会出现高能离子轰击的负面影响。为了产生高密度且低能量的等离子体,发展 出了多频率的 CCP 刻蚀系统，高频电源控制等离子体密度、低频电源控制离子的能 量。目前，双频 CCP 主要应用于???2等绝缘体介质的刻蚀。 ICP 工艺中：射频电流流经线圈，在腔室内产生电磁场激发气体产生等离子体。放 电系统通常使用通过 source RF 和 bias RF 两个电源，可相对独立控制等离子体密度和离 子能量，实现更高的蚀刻速率、更大的工艺自由度，提高良率水平。被广泛地应用于集 成电路制造中硅、铝等栅极材料和导电材料的精细刻蚀工艺。

1.2.3 半导体离子注入机中的应用：射频为离子源设计方案的选择之一

半导体离子注入机：在半导体晶圆制造过程中，器件的电学性能取决于半导体掺杂 的杂质浓度，要使导电性能较差的纯净硅变为半导体，需要加入少量杂质改变其结构和 电导率，这个过程就被称为掺杂。离子注入凭借对注入剂量、注入角度、注入深度、横 向扩散等方面的精确控制，在半导体制造中占据主导地位。 离子注入机由以下部分组成：离子源、质量分离器、束流扫描单元、离子注入室。其 中，离子源是离子注入机的源头，用于产生和引出某种元素的离子束。其内部结构可选 用磁分析器离子源、射频离子源、冷阴极源和微波离子源作为电源，射频电源可通过真 空弧放电能在较低的等离子温度下产生更高的离子束电流，延长离子源的寿命。

1.2.4 半导体清洗中的应用：射频技术应用在等离子清洗当中

等离子清洗：又叫干法清洗，是一种成熟、有效、经济且环保安全的关键表面处理 方法。不采用化学液体的清洗技术，如气相干洗、束流清洗、干冰清洗、紫外-臭氧清 洗、等离子清洗等。与传统的湿式清洗方法相比，使用氧等离子体的等离子体清洗能在 纳米尺度上消除等离子清洗可产生纯净的表面，为粘接或进一步加工做好准备，且不会 产生任何有害废料。湿法清洗在现阶段的微电子清洗工艺中还占据主导地位，但综合考 虑环境污染、原材料消耗及未来发展，干法清洗将逐步取代化学湿法清洗。

射频电源：配合真空系统多次置换气体实现清洗。等离子清洗机主要由真空腔体、 RF 等离子电源、真空产生及测量系统、工艺气体系统、控制系统等组成。在实际工艺 中，首先进行 N 次置换，将腔体内的空气置换为干净的氮气；然后在真空状态下通入工 艺气体，再打开射频功率源，开始工艺；工艺完成后，再次置换，将腔内残余的有害尾 气置换排出，防止污染净化间，对人体造成伤害。

射频电源激发高频交变电场将气体进行电离，根据气体等离子体不同性质，清洁方 式包括利用紫外线打破表面污染物的大部分有机键；高能氧气等离子体与有机污染物发 生反应，生成水和二氧化碳并在加工过程中不断从腔体中排出（泵走）；使用氩气或氦 气惰性气体清洁易氧化材料，如铜，银等。

2 行业趋势：全球/国内 270/70 亿市场，国产替代开始提速

2.1 市场空间：国内 70 亿元市场，受益新增+存量替换需求驱动

射频电源作为半导体设备的核心零部件之一，伴随半导体 CVD、刻蚀机等核心设 备的市场空间同步成长。新增扩产+存量替换市场需求大。 1）新增需求：射频发生器是射频电源的重要组成部分，据芯谋研究统计，2020 年 射频发生器在晶圆厂零部件采购中占比达 10%，仅次于石英（11%），受益新增扩产需 求。 2）存量替换需求：射频电源使用寿命约为 5~6 年，短于半导体腔体的使用寿命、 需求定期进行维保或更换，部分晶圆厂有直接备存射频电源的需求。

