2025年恒坤新材研究报告：半导体光刻材料及前驱体细分龙头，新产品开拓进行时

一、发行人所处行业概况

1.1 发行人的行业分类

发行人的主营业务为集成电路领域关键材料的研发与产业化应用，主要覆盖材料包括光刻材料与前驱体材 料两大类，并根据客户需求引进包括电子特气等其他关键材料产品。 根据《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），发行人属于计算机、通信和其他电子设备制造业（C39） 下属的电子专用材料制造（C3985）。根据《战略性新兴行业分类（2018）》，发行人的产品属于“3 新材料产业 —3.3 先进石化化工新材料—3.3.6 专用化学品及材料制造（C3985 电子专用材料制造）”。

1.2 发行人所处行业的政策分析

1.2.1 行业主管部门和监管体制

发行人主营业务属于新一代信息技术与新材料交叉领域，行业管理体制为国家宏观调控和行业自律相结合 方式： 行政主管部门系国家发展和改革委员会、国家工业和信息化部，负责研究拟定产业发展战略、方针政策和 总体规划，对行业整体发展方向进行宏观调控，指导并促进行业技术进步； 行业监管部门包括国家应急管理部、国家市场监督管理总局以及国家生态环境部，负责安全生产政策和规 划，指导协调全国安全生产工作，市场综合监督管理，建立健全环境保护基本制度，重大环境问题统筹协调和 监督管理，环境污染防治的监督管理； 行业协会系中国半导体行业协会与中国电子材料行业协会，负责行业自律、规范管理、协助制订标准、参 与国际交流、提供决策支撑以及行业政策建议等。

1.2.2 行业主要法律法规和政策

根据法律法规，我国对集成电路关键材料包括光刻材料、前驱体材料等均实行严格监督管理机制，行业监 管体系主要包括质量监督管理体系、安全生产监督管理体系、道路运输管理体系、环境保护管理体系等；行业 监管制度包括安全生产许可制度、危险化学品生产许可制度、道路运输经营许可制度等。发行人生产经营活动 需遵守相关规章制度。 发行人主营的关键材料包括光刻材料、前驱体材料等，均系国家重点扶持和发展行业以及战略性新兴产业 中的新一代信息技术产业和新材料产业。

1.3 发行人与主要竞争者的比较及其在行业中的地位以及行业竞争格局分析

1.3.1 发行人的行业地位

发行人主营业务为集成电路领域关键材料的研发与产业化应用，已实现自产关键材料包括 SOC、BARC、 KrF光刻胶、i-Line 光刻胶等光刻材料和 TEOS 等前驱体材料，并有多款关键材料已进入客户验证流程。截至 2025H1，发行人自产产品在研发、验证以及量供款数累计已超过百款。发行人已成为境内主要的集成电路光刻 材料供应商，已实现对境内主流 12 英寸集成电路晶圆厂的广泛覆盖，预计将在未来国产化应用过程中持续占有 较高市场份额。 发行人技术研发实力能够匹配国家战略需要和行业发展要求。一方面，发行人持续承接国家各类重大专项， 在前期承接国家 02 科技重大专项子课题及国家发改委专项研究任务并已完成验收基础上，2023 年末新增联合 承接国家多部委重要攻关任务，通过行业领先的研发能力为中国境内集成电路实现全产业链自主可控提供关键 支持；另一方面，发行人通过自主研发能力助力境内集成电路产业快速发展，配合境内晶圆厂在突破 128 层以 上 3D NAND 闪存芯片、18nm 以下 DRAM 芯片以及 14nm 以下逻辑芯片等国外重点技术封锁领域提供光刻材 料技术解决方案。 发行人自产产品相关核心技术具备技术先进性，产品填补国内空白，打破国外垄断，保障境内集成电路关 键材料的供应链安全。根据弗若斯特沙利文市场研究统计，2023 年度境内集成电路晶圆制造前十大厂商晶圆年 产量合计已超过 1,400 万片，占境内集成电路晶圆制造总产量超过 90%，集聚效应显著。目前，发行人自产产 品已在多家中国境内领先的 12 英寸集成电路晶圆厂实现销售，实现了对日产化学、信越化学、美国杜邦、德国 默克、日本合成橡胶、东京应化等境外厂商同类产品替代。前十大晶圆厂中，多家已成为发行人客户，其中， 发行人自产产品在部分客户累计销售规模已突破亿元。发行人是境内少数实现光刻材料与前驱体材料量产供货 企业之一，根据弗若斯特沙利文市场研究，2023 年度，发行人 SOC 与 BARC 销售规模均已排名境内市场国产厂商第一位。

