2023年东芯股份研究报告：利基存储冉冉新星，创芯动能穿越周期

1.国内领先的存储芯片设计厂商

1.1.聚焦中小容量存储芯片、持续拓展产品线

（1）国内领先的存储芯片设计厂商，聚焦于中小容量存储芯片。东芯股份成立于 2014 年 11 月，是国内领先的存储芯片设计公司，聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计 和销售，是国内少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存储芯片完整解决方案的 公司。2015 年 6 月，公司并购整合韩国知名的存储芯片设计公司 Fidelix，Fidelix 成立于 1990 年，主要从事 DRAM 和 MCP 产品的研发以及自有品牌产品的销售，1997 年 4 月 2 日在韩国 KOSDAQ 市场上市，通过并购进一步增强了公司的研发和技术实力，加快了闪 存芯片的研发进程。2021 年 12 月 10 日，东芯股份成功在上海证券交易所科创板挂牌上市， 依托科创板的平台和资本市场的助力，公司整体实力得到增强，进一步提升了品牌知名度 和市场影响力。

（2）深耕存储芯片领域，逐步完善产品线布局。公司的主要产品为非易失性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片 DRAM 以及衍生产品 MCP，已进入国内外众 多知名客户，被广泛应用于通讯设备、可穿戴设备、安防监控、移动终端等终端产品。1） NAND Flash 方面，公司聚焦平面型 SLC NAND Flash，采用浮栅型工艺结构，存储容量 覆盖 512Mb 至 32Gb，包括 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V 两种电压，可满足不同 应用领域及场景的需求；2）公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb， 并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域；3）DRAM 方面， 公司产品包括可以传输双倍数据流的 DDR3(L)系列和自主研发的 LPDDR 系列产品，在通 讯设备、移动终端、可穿戴设备等领域应用广泛；4）公司的 NAND MCP 产品集成了自主 研发的低功耗 1.8V SLC NAND 与 DRAM 芯片，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发 科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。

（3）东方恒信为公司控股股东，国家大基金、华为参股彰显市场认可。截至 2023 年 H1，公司第一大持股股东为东方恒信集团有限公司，持股比例为 32.38%；公司的实际控 制人为董事长蒋学明先生与董秘蒋雨舟女士，实际控制人通过东方恒信、东芯科创控制发 行人 37.47%的表决权。苏州东芯科创为员工持股平台，东芯科创的执行事务合伙人为东方 海峡，实控人蒋学明通过间接控股东方海峡实际控制东芯科创。此外，公司获得较多产业 投资基金关注，其中国家集成电路产业投资基金（“大基金”）及中芯国际参股的聚源聚芯 持有公司 1.05%的股份，华为投资控股有限公司全资子公司哈勃科技持有公司 3.00%的股 权，大基金作为国家集成电路产业最主要的投资机构，致力于打造本土集成电路全产业链， 其参与投资的企业均为国家集成电路产业的战略核心企业，可以看出市场对于公司未来发 展的认可。

（4）股权激励绑定核心骨干，业绩考核彰显长期发展信心。2023 年 4 月，公司发布 股权激励方案，包括管理人员、核心骨干人员在内共计 117 人，以不低于 22 元/股的授予 价格，拟向其授予 500 万股股票期权，占本计划公告时公司总股本的 1.62%。实施股权激 励有利于建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团 队的积极性。业绩考核目标方面，以营业收入同比增长率或年均复合增长率作为公司层面 业绩指标，未来三年，每年以上年的营业收入为基数衡量当年的营业收入增长率（2024 年 开始可衡量复合增长率），触发值为 20%，超过 25%可实现 100%比例解锁，展现了公司 对于未来长期持续稳定发展前景的信心和公司内在价值的认可。

1.2.NAND 筑基、发力 NOR 和 DRAM

（1）NAND 业务筑牢基本盘，产品盈利水平稳步提升。分产品收入情况来看，2022 年公司 NAND 产品实现收入 7.08 亿元，同比增长 7.27%，占营收比例达 62%，经过多年 发展，公司的品牌知名度和产品得到客户的广泛认可，公司 NAND 产品在国内的市场地位 日趋凸显，销售规模和盈利能力逐步提升；2022 年 NOR Flash 产品实现收入 0.72 亿元， 同比下滑 61.47%，主要由于消费电子需求下滑，穿戴式应用需求走弱所致；同时 DRAM、 MCP 和技术服务比去年同期也分别增长了 3.22%、26.38%和 99.70%，技术服务增长较多 主要是由于项目进度投入增加，按照履约进度确认技术服务收入增加。毛利率方面，近年 来公司各大业务毛利率均有所提升，2022 年 NAND、MCP、DRAM、NOR 毛利率分别为 46.93%、22.14%、33.98%、20.35%。