我们通过成本占比法对全球/中国半导体射频电源市场空间进行测算，核心假设： ① 半导体设备市场规模：由于全球半导体市场疲软及行业周期性波动，SEMI 预计 2023 年半导体设备全球销售额将从 2022 年的 1074 亿美元减少 18.6%，至 874 亿 美元。2024 年将复苏至 1,000 亿美元，同比增长 14.4%，主要因高性能计算和无处 不在的连接驱动的长期强劲增长； ② 半导体设备中射频电源价值量占比：根据中国刻蚀设备行业现状深度研究与投资趋 势预测报告（2022-2029 年），膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入机和去胶机占比 分别为 27%/22%/3%/1%； ③ 射频电源占设备成本：假设射频电源成本约占等离子体加工设备 12%，假设毛利率为 45%，则半导体射频电源占设备价值量比为 7%；④ 假设人民币兑美元汇率为 7（USD/CNY=7）； 测算结论：预计 2025 年全球半导体射频电源市场空间有望达 270 亿元，国内市场 空间达 70 亿元。未来伴随着半导体资本开支的上行、市场空间有望持续打开。

2.2 竞争格局：美系厂商寡头垄断，国产订单已批量突破、实现国产替代

射频电源是技术壁垒最高的半导体设备零部件之一，要实现高功率和高效率厂商需 要对内部电路和结构设计有较深的技术积累，如频率精度、响应时间、匹配精度、匹配 时间；并配合客户共同不断调试。此外，制程节点不断革新衍生出脉冲输出、多频射频 等高端需求，国内厂商要克服较多技术难题。 全球竞争格局：全球射频电源主要被美系厂商垄断，头部厂商主要包括 MKS （美）、AE（美）、Comdel（日）、DAIHEN（日） 和 TRUMPF Hüttinger（德）等。据 我们测算，2022 年美国 MKS 和 AE 合计市占率达 87%，其余为日德企业占据少量份 额，国产化率极低。

国内竞争格局：在半导体“卡脖子”背景、国内厂商英杰电气、恒运昌、北广科技 与下游设备厂（中微股份、拓荆科技、北方华创等）共同成长，在射频电源产品供应方 面已实现批量订单突破。 1）英杰电气：应用于半导体设备的射频电源已实现批量订单（截至 2023 年 11 月 29 日，已突破 9000 万元订单），正呈现逐渐增量的趋势。 2）恒运昌： 2019 年底公司与沈阳拓荆科技有限公司正式签署了战略合作备忘录。 2022 年 6 月 17 日，拓荆科技以自有资金人民币 2000 万元向恒运昌增资并参股恒运 昌，增资后持有其 3.51%的股份。在 PECVD 射频电源领域持续突破。 3）北方微电子：2020 年公司以 6397 万人民币收购北广科技射频应用技术相关资 产，提高在射频电源细分领域的核心竞争力。

2.3 行业趋势：受制海外供应瓶颈，国产替代进程将提速

政策驱动国产替代加速：“半导体制造”最终用途限制措施于 2022 年 10 月 7 日生 效。此次管制是美国近年来范围最大的管制举措，管控范围包括芯片、设备、零部件、 人员等，限制行为主要集中于 4 个层面： 1）高端芯片及超算：高端芯片及包含高端芯片的计算机禁止出口给中国； 2）代工：为中国大陆进行代生产或研发受到管制； 3）设备：对生产 16nm 及以下逻辑芯片、18nm 及以下 DRAM 芯片、128 层及以上 NAND 芯片的设备进行管制。 4）人才：限制美国人为中国芯片制造业服务。同时修订了未核实名单（UVL）并 新增 31 家中国企业。 复盘历史：半导体射频电源主要由美国 2 家头部公司垄断（AE、MKS），为国产化 率极低环节之一。且此前受制于半导体核心零部件替换意愿弱（射频电源对工艺直接影 响）、且半导体设备对性价比不敏感等因素，国产替代诉求较弱。

展望未来：受中美贸易法案限制，半导体产业链自主可控意愿持续强化，国内零部 件厂商迎来新的发展机遇。我们认为，行业受益于：海外供应瓶颈+库存消耗周期因素 +半导体资本开支提速的 3 重因素叠加，半导体射频电源国产替代进程有望进入加速 期。预计半导体射频电源的国产替代趋势有望在未来 1-2 年内加速推进、实现全面国产 替代。