1.3.2 行业竞争格局

发行人定位为专注于集成电路关键材料产业化应用，以 12 英寸集成电路晶圆制造所需光刻材料与前驱体材 料国产化应用为主要突破方向，销售产品主要包括光刻材料、前驱体材料、电子特气及其他湿电子化学品。根 据弗若斯特沙利文市场研究，在 12 英寸集成电路领域，全球范围内生产 SOC 与抗反射涂层的企业主要有日本 合成橡胶、信越化学、美国杜邦、Brewer Science、德国默克、PIBOND 等；全球范围内生产半导体光刻胶的企 业主要有日本合成橡胶、信越化学、东京应化、富士胶片、美国杜邦等。境内企业除恒坤新材已实现 i-Line 光 刻胶与 KrF 光刻胶量产供货外，包括南大光电、北京科华、上海新阳、瑞红苏州等也有半导体光刻胶产品在验 证或量产供货过程中。 现阶段，境内光刻材料与前驱体材料仍然系由境外厂商占据主要市场份额，境内关键材料企业虽然已有突 破，但是尚未在先进技术节点形成大规模国产化的局面。以发行人自产光刻材料为例，发行人的主要竞争对手 系境外厂商，以美国与日本关键材料厂商为主。根据弗若斯特沙利文市场研究，在 12 英寸集成电路领域，i-Line 光刻胶、SOC 国产化率 10%左右，BARC、KrF 光刻胶国产化率 1-2%左右，ArF 光刻胶国产化率不足 1%。这类 企业具有先发优势，长期处于垄断地位，且始终保持对先进技术节点的产品供应。

部分境内 A 股上市公司凭借良好背景、持续投入以及技术积累也已在光刻材料与前驱体材料取得一定突破， 与发行人主营业务产品类似的公司包括北京科华、艾森股份、南大光电、上海新阳、瑞红苏州等。

1.4 发行人所处行业的发展前景分析

随着境内集成电路产业持续发展，结合国家战略推动关键材料国产化，带动关键材料市场规模逐年增长。 根据弗若斯特沙利文统计及预测，境内集成电路关键材料市场规模总体从 2019 年 664.7 亿元增长到 2023 年 1,139.3 亿元，年复合增长率为 14.4%，预计 2028 年市场规模为 2,589.6 亿元。同时，基于晶圆制造技术节点不 断升级及境内集成电路先进制程日趋成熟，光刻材料、前驱体材料以及靶材等制造材料用量均持续提升，预计 前道工艺对应制造材料增长幅度将高于后道工艺封测材料增长幅度，预计 2028 年制造材料市场规模为 1,853. 8 亿元，占关键材料市场规模比例超过 70%。

制造材料中，硅片、光刻材料、掩模板、电子特气占比较高。以 2023 年为例，硅片市场在晶圆制造材料市 场中占比为 33.1%，位列第 1 位，光刻材料、掩模板、电子特气分别位列第 2、3、4 位，占比分别为 15.3%， 13.2%，13.2%。

1.4.1 光刻材料：贯穿光刻工艺的集成电路制造关键材料

光刻材料主要包括 SOC（Spin On Carbon）、 ARC（Anti-reflective Coating）、光刻胶、Top Coating、稀释 剂、冲洗液、显影液等，系光刻工艺中重要材料之一，决定着晶圆工艺图形的精密程度与产品良率。光刻工艺 定义了集成电路产品的尺寸，是集成电路制造工艺中的关键一环，光刻工艺难度最大，耗时最长，芯片在生产 过程中一般需要进行 20 至 90 次光刻。同时，光刻材料贯穿整个光刻工艺，集成电路生产制造过程中，光刻材 料成本约占集成电路制造材料成本的 13%-15%，光刻工艺成本约占晶圆制造工艺的 1/3，耗时占晶圆制造工艺 的 40%-50%。

光刻材料市场需求与集成电路工艺发展紧密相关，同时存储芯片与逻辑芯片相应产品技术演变推动光刻材 料技术不断进步，需求保持上升。一方面，随着晶圆制造工艺制程逐渐缩小，先进制程中光刻工艺曝光次数显 著增加。尤其是境内缺失 EUV 相关技术的背景下，多重曝光技术与浸没式光刻技术已被广泛应用以提升技术节 点，相应曝光材料用量随之提升，对光刻材料需求保持增长；另一方面，存储芯片中闪存芯片推进 3D NAND、 内存芯片技术节点持续升级、逻辑芯片转向 FinFET 结构等都对光刻材料提出新要求，促使光刻材料持续演进。 （1）存储芯片方面，持续提升读写速度和存储容量系各类存储芯片主要发展方向。其中，DRAM 制程工艺 已在使用 DUV技术与多重曝光技术，特别是技术节点进入 20nm 以下之后，制造难度大幅提升，DRAM 芯片厂 商对工艺定义从具体线宽转变为在制程范围内技术迭代来提高存储密度；NAND 芯片制程工艺从 2D 架构转向 3D 堆叠架构，以更多堆叠层数来得到更大存储容量，要求光刻材料满足多次台阶刻蚀和深层结构刻蚀要求。在 技术实现基础上，存储芯片容量提升对应制造工艺过程中的光刻次数与层数持续增加，对应光刻材料市场需求 也将快速增长。 （2）逻辑芯片方面，一方面，为了在现有技术范围内尽可能提高技术节点，晶圆厂引入浸没式光刻技术和 多重曝光技术，Top Coating 作为与 ArF 浸没式光刻胶配套使用的光刻材料得以广泛应用。同时，多重曝光技术 使浸没式光刻技术在原有半周期极限分辨率仅能满足 28nm 技术节点背景下，通过多重曝光能够应用于 14n m、 10nm 甚至 7nm 技术节点，而在多重曝光技术下，对光刻材料的分辨率、线条边缘粗糙度和光敏性均提出更高 要求；另一方面，高数值孔径光刻机应用和 FinFET 器件工艺导致光刻工艺复杂性显著增加，除需要改善分辨率 外，光刻材料还需应对 FinFET 器件不平整的三维衬底结构在平坦化和抗反射方面的需求。多重曝光技术与 FinFET 器件工艺持续推动光刻材料技术进化，并同步带动光刻材料市场需求提升。 境内光刻材料起步较晚，前期发展较为缓慢。随着国家科技重大专项支持和集成电路产业快速成长的带动 下，境内光刻材料企业开始持续研发投入，光刻材料整体研发与制备水平得到提升，但在先进制程领域，境外 光刻材料厂商仍然占据较高市场份额。伴随境内晶圆制造产能与良率不断提升，上下游行业快速发展，并结合 光刻材料国产化战略持续深化，境内光刻材料市场本土供应量增速有望高于全球平均水平。根据弗若斯特沙利 文市场研究，境内光刻材料整体市场规模从 2019 年 53.7 亿元增长至 2023 年 121.9 亿元，期间 CAGR 达 22.7%， 并将于 2028 年增长至 319.2 亿元，期间 CAGR 达 21.2%。