（2）深耕国内存储市场，紧抓存储芯片国产替代机遇。收入按地区分布来看，2021 年公司境内营收为 9.21 亿元，同比增长 57.32%，2018-2022 年，公司境内收入从 3.65 亿 元增长至 9.14 亿元，近五年复合增长率为 26%，营收占比近两年均保持在 80%左右。公 司产品结构持续优化，高附加值产品占比提升，规模效应逐步显现，在国内知名终端客户 中的应用份额稳步攀升，实现了有效的国产替代。此外，公司推行全球化的研发设计和市 场销售布局，逐步加大海外市场的推广力度，实现了在消费类、工业控制和车载等领域的多家知名客户的导入，公司的境外业务主要集中在日本、韩国、美国、巴西等国家，2022 年公司大中华地区以外销售收入占主营业务收入比例为 20.24%。

（3）NAND 系列中大容量产品占比提升，产品销售均价稳步上涨。NAND 系列产品 包括以芯片或者晶圆形式销售的串行接口型和并行接口型 NAND 产品，主要适用于储存数 据类型的文件。从公司营收结构来看，NAND 系列产品收入包括 1Gb 小容量和 2Gb 以上 大容量，其中大容量占比较大，2020 年达到 59.15%。销量方面，2018-2020 年公司 NAND 系列产品销量持续上升，从 4562.95 万颗增长至 9606.92 万颗，复合增长率达 45%， 公司 NAND 系列产品品牌影响力不断提升，客户结构不断优化，销售量呈增长趋势；2022 年，公司 NAND 系列产品销量下滑至 6636.50 万颗，主要系集成电路行业景气度的周期性 变化、经济下行等因素影响，较 2021 年下降 27%。价格来看，公司 NAND 系列中大容量 结构进一步提高，同时市场回暖，下游需求逐渐增加，NAND 系列产品整体价格上升，进 而导致公司 NAND 产品业务的销售均价稳步上升。

（4）NOR 系列中 128Mb 及以上容量产品占主导地位，产品销售均价保持相对稳定。 NOR 系列产品包括以芯片或者晶圆形式销售的 NOR Flash，主要适用于代码型文件的存储。 营收结构来看，NOR 系列产品收入包括 128Mb 以下和 128Mb 及以上容量，其中 128Mb 及以上容量产品占据主要地位，2020 年营收占比达 74.49%。销量方面，2018-2020 年公 司 NOR 系列产品销量持续上升，从 4827.80 万颗增长至 9544.63 万颗，复合增长率达 41%，受下游新兴应用领域尤其可穿戴设备的需求持续扩大，公司适时推出针对性的产品， 应用于传音控股、麦博韦尔等优质终端客户，因此 NOR 系列产品销售持续增长；2022 年， 公司 NOR 系列产品销量下滑至 3255.28 万颗，主要受消费电子需求下滑，穿戴式应用需求走弱所致，较 2021 年下降 65%。价格来看，NOR 产品价格受市场供需关系稳定影响， 各年度整体保持相对稳定。

（5）受产品化转型以及下游需求转变影响，DRAM 系列产品营收结构和销售价格出 现波动。DRAM 系列产品包括以芯片或者晶圆形式销售的易失性存储芯片，主要应用于系 统硬件的运行内存，主要包括 LPDRAM、DDR3、PSRAM、SDRAM 等产品。公司结合市 场需求变化，逐步实现产品客制化向通用型、标准化方向的转变，以及下游应用领域由消 费级向工业级延伸扩展，进而出现产品营收结构、平均单价的变动。公司根据市场竞争情 况，逐步调整 LPDRAM、DDR3 产品线，其对应收入逐步下降，同时公司不断推进研发 LPDDR4x 等产品，但新产品推出需要一定周期，因此整体销售略有下降。

（6）产品结构调整导致 MCP 收入占比下滑，销售均价保持稳定。MCP 系列产品是 将 NAND 或者 NOR 与 DRAM 合封在同一个封装内的存储芯片，以同步实现存储与数据处 理功能，节约空间的同时提高存储密度，主要应用于芯片功能模块的尺寸较小及功耗较低 的终端产品，如便携式及可穿戴电子设备、功能手机等，下游终端客户包括较为分散、需 求多样化的物联网模块、功能手机生产厂及规模较大的电子制造服务商。收入情况来看， 2018-2022 年，公司 MCP 收入整体呈现增长趋势，2022 年公司 MCP 业务实现营收 2.25 亿元，同比增长 26.38%，占当年总体营业收入的 19.66%，营收占比近年来整体出现下降， 主要受下游市场处于更新迭代、公司调整产品结构影响。MCP 产品具有客户粘性较强特点， 在下游终端客户自身产品结构相对稳定情况下，因更换 MCP 产品成本较高，通常会选择 相对稳定的供应商，产品价格也相对稳定。