3 产业链重点公司：MKS、AE、Comdel、DAIHEN、霍廷格 （海外）；英杰电气、恒运昌、北方微电子（国内）

3.1 全球-半导体射频电源重点企业

3.1.1 美国 MKS Instruments：全球半导体射频电源龙头，下游覆盖半导体、电子 封装、特殊工业 3 大领域

MKS Instruments 成立于 1961 年，是全球领先的射频电源及等离子体源供应商，旨 在提供集前沿半导体制造、先进电子与特种工业三位一体的先进制造设备解决方案。近 年来，MKS 在半导体领域的市场份额排名全球第一。 自 2001 年收购 Emerson Electric 的 ENI 部门后，MKS 在等离子体配套射频电源及 监控仪器上迅速抢占市场份额；2021 年收购加拿大半导体光学传感器供应商 Photon Control，进一步提升半导体晶圆制造中刻蚀与薄膜沉积设备中用于温度控制的光学传感 器地位；同在 2021 年，公司收购工艺化学品和先进电镀解决方案公司 Atotech，合并后 公司可优化 PCB 互连，在先进电子市场为客户提供互补的解决方案。

公司有三大目标市场： ① 半导体领域：公司基本实现全流程覆盖，形成了以晶圆制造为核心的设备生态 系统，服务于薄膜沉积、蚀刻、清洗、光刻、计量和检测、封装业务。主要产品包括功率传递产品，例如微波，功率传递系统，射频匹配网络以及用于为蚀 刻，剥离和沉积过程提供能量的计量产品；以及等离子和反应气体产品。 ② 电子及封装市场：公司提供激光器和基于激光器的系统，用于测量和分析的光 子仪器以及用于测试和测量的生产设备。 ③ 特殊工业市场：MKS 掌握工业技术、生命科学、国防工业领域的专有技术。 工业技术涵盖汽车功能性涂层、人造金刚石制造、激光二极管制造等；生命科 学产品应用于生物成像、医疗器械消毒、医疗设备制造；国防工业则分为材料 科学、物理化学、光学、电子材料和国防用监控等。

2022 年公司营业收入达 35.47 亿美元，过去三年营收 CAGR 为 15.04%，同比增长 20.24%；净利润 3.33 亿美元，同比下降 39.56%。

MKS 在射频电源技术处于领先地位，2MHz 射频等离子发生器功率最高达 13KW ，可实现高频、多点位脉冲应用以及快速阻抗调整，并集成 VI 传感器实现功率 精度的数字化控制；另有 13.56MHz 的集成式单板高效率射频等离子发生器，利用风冷 封装技术实现低成本。测试中，该产品直流至射频转换效率超过 85%。 区别于自动频率调谐 (AFT) 算法，MKS 的专利 DFT（动态频率调谐）算法在多频 和脉冲 RF 功率传输系统中产生显着的性能增益。可通过实时测算射频电源的功率失 真，实现射频电源的最佳瞬时阻抗调谐，从而最大限度地减少反射功率并为等离子应用 提供精确的设定点功率，可实现调谐时间低至 50 微秒，快出传统调谐方法 10 倍以上， 是功率级别从 3KW 到 13KW 和频率范围从 2MHz 到 100MHz 的精选射频发生器的可选 功能，在刻蚀选择性、轮廓控制、薄膜厚度均匀性上表现出色。

3.1.2 美国 Advanced Energy：半导体射频电源龙二，下游覆盖半导体、工业、医 疗、数据中心、通讯等领域

AE 成立于 1981 年，总部位于科罗拉多州，公司研究和生产基于等离子状态下薄膜沉积 和刻蚀工艺的开关电源。其等离子电源产品包括射频电源、射频匹配网络、射频仪器、直流 电源系统、脉冲直流电源系统、低频交流电源系统以及用于反应气体应用的远程等离子源。

丰富的产品矩阵及先进的解决方案，使得 AE 公司半导体领域营业收入快速增长。 2022 年营收达 9.31 亿美元，同比增速达 31%，净利润为 2.4 亿美元，同比增长 53.4%。 产品结构上，2022 年 AE 半导体业务占比 50%，是营收增长的重要动力；工业与医 疗/数据中心/通信与网络营收占比为 50%/23%/18%/9%。地区结构上，近年北美（含美 国）/亚洲（除中国）/ 欧洲/中国收入占比分别为 46%/31%/12%/10%。公司盈利能力稳 步提升，2022 年毛利率维持 36.6%，净利润为 10.8%。

