东芯股份研究报告:利基存储冉冉新星,创芯动能穿越周期.pdf

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  • 时间:2023/10/27
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东芯股份研究报告:利基存储冉冉新星,创芯动能穿越周期。国内领先的存储芯片设计厂商,聚焦中小容量存储芯片赛道。东芯股份成立于2014年, 主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash,易失性存储芯片DRAM以及衍 生产品MCP。公司营收从2018年的5.10亿元增长至2022年的11.46亿元,CAGR为 22.43%,2022年公司毛利率达41%,附加值较高。

公司所处利基型存储市场空间约为135亿美元,国产化空间巨大。根据Gartner数据,预 计2023年SLC NAND市场规模达24亿美元,SLC NAND写入速度快、成本相对NOR低, 在嵌入式市场、5G基站、先进驾驶辅助系统中广泛应用。NOR在小规模存储领域具备读 取速度快优势,2022年市场规模达32亿美元。据 Trendforce统计,2021年利基型DRAM 市场规模约为90亿美元,占DRAM总体市场规模的10%左右。利基型存储芯片在成本、 读写速度、寿命、容量大小等指标上各有优势,因此可以适用于不同的特殊场景,长期 看市场需求保持稳定增长。测算公司产品收入,2022年在全球SLC NAND、NOR Flash、利基DRAM占有率分别是4.03%、0.31%、0.14%,公司中长期发展空间巨大。

公司以SLC NAND筑基,产品结构不断升级;同时发力NOR与利基DRAM,产品不断突 破。2018-2022年,公司NAND业务收入由1.77亿元增长至7.08亿元,近五年CAGR达 41%,2022年SLC NAND收入占比为62%,是公司主要产品。目前NAND产品38、2xnm 已经在海内外代工厂量产,1xnm产品国内某代工厂在研。公司NOR目前是55、48nm量 产,产品竞争力或将不断提升。DRAM产品目前以DDR3、LPDDR4为主,DDR4X在 研,DRAM产品都是海外某代工厂2xnm制程生产。

公司中长期持续加码研发和技术升级,差异化竞争利基市场。公司产品可靠性正在逐步 从工业级标准向车规级标准迈进,目前公司NAND及NOR均有产品通过AEC-Q100,也 将适用于更严格的车规级应用环境。公司自主研发产品技术拥有内置4比特或8比特 ECC、高速SPI接口等16项具备自主知识产权的技术。公司产品进入到三星电子、海康 威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等知名龙头客户的供应链体系。

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