1.3.规模效应显现助力经营业绩增长

（1）收入持续稳健增长，受行业景气下行利润端短期承压。收入端，公司营业收入从 2018 年 5.10 亿元增长至 2022 年 11.46 亿元，近五年复合增长率为 22.43%，主要得益于 公司产品线不断丰富，对客户的导入陆续完成，产品逐步放量，销售规模有所扩大，且随 着市场持续回暖，产品价格上涨。利润端，公司加强布局、完善多渠道供应链及交货方式， 在 2020 年首次实现盈利，并在 2021 年实现归母净利润 2.62 亿元，同比增长 1240.27%， 2022 年受地缘政治局势紧张、全球经济下滑、半导体行业周期性波动等因素影响，公司利 润端有所下滑。

（2）规模效应显现叠加产品结构持续优化，盈利能力稳步提升。随着公司销售规模逐 步扩大，规模效应开始显现，同时公司在持续微缩制程及提高良率的同时对现有产品的结 构进行持续优化，高附加值和高毛利率产品的销售占比提升，如大容量 SLC NAND 等，因 此毛利率水平得到很大提升。费用率方面，公司持续加大研发投入力度，保证公司产品的 技术先进性，2022 年公司研发费率为 9.63%，同比+3.03pct，销售费用、管理费用管控良 好，2022 年较上期分别-0.09pct/-0.14pct。

（3）产品逐步放量，人均绩效水平显著提升。2019-2021 年，公司人均创收由 305.72 万元上升至 616.46 万元，年均复合增长率达 21.4%；人均创利由-38 万元提升至 142.28 万元，扭亏为盈的同时人均创利指标快速增长。近年来，公司不断丰富产品线，逐 步完成客户导入期，产品开始持续放量，公司产品销售规模逐步扩大，盈利能力和市场占 有率稳步提示，人均效益整体呈现上升趋势。2022 年公司实现人均创收 489.74 万元，同 比下滑 20.56%；实现人均创利 79.24 万元，同比下滑 44.31%。受行业周期性影响，全行 业库存达到历史高位，需求端则持续低迷，其中消费电子产品需求几乎降至冰点，部分产 品价格大幅度下滑，多重因素作用下导致公司人均绩效出现下滑。

（4）持续加码研发投入，全面升级研发平台。研发投入来看，2018 年至 2022 年， 公司研发费用从 5019.60 万元增加至 1.10 亿元，近 5 年年均复合增长率达 22%，2022 年 公司研发费用 1.10 亿元，同比增长 47.46%，占当期营业收入 9.63%。人员方面，公司的 研发人员占员工总数的比例逐年提升，截至 2022 年末，公司研发人员数量为 130 人，占 员工总数的 55.56%。公司高度重视并始终保持高水平研发投入，针对市场需求预期加快新 产品的研发和生产、加大公司研发团队的梯队建设以及全面升级公司研发平台，以保证公 司产品的技术先进性。

（5）下游需求不振导致公司产品销量下滑，库存水平达历史高位。公司存货主要由存 储芯片和晶圆等构成，受市场价格下滑、客户需求持续低迷等影响，公司产品销量出现下 降，销售收入降低。2023 年 H1，公司存货的账面价值为 8.08 亿元，同比增长 61%，占总 资产的比例为 19.41%，库存水平达历史高位；公司固定资产为 1.21 亿元，较去年同期上 涨 71%。存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产 能等因素影响，价格呈现周期性波动，较高的库存水平一方面可能面临存货跌价的风险， 但在市场行情回暖、客户需求上升时也能为公司带来较大的业绩提升。

（6）回款管控良好，经营性现金流波动明显。公司财务指标相对健康，有着良好的账 期，公司销售收现比一直维持在 1 左右，2022 年公司销售收现达到 13.19 亿元，同比增长 28%。现金流方面，近年来经营活动净现金流与净利润的比值持续下滑，流动性压力增大， 2022 年经营性现金流量净额为-2.61 亿元，较上期减少 3.79 亿元，主要由于本期采购款增 加，同时为提升晶圆厂产能支付一定的产能保证金。