AE 在射频电源领域产品线丰富，2022 年 10 月在射频电源领域最新推出的 ALTA 数控射频电源传输系统包含最高功率达 6KW 的 13.56MHz 的机架式电源以及 13.56MHz 的阻抗匹配网络，该电源配备了频率调节、功率和抗阻实时测量及电弧管理与相位同步 系统；此外还有高功率射频电源 APEX，可在低功率损耗及高达 10KW 的传输功率下运 行，两台主要产品都接入了 PowerInsight™数控系统，接入抗阻匹配网络实现综合工况 监测。

3.1.3 美国 Comdel：并购 XP Power，完善电源产品生态

XP Power 是一家总部位于英国的关键电源控制组件的开发商和制造商。2017 年 10 月，XP Power 正式宣布以 2300 万美元收购射频电源研发和生产企业 Comdel 的所有业 务和资产。Comdel 公司位于马萨诸塞州，截至 2016 年 12 月 31 日的财年其销售额达 1,650 万美元，公司将成为 XP Power 的 RF 电源部门对现有 AC-DC 和 DC-DC 电源产品 进行补充。同时，Comdel 和 XP Power 共享半导体设备领域客户，通过获取客户的需求 来帮助客户整合供应链。 2022 年，XP Power 营业收入达 2.9 亿英镑，同比增长 21%，毛利率 41.5%。XP Power 有三大产业部门，半导体制造设备部门增速最快，过去 6 年 CAGR 达 25%，2022 年营业收入达 1.13 亿英镑，占比 39%。其中射频电源销售收入为 0.37 亿英镑；工业技 术和医疗保健营收占比分别为 41%和 20%。其产品类别包括交流至直流电源、DC-DC 转换器、高压电源、射频 (RF) 电源系统、三相电源和 EMI 滤波器。该公司经营地区广 泛分布于北美、英国、新加坡、德国、瑞士、法国。

3.1.4 日本 DAIHEN：焊接机器人龙头，延伸布局等离子射频电源领域

DAIHEN 成立于 1919 年，是一家日本电气基础设施公司，在焊接机器人领域占据 了全球第一的份额，同时在变压器和焊接机领域占据日本份额首位。 2022 年公司营业收入达 1853 亿日元，同比增长 15.36%，归母净利润为 131.9 亿日 元，同比提高 15.36%%。近三年毛利率为 31.04%/30.31%/28.71%，净利率分别为 4.60%/6.84%/7.12%。

公司分为三大部门： ① 半导体及平板显示器相关业务：2022 年营业收入 590 亿日元，占比公司总营 收 32%，主要生产等离子射频电源、清洁搬运机器人等； ② 电力产品业务：2022 年营收 754 亿日元，占比公司总营收 41%，产品包括变 压器，电源配电设备、开关、控制和电信设备、分散电力设备、充电系统等；③ 焊接及机电业务：2022 年部门销售额达 508 亿日元，占比公司总营收 27%。 产品包括焊机、等离子切割机、工业机器人。

3.1.5 德国 TRUMPF Hüttinger 霍廷格电子：光伏射频电源龙头，半导体射频电源 加速布局

通快霍廷格是德国半导体通用设备制造与激光设备供应商，其被业务划分为 EUV 光刻机激光器条线； 2D/3D 激光切割机、功率电子（含射频电源）、激光焊接设备在内 的机械设备条线等。 2022 年，通快销售额达 42.23 亿欧元，同比增幅 20.5%，公司半导体业务纵深布局 的系统性优势逐渐凸显。

3.2 国内-半导体射频电源重点企业

3.2.1 英杰电气：半导体射频电源订单加速突破、迈向泛半导体核心零部件龙头

公司成立于 1996 年，2020 年创业板上市，为国内中高端工业电源龙头企业。基于 对工业电源底层技术的理解，公司横向延伸、下游覆盖光伏（硅料、硅片、电池片）、 泛半导体（半导体、蓝宝石、碳化硅）等多个领域。同时，公司向新能源车充电桩设备 布局，打开公司新成长点。 1）硅料电源：2023 年迎硅料大批投产，公司市占率超 70%、充分受益。 2）硅片电源：预计未来扩产景气维持稳态。公司市占率 75-80%，绑定核心设备厂 +硅片厂。 3）电池电源：迎 HJT、TOPCon 新技术扩产，公司布局 PECVD、PVD、扩散等环 节电源，为国产替代领军者，有望实现批量供应。 4）半导体电源：受益中国半导体设备进口替代加速，核心零部件将同步受益。公 司为半导体设备电源国产替代领军者，与头部半导体设备企业深度合作、国产替代进行 中。 5）充电桩：公司海内外市场开拓顺利，定增加码 41.2 万台/年充电桩扩产。