1.4.1.1 碳膜涂层（SOC）：光刻工艺必备关键材料，需求量随工艺持续提升

SOC 系光刻工艺衬底上旋涂的第一层材料，有效解决光刻过程中的平坦度、刻蚀持久性以及抗反射能力问 题，广泛应用于先进 NAND、DRAM存储芯片与 45nm 技术节点以下逻辑芯片光刻工艺。根据应用领域，主要 可分为用于存储芯片生产为主的高温 SOC 与用于逻辑芯片生产为主的低温 SOC。同时，SOC 系“三层结构” 的核心材料之一，随着 FinFET 器件技术广泛应用，“三层结构”已开始取代“两层结构”，SOC 已属于晶圆制 造光刻工艺必备关键光刻材料。 SOC 发展趋势主要系于晶圆制造光刻工艺的持续升级与优化。一方面，由于 SOC 材料特性，使其同时具 备较好抗反射能力与优良刻蚀持久性与纵横比，并能够在光刻工艺后被除去。因此，在晶圆制造工艺日趋复杂 的发展趋势下，对 SOC 使用量将成倍提升；另一方面，“三层结构”对提高图形解析度与保真度方面均效果显 著，且在工艺异常时可通过返工工艺避免晶圆报废，能够一定程度弥补境内 EUV 光刻工艺缺失的技术短板，促 进境内晶圆制造工艺与关键材料国产化的发展，相应推动 SOC 规模进一步增长；与此同时，随着境内先进 NAND、 DRAM 存储芯片如多层堆叠的 3D NAND 和 18nm 及以下的 DRAM 等 SOC 使用量较高产品的生产技术日趋成 熟，产能产量日益提升，对 SOC 需求和使用量将持续扩大。 根据弗若斯特沙利文市场研究，境内 SOC 市场规模呈现持续上升趋势，从 2019 年 6.5 亿元增长至 2023 年 13.3 亿元，年复合增长率达 19.6%，预计 2028 年境内 SOC 市场规模将增长至 43.7 亿元，年复合增长率为 26.8%。因此，预计 2023 年至 2028 年，境内 SOC 年复合增长率将高于光刻材料整体年复合增长率，S OC 在光 刻材料中占比将日益提升。

1.4.1.2 抗反射涂层（BARC/TARC）：配套光刻胶，成熟应用于晶圆制造光刻工艺

在光刻工艺过程中，抗反射涂层在旋涂光刻胶前后均需要使用，主要作用系消除入射光在光刻胶与衬底界面、光刻胶与空气界面产生的反射，降低由反射引起的驻波效应对光刻胶性能的影响，已成为配套光刻胶成熟 应用的关键光刻材料。根据涂覆位置不同，抗反射涂层主要分为位于衬底与光刻胶之间的 BARC 与位于光刻胶 顶部的 TARC。 随着集成电路集成度日益提升，对应线宽尺寸与薄膜厚度均提出更高要求，相应需要更大比例抗反射涂层 配合光刻胶使用。因此，随着光刻技术演进，光刻层数增加，抗反射涂层使用规模将同步增加。与此同时，技 术节点不断缩小致使不同光刻材料之间化学相互作用日益明显，需对 BARC 工艺和特性持续优化以提供最佳 光刻材料轮廓和工艺窗口，满足特定应用和产品需求。根据弗若斯特沙利文市场研究，境内抗反射涂层市场规 模从 2019 年 10.3 亿元增长至 2023 年 29.4 亿元，期间 CAGR 达 29.9%。预计 2028 年境内抗反射涂层市场规模 将增长至 96.9 亿元，期间 CAGR 为 26.9%。