2.利基型存储空间广阔、国内厂商迎发展良机

2.1.SLC NAND 应用于高可靠性领域

（1）NAND Flash 具有存储容量大、擦除/写入速度快等特点。NAND Flash 和 NOR Flash 同为非易失性存储芯片，两者的区别在于存储单元的连接方式不同，进而导致读取方 式不同，NAND 由于引脚上复用，因此读取速度比 NOR 慢一点，但是擦除和写入速度比 NOR 快很多，同时，NAND 内部电路更简单，因此数据密度大、体积小，成本也低。目前 市场上大容量的 Flash 大多采用 NAND 型，例如 SSD、U 盘、SD 卡、EMMC；小容量的 2～12M 的 Flash 多是 NOR 型。相较于 Flash，DRAM 具有更高的读写速度，使用寿命也 更长，但单位成本更高，主要用于 PC 内存(如 DDR)、手机内存(如 LPDDR)和服务器等设 备等。

（2）SLC NAND 主要应用于对可靠性要求高的领域，如 5G 通信设备，安防监控、 可穿戴设备等。按存储单元密度来分，NAND Flash 可分为 SLC、MLC、TLC、QLC 四种， SLC 为单级单元，每单元可存储 1 比特数据，产品性能好、耐久度高，提供高达 10 万个 P/E 周期（固态存储擦除周期），但容量低、成本高，常应用于对读写耐久度要求很高的行 业，如服务器、军工等，与大容量存储产品追求单位存储密度的发展趋势不同。MLC 属于 多级单元，每单元可存储 2 比特数据，数据密度比 SLC 要高，可以有更大的存储容量，拥 有 1 万个 P/E 周期，耐久性比 SLC 低，MLC 在服务器、工规级应用较多。TLC 为三级单 元，每单元可存储 3 比特数据，性能和耐久性下降，P/E 周期降至最高 3000 个，但是容量 可以做得更大，成本也可以更低，广泛用于消费类产品，是性价比最高的存储方案，性能、 价格、容量等多个方面达到了较好的平衡。QLC 为四级单元，每单元可存储 4 比特数据， 性能、耐久度进一步变差，P/E 周期只有 1000 个，但价格便宜，单元空间内的存储容量更 高，消费级的大容量 SSD 就采用 QLC NAND 闪存颗粒。

（3）中小容量的 SLC NAND 市场竞争格局相对分散，尚未形成寡头垄断格局。受经 济下行、宏观不确定因素增加、下游消费需求疲软等影响，全球存储市场规模开始出现下 滑，根据 CFM 闪存市场数据，2022 年全球 NAND Flash 市场规模同比下降 11%达到 601 亿美元。NAND Flash 市场经过几十年的发展，逐渐形成了由三星电子、铠侠、西部数据、 美光、SK 海力士等组成的稳定市场格局，2023 年 Q2 三星电子、铠侠、SK 海力士、西部 数据、美光的营收占比分别为 30.18%、20.05%、18.25%、15.09%、11.10%，CR5 合计 市占率达 95%。中小容量的 SLC NAND 市场竞争格局则较为分散，尚未形成寡头垄断格 局，国外行业龙头三星电子、铠侠和台湾 IDM 模式厂商华邦电子、旺宏电子占据了较高的 市场份额，国内主要竞争对手包括兆易创新、江波龙、复旦微电、芯天下等。

（4）SLC 市场规模占据 NAND 整体市场份额较小，公司 NAND 市场份额稳步提升。 根据智研数据，2020 年全球 NAND Flash 市场中，SLC NAND 占据 2%的市场份额，占比 较高的则为更高容量的 MLC NAND、TLC NAND，合计比例为 88%，目前 NAND Flash 主要以 TLC 为主，QLC 比重正在逐步提高，QLC 的性能和耐久度的不足可以通过增大容 量来弥补，在消费类产品中有取代 TCL 的趋势。根据 Gartner 数据统计，2019 年 SLC NAND 全球市场规模达到 16.71 亿美元，从 2020 年开始将保持增长趋势，预计在原有刚 性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域的影响下，2019 年至 2024 年 SLC NAND 全 球市场份额预计复合增长率将达到 6%。公司 NAND 营收近年来稳步提升，2022 年 NAND 业务收入为 7.08 亿元，按照最新汇率测算，公司 2022 年 SLC NAND 的市场份额约为 4%。

2.2.可穿戴设备、汽车电子、物联网等新兴需求驱动 NOR 市 场发展

（1）随着物联网、可穿戴设备和工业控制等新兴应用场景的不断扩展，NOR Flash 市场需求稳定增长。NOR FLASH 主要用来存储代码及部分数据，广泛应用于功 能性手机、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等代码闪存领域。随着功能手机 逐渐落幕、智能手机渗透率持续增长，具备写入和擦除速度慢、存储容量较小但读取速 度快的 NOR Flash 逐步被 NAND Flash 替代。2016 年之前，全球 NOR 市场规模呈持续 下降趋势，近年来，受 5G 智能手机、TWS 耳机等新智能设备，以及居家办公、远程教 育等需求带动，NOR Flash 市场规模开始稳定增长，2022 年达到 32 亿美元。