目前，公司半导体设备端的射频电源、光伏电池片设备端的溅射电源，都已有批量 订单，正呈现逐渐增量的趋势。 未来核心增长点：半导体射频电源订单高增、国产替代加速。 据公司投资者关系活动记录表 （1）2023 年 4 月份——半导体射频电源订单约 200-300 万； （2）2023 年 9 月 30 日——半导体射频电源订单约 2500 多万，相比 4 月提升 8~12 倍； （3）2023 年 10 月 27 日——半导体射频电源订单近 5000 万元，相比 9 月 30 日提 升 2 倍 （4）2023 年 11 月 29 日——半导体射频电源订单突破 9000 万元，相比 9 月 30 日 提升 3-4 倍。 （5）未来——半导体射频电源市场空间远大于光伏、公司成长空间大。

3.2.2 恒运昌：半导体射频电源领军者，在拓荆 PECVD 设备已实现批量供货

深圳市恒运昌真空技术有限公司（CSL）成立于 2013 年，以等离子体电源系统设 计研发、智能制造为主，在半导体、光伏新能源、平板显示、工业镀膜等领域的重大装 备国产化提供核心零部件解决方案及技术进出口于一体的专精特新小巨人及国家级高新 科技企业，为薄膜沉积、刻蚀等设备核心零部件解决方案国产化提供商。公司致力于发 展半导体晶圆制造、半导体设备制造零部件的专业技术。 2019 年底，恒运昌和沈阳拓荆科技有限公司正式签署了战略合作备忘录。恒运昌 的部分射频电源产品成功通过了国内最大半导体 PECVD 薄膜装备公司沈阳拓荆科技有 限公司的验证。2020 年第二季度实现批量供货，部分产品填补了国内空白。 继沈阳拓荆科技之后，国内多家知名的半导体设备造商也陆续和恒运昌开始洽谈合 作，恒运昌营收得到了快速增长：自主产品产值自 2018 年 800 万元跃升至 2019 年 2700 万元，2020 年突破 5000 万元。 2022 年 6 月 17 日，拓荆科技以自有资金人民币 2000 万元向恒运昌增资并参股恒 运昌。拓荆科技在第一届董事会第十一次会议上审议通过了《关于对外投资并参股深圳 市恒运昌真空技术有限公司的议案》，增资后恒运昌总股本的 3.51%。

3.2.3 北方微电子：收购射频电源技术资产，与半导体设备业务相协同

2020 年，北方华创全资子公司北方华创微电子以 6397 万人民币收购北广科技射频 应用技术相关资产，提高在射频电源细分领域的核心竞争力。北方华创微电子装备有限 公司是国内先进的半导体装备研发制造企业（以下简称“北方华创微电子”），主要产品 有刻蚀机、PVD、 CVD、ALD、立式炉和清洗机等，产品广泛服务于集成电路、先进 封装、第三代半导体器件、半导体照明、新能源光伏等领域。 北广科技前身是建于 1950 年的北京广播器材厂，公司坚持以射频技术和数字技术 为核心，融合应用 5G、大数据、物联网、人工智能等新一代信息技术，协同打造全频 段、多功率、收发一体的系列智能无线电装备，目前已是我国无线电领 域规模较大的 装备制造商和系统解决方案提供商。功率源产品方面，北广科技已成为国内外科研机构 固态功率源产品供应商，包括整机、功率放大器、功率分配器、功率合成器、定向耦合 器、假负载、同轴馈管、 弯头和波导等。国际用户主要有法国光源（SOLEIL）、欧洲光 源（ESRF）、巴西光源（LNLS）、MSU、Brookehaven 等。

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