BARC 占抗反射涂层市场规模超过 70%。按照应用场景及搭配光刻胶类别，BARC 可进一步分为 i-Line BARC、KrF BARC、ArF BARC 以及 iArF BARC 等类型。BARC 市场需求与对应光刻胶用量密切相关，随着 境内 12 英寸集成电路晶圆制造产能持续提升，工艺制程逐步升级，预计 KrF 光刻胶与 ArF 浸没式光刻胶市场 规模将进一步提升，对应 KrF BARC 与 iArF BARC 市场规模同步增长。 BARC 材料细分领域众多，其中，SiARC 涂覆位置与 BARC 相似但分子结构与其他 BARC 有较大差异， 在先进 NAND、DRAM 存储芯片与 40nm 技术节点以下逻辑芯片的关键层被广泛使用。如在 40nm 技术节点， 光刻胶厚度一般仅为 100nm 左右，该厚度已无法有效阻挡反应离子刻蚀，在图形被完全刻蚀到衬底之前，光刻 胶已经大量消耗，SiARC 由于含硅特性，在离子刻蚀时可提供较高的刻蚀选择性。在“三层结构”中，SiA RC 涂覆于 SOC 上，共同解决光刻工艺过程中的刻蚀性能、间隙填充、平坦化性能以及反射率等问题。现阶段，“三 层结构”在集成电路晶圆制造过程中已广泛应用，SiARC 需求随着境内晶圆厂量产能力提升而持续增长。

1.4.1.3 光刻胶：光刻工艺核心材料

光刻胶按照化学反应和显影原理可分为正性光刻胶和负性光刻胶，按照应用领域划分可分为 PCB 光刻胶、 LCD 光刻胶以及半导体光刻胶。其中，半导体光刻胶技术壁垒最高，LCD 光刻胶次之，PCB 光刻胶技术壁垒 最低。半导体光刻胶根据曝光光源波长可进一步分为 g-Line 光刻胶、i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶 以及 EUV光刻胶等。光刻胶应用于晶圆制造工艺的光刻环节，作为核心材料决定了工艺图形的精密程度和产品 良率，多年来一直保持稳定持续增长。 根据弗若斯特沙利文市场研究，境内半导体光刻胶市场规模从 2019 年 27.8 亿元增长至 2023 年 64.2 亿元， 期间 CAGR 达 23.3%，预计 2028 年境内半导体光刻胶市场规模将达到 150.3 亿元，期间 CAGR 达 18.5%，高 于全球半导体光刻胶市场规模增速。在细分市场中，i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶与 ArF 光刻胶系境内 12 英寸集 成电路晶圆制造主要应用光刻胶，随着境内 12 英寸晶圆产能持续提升，先进应用和技术节点持续提升，光刻技 术如浸没式光刻技术和多重曝光技术逐步应用以及光刻胶性能稳步升级，KrF 光刻胶与 ArF 光刻胶对应市场规 模从 2019 年 14.7 亿元增长至 2023 年 36.7 亿元，预计 2028 年市场规模将达到 106.9 亿元，占境内半导体光刻 胶市场份额将达 71.12%。 技术节点持续升级将推动光刻胶应用规模的稳步提升。在逻辑芯片光刻工艺中，随着技术节点不断微缩， ArF 浸没式光刻应用将大幅增长，从 40nm 的少量应用增至 7nm 工艺可超过 35 层；KrF 光刻一直是 65n m 至 28nm甚至是 16nm 工艺应用最多的光刻工艺，光刻层数为 25 至 30 层；i-Line 光刻在 130nm 至 90nm 工艺中的 应用层数为 20 层左右，超过总光刻层数 50%；在 3D NAND 存储芯片光刻工艺中，随着堆叠技术快速提升工艺 层数，促使光刻层数对应增加，KrF 光刻作为 3D NAND 应用最广泛的光刻工艺，光刻层数持续增加；在 DRAM 工艺中，18nm以下技术节点时，KrF 光刻层数超过 50%，ArF 和 ArF 浸没式光刻层数各占约 25%。

1.4.2 前驱体材料：薄膜沉积工艺关键材料

前驱体材料主要应用于集成电路晶圆制造前道工艺中的薄膜沉积工艺，在气相沉积过程中形成符合集成电路制造要求的各类薄膜层。薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）以及原子层气 相沉积（ALD）等，随着集成电路工艺制程持续突破，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构 日趋复杂，所需薄膜层数越来越多，对薄膜的材料种类和性能参数均不断提出新要求，前驱体材料发展为集成 电路制造向更先进制程发展提供核心保障。 前驱体材料根据形成薄膜材料属性划分，可以分为硅基前驱体与金属基前驱体；根据集成电路晶圆制造工 序功能划分，可以分为 High-K前驱体和 Low-K 前驱体。K 即介电常数，用于衡量一种材料存储电荷的能力， High-K 前驱体用于 High-K 金属栅极（HKMG）薄膜沉积工艺的 High-K 介质层；Low-K 前驱体用于集成电路 后端布线工序 BEOL 中金属连线之间的绝缘介质。 前驱体材料市场需求一方面随着集成电路晶圆产能扩张而快速增长，另一方面也随着工艺制程技术迭代促 使单位用量稳步提升。根据弗若斯特沙利文市场研究，境内前驱体材料从 2019 年 24.2 亿元增长至 2023 年 54. 4 亿元，期间 CAGR 为 22.4%，并将于 2028 年达到 179.9 亿元，期间 CAGR 为 27.0%。其中，硅基前驱体从 2023 年 25.6 亿元增长至 2028 年 72.6 亿元，期间 CAGR 为 23.2%，金属基前驱体从 2023 年约 26.9 亿元增长至 2028 年约 103.4 亿元，期间 CAGR 为 30.9%。