（2）NOR Flash 属于利基型存储，全球规模约为 32 亿美元。根据 Yole 统计的数据， 2022 年存储芯片整体市场规模达到了 1440 亿美元，其中 DRAM 收入 797 亿美元，同比 下滑 15%，占整个存储市场比例为 55.3%，较上年-1.0pct；NAND 实现收入 587 亿美元， 同比下滑 12%，占比达 40.8%，较上年+0.8pct；NOR 实现收入 32 亿美元，同比下滑 9%， 占比达 2.2%，较上年+0.1pct。NOR Flash 可实现快速随机读取数据的同时允许系统直接 从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快、没有坏块、稳定性高等 特点，满足了在功能手机、消费电子、工业控制、通讯设备等应用领域的代码存储需求， 2021 年在 NOR 市场下游应用中，通讯、消费电子、电脑、工业控制、车载电子分别占 30%、26%、14%、12%、18%。

（3）头部存储厂商相继退出 NOR 市场，华邦、旺宏和兆易创新占据市场主要份额。 全球 NOR 市场空间经过较长时间的下行，国际巨头美光和赛普拉斯于 2017 年先后宣布 逐步退出中低容量的消费电子市场，美光和赛普拉斯的退出使华邦、旺宏和兆易创新的 份额开始上升，国内厂商例如普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等也迅速加入 市场。此外，产能的减少也改善了市场的供需关系，2017 年之后，全球 NOR Flash 市 场被旺宏、华邦、赛普拉斯、美光和兆易创新垄断，2021 年华邦、旺宏和兆易创新三家 存储厂商的市占率分别为 35%、33%和 23%，CR3 合计市占率达到 91%。

（4）随着 TWS 耳机、汽车电子等对读取速度要求较高的产业的需求持续扩张，NOR 产业有望迎来新的发展机遇。1）由于主控蓝牙芯片内存有限，为了存储更多固件和代码程 序，需外扩一颗小体积、低功耗的 NOR Flash。2018-2022 年全球 TWS 耳机出货量由 0.46 亿副增长至 3.53 亿副，年均增长率达 66％，未来随着 TWS 耳机功能的提升和拓展， 对 NOR Flash 的容量和性能将提出更高要求，将进一步促进 NOR Flash 需求的稳步提升。 2）高容量 NOR Flash 由于其 XIP（允许系统直接从存储单元中读取代码执行）的特性及 高可靠性等特点，在汽车电子中被广泛应用，ADAS 系统包含行车记录、智能导航、全景 影像、车道偏移警示等功能，每一个系统普遍采用大容量 NOR Flash 或 SLC NAND Flash。 根据 Yole 统计，2021 年全球汽车存储的市场规模为 43 亿美元，其中 NOR Flash 占 15%， 预计 2027 年将达到 125 亿美元，年均复合增速为 20%。

2.3.利基型 DRAM 应用广泛、市场规模稳定增长

（1）利基型 DRAM 下游应用领域广泛，市场规模保持增长趋势。DRAM 被广泛的应 用于移动设备、服务器、个人计算机、消费电子等领域，根据 CFM 闪存市场数据，2022 年全球 DRAM 市场规模达到 791 亿美元，占全球存储芯片市场比重达到 55%，是最大的 存储芯片市场。中小容量 DRAM 产品属于利基型市场，终端产品包括数字机顶盒、PON 等通讯设备、功能手机、安防监控、智能家居等，据 Trendforce 统计，2021 年全球利基 型 DRAM 市场规模约为 90 亿美元，占 DRAM 总体市场规模的 10%左右，未来随着下游应 用领域的稳定发展，利基型 DRAM 市场规模将继续保持增长趋势。

（2）利基型 DRAM 市场格局较为分散，国内厂商加速替代。DRAM 中，LPDDR 主 要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严 格的个人电脑产品，DDR 主要应用于服务器、个人电脑等，DRAM 市场需求主要以手机、 PC 和服务器为主，2022 年占比分别为 35%、16%和 33%。目前全球先进 DRAM 芯片的 市场格局由三星、SK 海力士和美光三家存储厂商主导，2023 年 Q2 三星电子占全球 DRAM 市场营收的 38.14%，SK 海力士占比达 32.29%，美光的市占率也达到 25.03%， CR3 市场占有率合计已超过 95%，市场高度集中，东芯所处的中小容量 DRAM 市场属于 利基型市场的，市场相对分散，主要参与者为三星电子、美光科技、SK 海力士、南亚科技 等，国内相关厂商包括兆易创新、北京君正、紫光国芯等。

（3）DRAM 的先进制程工艺缩小到 15nm 以下，各大厂商继续向 10nm 逼近。存储 行业通常使用 1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ之类的术语表达制程，从 1X（16-19nm）到 1Y（14-16nm）再到 1Z（12-14nm），依托 EUV 光刻机可以使 DRAM 迈入到 10nm 的工 艺路线，目前最新的 1βnm 仍处于 10+nm 阶段。中国本土 DRAM 厂商主要有合肥长鑫、 紫光国芯、兆易创新、东芯股份和福建晋华等，兆易创新依托合肥长鑫的代工资源，2021 年推出首款自研 4Gb DRAM，采用 19nm 制程工艺，目前即将推出 17nm 产品；北京君正 采用中国台湾力晶、南亚科技的 25nm 工艺平台；紫光国芯、东芯股份等最新工艺制程为 25nm。

2.4.利基型存储竞争格局较为分散、国内厂商迎来替代良机

（1）公司产品主要为 SLC NAND、NOR Flash 和利基型 DRAM，合计市场空间约为 135 亿美元。东芯专注于中小容量存储市场，以 SLC NAND 产品切入积极开拓市场，实现 了部分产品的国产替代。公司的产品主要为 SLC NAND、NOR Flash 和利基型 DRAM，市场空间合计为 135 亿美元，占全球存储市场的 10.4%。分产品来看，根据 Gartner 数据 统计，2022 年中小容量的 SLC NAND 全球市场规模约为 24 亿美元，公司 NAND 系列产 品 2022 年实现收入 7.08 亿元，市场占比约为 4.03%；Yole 统计 2022 年全球 NOR Flash 市场规模大约为 32 亿美元，公司 NOR 系列产品 2022 年实现销售 0.72 亿元，市场占比约 为 0.31%；按照利基型 DRAM 占整个 DRAM 市场 10%的比例，2022 年全球利基型市场规 模约为 79 亿美元，公司中小容量 DRAM 产品 2022 年实现收入 0.82 亿元，市场占比约为 0.14%。

（2）海外龙头逐渐退出利基型存储市场，国内企业将迎来良好的发展契机。利基型市 场，包括 2D NAND、NOR、中小容量 DRAM，国外存储巨头三星电子、SK 海力士、美光 科技、铠侠等专注于大容量存储市场，业务逐渐淡出利基型市场，在周期上行阶段，大容 量产品由于利润更高，市场空间更大，为了抢占更多的市场份额，同时结合内部资源调控 和成本控制，存储大厂一般会将重心放在中高容量的存储市场，例如 DRAM 中的 DDR4 及 DDR5、LPDDR4 及 LPDDR5、GDDR5 及 GDDR6、HBM 以及 3D NAND Flash。利基型 存储厂商主要分布在中国大陆及中国台湾，台湾厂商包括华邦电子、旺宏电子等，内地厂 商像兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份等，近年来业务规模持续扩大，随着国产 化需求的不断提高，国内企业将迎来良好的发展契机，逐步替代头部厂商空出的利基市场。

2.5.市场资源供应趋紧、存储现货行情上涨

（1）存储大厂纷纷缩减资本支出，降低产能利用率以调配供需平衡。根据 IC insights 数据显示，全球半导体资本支出在 2021 年增长 35%，2022 年增长 19%后，预计 2023 年 下降 14%，达 1560 亿美元。细分来看，在存储领域，以 SK 海力士和美光科技为首的存 储芯片厂商对半导体投资支出显著下滑，其中，SK 海力士在 2023 年降低 50%资本支出， 美光在 2023 年资本支出下降 42%。当前，存储市场处于下行周期，全球存储厂商面临价 格下降、产业本身的周期属性以及外部经济环境下行因素，为应对持续低迷的存储芯片市 场，三星电子、美光科技、SK 海力士、西部数据等存储芯片大厂都宣布将于 2023 年大幅 度减产、削减资本开支，改善供需结构。

（2）NAND Flash 资源供应趋紧，现货价格行情稳步上扬。三季度尾声，上游相继控 制资源供应，原厂放缓 NAND 供应节奏，市场持续消耗库存，NAND 资源供应趋紧，现货 成品价格持续上涨。截至 2023 年 10 月 24 日，SLC 1Gb /SLC 2Gb 现货价格分别为 0.85/0.82 美元，环比涨幅为 6%/7%，较年初分别下跌 13%/27%；MLC 32Gb/MLC 64Gb 现货价格分别为 2.07/3.87 美元，环比小幅增长 0.34%/0.18% ， 较 年 初 分 别 下 降 4.17%/0.56%，巩固了 NAND 资源涨价趋势；3D TLC 256Gb 现货价格为 2.10 美元，环比 保持不变，较年初下降 14%。受减产效果驱动，原厂库存压力得到释放，加上 9 月备货需 求旺盛，下游库存加速消耗，NAND 芯片供给端过剩现象将进一步改善，渠道需求环比有 所恢复，存储行情有底部反转迹象。