1.5 发行人所处行业发展趋势展望

国家政策扶持为集成电路关键材料企业稳步发展奠定基础。当前，境内集成电路关键材料产业仍然高度依 赖进口，供应链安全问题较为突出，不利于行业稳定发展，国产化应用刻不容缓。因此，国家高度重视集成电 路关键材料产业可持续发展，陆续出台一系列政策与规划，从发展指引、股权投资、专项支持、研发补助以及 税收优惠等方面均为集成电路关键材料产业建立了优良可靠的发展环境，推动产业“强长板、补短板、上规模、 上水平”。在此背景下，预计境内关键材料产业将迎来长期高质量发展，对应行业内企业将迎来良好发展机遇。 产业技术升级为关键材料企业提供市场机遇。随着境内集成电路产业快速发展，晶圆制造产业技术持续升 级，包括大尺寸与薄片化硅片、多重曝光技术、FinFET 结构工艺、闪存堆栈工艺等已在晶圆制造过程中广泛应用。在晶圆制造产业技术升级过程中，对材料和设备的性能要求和应用需求均显著提升，一方面要求行业内企 业持续提升自主研发能力与创新能力，巩固核心竞争力；另一方面有利于相关企业进一步拓展下游应用和市场 空间，迎来良好市场机遇。 光刻材料原材料研发已取得进展。中国境内光刻材料早期发展较为缓慢，致使光刻材料原材料的开发缺乏 动力和目标，间接导致现阶段中国境内光刻材料原材料仍然大部分依赖进口。随着光刻材料国产化持续推进， 光刻材料原材料如光敏剂、树脂、溶剂等已具备市场发展空间，相关研发工作已取得进展，在基本有机合成方 面积累一定技术沉淀，需重点突破在大批量生产过程中如何控制原材料的金属杂质和颗粒尺寸及含量，使其可 满足集成电路工艺对金属杂质和颗粒的严苛要求。未来，随着光刻材料原材料国产化取得突破，将促进光刻材 料国产化应用进一步落地。

1.6 发行人所处行业进入壁垒分析

1.6.1 技术壁垒

集成电路关键材料是多学科结合的综合研究成果，且细分产品种类众多，要求参与企业拥有跨领域的知识 储备和生产技术。国际领先的关键材料企业通常都具备数十年的研发经验与成果积累，已构建完善的知识体系、 技术架构以及生产工艺，产品种类已实现层次化和多元化，涵盖多个应用领域。因此，对于行业新进企业而言， 需具备优秀的技术研发能力，首先追赶头部企业成熟产品，其次满足客户个性化需求，最终凭借持续研发创新 巩固技术壁垒，实现可持续发展。

1.6.2 客户与供应链壁垒

集成电路关键材料下游客户主要系晶圆制造厂商，相关客户对供应商及所供应产品通常将进行严格的认证、 验证、考核以及跟踪流程，整体耗费周期较长。以光刻胶为例，由于光刻胶品质会直接影响芯片性能与良率等 重要指标，试错成本高，客户验证需要经过 PRS（性能验证）、STR（小批量试产）、MSTR（批量试产）以 及 Release（通过验证）四个阶段，验证周期可达 2 年左右。产品一旦通过验证并批量供货后，就会形成相对稳 定的合作关系。客户如更换供应商需谨慎评估并综合考虑更换成本，包括所需耗费时间、现有生产影响以及新 增验证成本等。因此，关键材料企业如某款产品通过客户验证并批量供货后，该款产品短期内较难被替换。新 进企业只有在研发水平、生产能力、品质控制、供应价格以及售后服务等方面均显著超过现有供应商，才有可 能获得客户验证机会推进导入产品。 与此同时，集成电路关键材料自主可控难题不仅体现在材料本身，整体供应链也处于依赖进口状态。供应 链自主可控关系到关键材料企业的量产供货能力和持续研发能力，系关键材料企业可持续发展的重要支撑。因 此，已实现供应链自主可控，尤其是关键原材料国产化的关键材料企业将在市场竞争中形成有效供应链壁垒。

1.6.3 人才壁垒

集成电路关键材料具备较高技术含量，是高技术人员高度聚集的产业。产业内企业在研发、生产以及销售 等日常运营环节均需要专业背景深厚，从业经验丰富的高层次技术人才参与。全球范围内，美国和日本在关键 材料领域已有多年沉淀，在日常培训、技术学习、科研体系等方面均已形成较为完善且可持续的输出机制，人 才储备充足。中国境内集成电路关键材料整体起步较晚，在人才培养方面存在滞后，导致整体专业人员匮乏， 构成新进入企业的竞争壁垒。