（3）存储现货市场 DRAM 行情上涨，下游备货需求显著增加。近期存储市场行情来 看，由于原厂减产和控制供应的影响，部分资源仍然处于供不应求的状态，涨价行情正从 NAND 蔓延至 DRAM。上游强势涨价带来的影响开始扩散至现货 DDR 行情，截至 2023 年 10 月 24 日，4Gb DDR3 现货价格分别为 1.06 美元，环比涨幅为 4%，较年初下跌 18%， 8Gb(1Gx8) eTT/16Gb 2666Mbps DDR4 现货价格分别为 1.21/2.89 美元，环比涨幅分别为 6%/4%，较年初分别下跌 16%/30%。渠道内存条跟随 DDR 颗粒涨价，资源紧缺的行业类产品价格仍在上扬，随着现货行情回暖，市场备货需求升温，部分品牌调涨内存价格，存 储现货市场 DRAM 行情有望延续上涨。

（4）存储行业已经进入复苏周期，市场整体有望迎来量价齐升。存储原厂从 2022 年 Q4 开始相继启动减产，三星、SK 海力士、美光等国际存储大厂均表示扩大减产幅度，截 至目前，存储原厂减产时间已达 12 个月左右，预计将延续到 2024 年，原厂减产时长将长 达至少 15 个月。随着减产效果越来越显著，上游资源供应明显趋紧，部分资源在现货市场 上供不应求。目前存储行情位于底部阶段，在上游厂商减产、缩减资本开支和消费持续复 苏的带动下，Q4 存储行情有望在持续博弈中逐渐回暖。

3.持续加码研发和技术升级、差异化竞争利基市场

3.1.多产品线全覆盖、持续优化产品性能

（1）具备多品类存储产品体系，产品制程及性能表现优异。对比公司与同行业可比公 司在经营情况、市场地位、技术实力、衡量核心竞争力的关键业务数据、指标等方面情况， 公司作为行业新进入者，尚处于成长阶段，在销售规模、品牌知名度、供应链整合能力等 方面与国际巨头存在一定差距。但公司凭借自主清晰的知识产权、成熟完善的研发体系及 持续创新的研发设计能力，经过多年的经验积累和技术升级，已构建了以低功耗、高可靠 性为特点的多品类的存储芯片产品体系，在工艺制程及性能等方面的表现出色，获得行业 内客户广泛认可。公司 SLC NAND Flash 产品核心技术优势明显，凭借高可靠性被广泛应 用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域。

（2）SLC NAND、NOR 技术处于国内领先地位，DRAM 产品加速升级迭代。产品制 程是体现公司技术先进性的重要指标，同款存储芯片的制程越小，其成本越低，在市场上 更具竞争力。SLC NAND 领域，目前国内拥有自主研发设计并投片量产的公司主要为兆易 创新和东芯股份，根据兆易创新年报披露，其已经实现 2xnm SLC NAND Flash 的成功量 产；公司的 SLC NAND 量产产品以 38nm 为主，2xnm 部分产品已量产，基于大陆知名代 工厂 1xnm 工艺节点的产品已经进入研发阶段。NOR 领域，目前国内其他拥有自主研发设 计并投片量产的 NOR Flash 的企业较多，且产品大多制程覆盖 50-65nm，公司 NOR 系列 产品的工艺制程达到 48nm。DRAM 领域，合肥长鑫作为推出国内首颗 DDR4 内存芯片的 公司，其在 DRAM 的设计能力较为突出，公司 38nm/25nm DDR3 实现量产，正在研发第 四代低功耗 DDR 产品，实现 LPDDR 系列产品升级迭代。

（3）公司产品工艺制程不断精进，与国际主流技术水平代差逐步缩小。从产品线分布 来看，公司产品线相对集中，在 2D NAND 方面主要为 SLC NAND，尚未涉及大容量的 MLC/TLC NAND；在 DRAM 方面，公司产品主要为 DDR3/LPDDR4x，而国际先进的产品 已达到 DDR5/LPDDR5。SLC NAND 领域的龙头企业三星电子和铠侠是 IDM 模式，其技 术产线成熟，三星电子产品制程已达到 16nm，2021 年，公司 SLC NAND 芯片 1xnm 工艺生产线上成功流片，不但推进产品制程进一步升级，增加产品市场竞争力，同时也代表 着公司产品制程工艺已追平国际领先制程工艺，与国际领先水平并驾齐驱。