1.6.4 资金壁垒

集成电路关键材料研发和产业化是一项高投入、重资产、长周期的系统性工程。一方面，企业从工厂与实 验室建造，生产与检测设备购置，到产品自主研发与验证测试，最终批量生产和持续品质管控，各环节均需要 持续资金投入；另一方面，产业不断技术创新促使材料和设备持续升级，企业需要拥有良好的资金实力以保持 对产品研发和产业化的投资力度，提升研发与生产水平以满足行业发展需要。因此，对于产业新进入企业，发 展各阶段所需要的资金储备构成了产业竞争壁垒。

二、发行人经营状况及发展前景

2.1 发行人商业模式分析

发行人当前主要从事光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售，通过销售相关产品实现收入。自成立以 来，发行人的主营业务、主要产品或服务以及主要经营模式演变主要分为 3 个阶段：第一阶段为 2004 年（成立） 至 2014 年的传统业务构建经营基础、市场竞争促进转型战略阶段；第二阶段为 2015 年至 2019 年的战略规划 初见成效、销售先行提升研发信心阶段，第三阶段为 2020 年至今的自主研发全面突破，行业地位日益稳固阶 段。

2.1.1 研发模式

发行人已形成完善的研发体系，研发工作由研发中心统筹负责、实施方式主要以自主研发方式为主。发行 人研发模式分为项目立项阶段、方案设计阶段、样品制作阶段、用户试用阶段、小批量试产阶段以及量产阶段。 发行人研发主要系结合客户主要制程与研发方向需求，以产品线为基础，以国产化为主要研发方向，主要包括 光刻材料与前驱体材料两个研发大类。 目前，发行人主要在研产品既包括客户现有技术节点下相关产品对应所需的材料，也包括客户在研发过程 或规划中的产品对应所需的材料。发行人在完成研发样品后即与客户沟通测试送样，并根据测试结果与客户需 求对产品配方、参数以及指标进行调整，最终实现对不同客户不同类型产品销售。

2.1.2 采购模式

发行人采购产品主要包括研发与生产所需原材料与辅料采购和引进产品采购等：

（1）原材料与辅料等采购：发行人根据客户订单情况与产品生产规划进行原材料备货，并提前规划备货周 期。发行人原材料与辅料采购流程由 A.新材料开发及确认阶段，B.询价阶段，C. 日常采购，D. 原材料与辅料 接收、验证以及入库四个阶段组成。 （2）引进产品采购：发行人引进产品采购包括光刻材料、前驱体材料、电子特气及其他湿电子化学品等采 购。自相关产品完成客户送样、测试以及验证后，发行人根据客户需求向供应商进行成品采购。采购过程中， 由销售团队根据客户需求向计划中心提出产品申请，计划中心制定采购计划后，采购员依照一种产品对应一个 生产商的规则在 ERP 建立新的产品料号。销售团队根据客户订单，在 ERP 系统提销售订单，同时下推采购申请 单并走审批流程。采购员接到采购申请单后，下推采购订单，经过审批后，发送供应商签订。引进产品由境外 供应商直接发货至客户仓库或指定地点，由客户或发行人根据订单等文件办理清关等事宜。

2.1.3 生产模式

发行人采用以销定产的生产模式，子公司福建泓光与大连恒坤分别负责光刻材料与前驱体材料的生产工作。 销售部门提前获得各客户各产品的年度或半年度需求预测和每月出货计划预测，确认正式订单并经销售部门负 责人审核后，由计划中心负责制定出货计划及物料采购计划。生产部门根据出货计划要求，结合仓库库存情况 和车间产能情况等制定生产排程，组织生产和安排出货，并根据需求储备安全库存，以确保产品交期稳定。 一方面，发行人在产品研发阶段即投入大量资源与客户就产品技术、性能、品质要求、量产计划和需求规 模等重要细节进行沟通，当产品样品性能通过客户验证后，通常还需经小批量、正式批量供货阶段来验证发行 人产品的生产技术能力与品质稳定性，客户也会在验证与小批量供货阶段对发行人的产能及其原材料供应是否 可满足其需求进行判断。因此，发行人通常在产品验证阶段准备相关产品产能，同步对生产线是否可满足对应 产品后续规模化生产进行测试。另一方面，产品开始供货后，客户通常按照其物料需求定期向发行人推送采购 需求，发行人根据客户需求制定后续生产计划。

2.1.4 销售模式

发行人产品销售均采用直销模式。按照发行人与客户之间的结算模式不同，进一步分为普通销售模式和寄 售模式： （1）普通销售模式下，自产产品根据销售合同或订单约定，发行人将商品发运至客户指定地点并取得客户 签收单时实现销售；引进产品根据销售合同或订单约定的贸易条件，在控制权完成转移时实现销售。 （2）寄售模式下，发行人根据销售合同或订单的约定将商品发运至客户指定地点，在客户实际领用时实现 销售。

2.2 发行人经营状况分析

2022~2025H1，发行人分别实现营业收入 3.22/3.68/5.48/2.94 亿元，YoY +127.93%/+14.28%/+49.01%/+23.74% ， 发行人收入快速增长。同期实现归母净利润 1.01/0.90/0.97/0.42 亿元，YoY +234.91%/-10.95%/+7.87%/-5.71%。

2022 年，随着下游客户需求的增长及发行人自产规模的扩大，发行人营业收入和净利润较上年度同比快速 增长。2023 年，发行人自产业务收入仍保持增长，但受下游终端消费市场周期性影响，部分客户对引进光刻材 料和前驱体需求下降，发行人整体营业收入增速有所下降，营业毛利与上年度基本持平。同时，随着发行人自 产业务的不断扩张和研发投入持续增加，发行人销售、管理及研发费用合计较上年度增加了 3,028.54 万元，导 致发行人当期净利润较上年度有所下降。2024 年，发行人自产业务收入进一步增长，营业收入和净利润均较上 年度同比增长。

2.3 发行人盈利能力及财务状况分析

2022~2025H1，发行人综合毛利率分别为 72.60%/62.24%/53.84%/41.65%。2022 年，发行人自产产品毛利率 随着收入的增长，规模效应逐步显现，毛利率大幅提升，2023 年和 2024 年略有下降；引进产品毛利率相对稳 定。2025 年 1-6 月发行人自产产品毛利率有所回升；引进产品毛利率略有下滑。具体来看： 2022~2025H1，发行人自产光刻材料毛利率分别为 39.17%/35.70%/33.47%和 36.33%，2022 年随着收入规模 的扩大，单位成本明显降低，毛利率快速上升；2023 年和 2024 年，由于产品结构变化及与客户协商降价的原 因，毛利率小幅下降。 2022~2025H1，发行人自产前驱体材料尚处于产能爬坡阶段，产能利用率较低，单位产品分摊的固定成本较 高，毛利率分别为-329.59%/-19.91%/-1.56%和 9.62%。2022~2024 年，由于收入规模较小，单位成本处于较高水 平，因此毛利率为负。2025 年 1-6 月，随着自产前驱体材料产量的进一步提升，毛利率已由负转正。 对于引进产品，发行人采用净额法确认收入，毛利率较高；成本均为运输费，各期毛利率均超过 90%。

2022~2025H1，发行人的期间费用金额合计分别为 1.18/1.40/1.91/0.95 亿元，占同期营业收入的比例分别为 36.71%/37.96%/34.92%/32.30%。其中销售费用占营业收入的比例分别为 9.27%/9.28%/6.22%/5.20%，管理费用占 营业收入的比例分别为 15.76%/17.89%/14.84%/14.41%，2024 年销售和管理控费率效果显著，2025H1 延续费率 压降的趋势。同期发行人研发费用金额分别为 0.43/0.54/0.89/0.42 亿元，占同期营业收入的比例 分 别为 13.28%/14.59%/16.17%/14.13%；随着发行人持续加大自产产品的开发力度和加强研发队伍建设，研发材料费用 消耗和研发人员薪酬均有上升，带动研发费率小幅上升。

2.4 发行人发展前景分析

2.4.1 顺应国产化趋势，实现光刻和前驱体材料替代

现阶段，境内集成电路晶圆制造所需的关键材料包括光刻材料、前驱体材料等仍然依赖进口，市场份额主 要掌握在少数几家如美国杜邦、信越化学、日本合成橡胶、东京应化、日产化学、富士胶片等美国和日本材料 企业手中。在中美贸易摩擦长期存在的背景下，集成电路关键材料国产化应用已成为国家重要战略。发行人根 据境外集成电路先进制程的发展历程，从中国境内企业并未充分涉足的光刻材料如 SOC、BARC 等在先进制程 广泛应用的产品切入，快速实现替代与量产供货，填补国内空白。 （1）在光刻材料方面，发行人进一步向 i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶、SiARC、Top Coating 等 产品延伸，其中 i-Line 光刻胶与 KrF 光刻胶已实现销售，ArF 光刻胶、SiARC、Top Coating 均已进入客户验证 流程，ArF 浸没式光刻胶已通过验证并小规模销售。 （2）在前驱体材料方面，发行人自产 TEOS 已在客户 A1 实现销售，并已通过客户 C、客户 D 验证，且自 主研发的金属基前驱体材料已进入客户验证流程。 截至 2025H1，发行人已取得专利授权 89 项，其中发明专利 36 项。发行人已取得的相关专利均系与发行人 主营业务相关的知识产权储备，保障了发行人在集成电路关键材料领域的技术及产品优势。

2.4.2 先发壁垒高，客户资源优势显著

发行人客户主要系 12 英寸集成电路晶圆厂，对各类关键材料供应商的产品质量和供货能力十分重视，关键 材料供应均需严格验证，且通常需经较长验证周期方可进入供货阶段。截至 2025H1，发行人产品已在多家中国 境内领先的 12 英寸集成电路晶圆厂实现销售，积累了众多优质客户资源，确保发行人在后续产品导入和验证过 程中的先发优势。