（4）持续加码研发和技术升级，助力公司产品多样性发展。目前，公司拥有六大产品线， SPI NAND、PPI NAND、SPI NOR、DD3（L）、MCP、LPDDR，随着研发项目的新增和 现有项目的展开，公司加大研发力度，持续拓展丰富产品结构，2023H1 研发投入 0.84 亿 元，占营收比重达 35%。公司正研发更先进制程的 SLC NAND Flash 芯片，扩充 SLC NAND Flash 产品丰富度，提升产品可靠性；研发更低成本、更高性能的 NOR Flash 芯片； 公司设计研发的 LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并已通过客户验证，未来将 继续在 DRAM 领域进行新产品的研发设计，丰富产品线。

3.2.聚焦高附加值产品、核心技术明显

（1）聚焦高附加值产品，顺应汽车产业在智能网联功能布局。公司产品可靠性正在逐 步从工业级标准向车规级标准迈进，SLC NAND 产品在耐久性、数据保持特性等方面表现 稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃到 105℃ 的极端环境下保持数据有效性长达 10 年。同时，公司采用业内领先的单颗集成技术，将存 储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品 成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司不断更新迭代产品，持续提高良率，引领公司 产品由消费级、工业级向车规级演进，技术持续引领大陆存储芯片产业。

（2）持续加大在车规级产品的开发，不断向高附加值产品前进。目前公司 NAND Flash 和 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100，也将适用于更严格的车规级应用环境，同 时为保障高附加值产品的质量，公司持续推动内部车规质量体系的建立，逐步加强产品可 靠性及生产制程的监控力度。截至 2023H1，公司车规产品累计投入金额 3121.09 万元， 预计总投资规模达 1.43 亿元，打造符合 AEC 国际车规认证标准，并符合车规客户要求。 公司聚焦高附加值产品，2021 年实现归母净利润 2.62 亿元，同比增长 1240.27%，主要由 于高附加值和高毛利率产品的销售占比提升；同时大力发展在工艺技术、使用环境、抗震 能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级 闪存产品的产业化目标。

（3）自主研发核心技术明显，为公司发展赋能增效。核心技术是公司核心竞争力的载 体，公司深耕存储芯片设计赛道，通过持续的自主创新和技术研发，自主开发了 SLC NAND、NOR、DRAM 等主流存储芯片产品相关的知识产权包含专利技术、非专利技术、 数据库等，拥有内置 4 比特或 8 比特 ECC、高速 SPI 接口等 16 项具备自主知识产权的技 术。此外，公司拥有覆盖主流存储芯片的境内外发明专利 74 项，软件著作权 14 项、集成 电路布图设计权 73 项、注册商标 12 项，为公司强大的技术升级和产品研发能力奠定了坚实基础，为持续经营中实现企业的技术积累，为日益发展的存储需求提供可靠高效的解决 方案。

3.3.加强供应链合作、保障产能稳定

（1）公司采取 Fabless 经营模式，降低成本同时显著提升产业运作效率。经营模式 来看，存储产业可分为 IDM 和垂直分工模式，IDM 模式指企业业务覆盖 IC 设计、制造、 封装和测试的所有环节，大部分国际存储芯片大厂均为 IDM 模式，国内厂商如长江存储、 长鑫存储等采用 IDM 模式。另一种模式为垂直分工模式，即 Fabless（无晶圆制造的设计 公司）+Foundry（晶圆代工厂）+OSAT（封装测试企业），Fabless 模式是指无晶圆生产 线集成电路设计模式，即企业只进行集成电路的设计和销售，将制造、封装和测试等生产 环节外包，代表企业包括兆易创新、北京矽成、东芯股份等；Foundry 即晶圆代工厂，它 是一种只负责芯片制造，不负责芯片设计环节的一种产业运作模式，这类企业典型代表为 中芯国际、华力微电子、武汉新芯等；OSAT 指专门从事半导体封装和测试的企业，比如 长电科技、通富微电、华天科技、沛顿科技等。

（2）加强供应链合作，保障产能稳定。搭建稳定的供应链体系，有利于加深良好的上 下游战略合作关系，同时促进国内产业链配套发展得到不断完善，形成利于发展的产业环 境，对加速赋能国产替代至关重要。作为国内领先的存储芯片企业，公司已经与国内外多 家知名晶圆代工厂、封测厂（紫光宏茂、AT Semicon、南茂科技等）建立合作关系，在晶圆代工、封装测试方面均已经搭建了稳定可靠的供应链体系，有效保证了供应链运转效率 和产品质量，打造了完整成熟的供应链体系，来保障打造优质产品。同时积极推进新产品 及新应用的验证，目前已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君 正、恒玄科技等各大主流平台验证，进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、 惠尔丰等知名客户的供应链体系。

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