2.5 发行人主营业务分析

发行人主要从事光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售，产品主要应用于先进 NAND、DRAM 存储芯 片与 90nm 技术节点及以下逻辑芯片生产制造的光刻、薄膜沉积等工艺环节。目前发行人已量产供货产品包括 SOC、BARC、i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶等光刻材料以及 TEOS 等前驱体材料，量产供货款数随着产品验证通 过而持续提升。同时，发行人持续开发新产品，包括 ArF 光刻胶、SiARC、Top Coating 等光刻材料和硅基、金 属基前驱体材料均已进入客户验证流程，ArF 光刻胶已通过验证并小规模销售。根据弗若斯特沙利文市场研究 统计，在 12 英寸集成电路领域，发行人自产光刻材料销售规模已排名境内同行前列，2023 年度，发行人 S OC 与 BARC 销售规模均排名境内市场国产厂商第一位，在业内已具备较高知名度和影响力。

2.5.1 自产产品

2.5.1.1 光刻材料

光刻材料主要应用于光刻工艺，光刻工艺系指利用光化学反应原理把事先制备在掩模板上的图形转印到一 个衬底上的过程，是集成电路晶圆制造的一道关键工艺。发行人自产光刻材料中，SOC、BARC、KrF 光刻胶、 i-Line 光刻胶等已有多款产品量产供货，ArF 光刻胶、SiARC、Top Coating 等已进入客户验证流程，ArF 浸没 式光刻胶已通过验证并小规模销售。发行人光刻材料主要应用于 12 英寸集成电路晶圆制造光刻工艺环节。

（1）SOC（碳膜涂层）

SOC 主要成分是高碳含量的交联芳香结构聚合物，一般由聚酰胺酸树脂、交联剂和溶剂等混配而成，系一 种有机涂层。在光刻工艺中，SOC 被称为光刻工艺的“基石”，通常旋涂在衬底表面作为第一层材料，要求能 够把衬底表面结构抹平，为后续材料旋涂提供基础。随着集成电路技术节点持续升级，要求光刻材料涂覆厚度 越来越薄，以满足曝光分辨率的要求。但当胶膜薄到一定程度时，在后续刻蚀工艺过程中将无法抵挡高能等离 子体引起的膜层损失，从而无法完成光掩模的图形转移。通过使用 SOC 可更好控制反射率，提升刻蚀持久性与 纵横比，更好实现光刻胶上图形向衬底的刻蚀，同时，SOC 在完成光刻工艺显影后能够被除去，不会残留硅片 表面影响品质。

在光刻工艺中，一种被称为“三层结构”指光刻胶、SiARC 以及 SOC 三层光刻材料组合，这种结构既能有 效地减少曝光时的反射光，又能提高刻蚀时选择比，已被广泛应用于先进 NAND、DRAM 存储芯片与 45nm 技 术节点以下逻辑芯片光刻工艺。基于工艺制程持续升级和精确图形传输需求，SOC 应用重要性持续提升，已被 视为用以解决光刻过程中抗刻蚀与光反射的必备光刻材料之一。

SOC 作为集成电路制造高端技术节点制程中，图形化工艺的硬掩膜材料，以耐高温性、抗刻蚀性能、填隙 能力和缺陷率等作为核心评估指标。发行人的 SOC 产品核心评估指标良好，能够满足先进 NAND、DRAM 存 储芯片制造工艺、45nm 至 7nm 制程逻辑芯片制造工艺需求。

（2）BARC（底部抗反射涂层）

BARC（底部抗反射涂层）是指涂布在光刻胶底部的涂层，一般由高分子树脂、热致产酸剂、表面活性剂以 及溶剂等组成。在光刻工艺中，BARC 通常涂覆于衬底、SOC 和光刻胶之间，光刻工艺在曝光时光线透过光刻 胶照射在衬底上，在光刻胶和衬底的界面处，光线会被反射，这些反射光和入射光会形成干涉，使得光强沿深 度方向的分布不均匀，形成驻波效应。同时，有些衬底表面沉积有低介电常数材料，这些特殊材料会释放出对 光刻胶尤其是应用化学放大技术的光刻胶有害的成分，破坏光刻胶性能。BARC 具有较高的吸光系数，不溶于 光刻胶溶剂，刻蚀速率要大于光刻胶，通过使用 BARC，消除从衬底反射到光刻胶中的光，隔离衬底物质向光 刻胶中扩散，降低由反射引起的驻波效应对光刻胶性能的影响。从 248nm 波长光刻胶即 KrF 光刻胶开始，BA RC 被广泛应用，已被视为在先进 NAND、DRAM 存储芯片与 90nm以下技术节点逻辑芯片与光刻胶共同应用的必 备光刻材料之一。 BARC 通常以光学常数、刻蚀速率以及兼容性作为核心评估参数，发行人的 BARC 产品具备良好的光反射 控制，可调节刻蚀速率，与光刻胶良好兼容，能够适配浸没式光刻工艺以及 FinFET 工艺中特殊需求。

（3）光刻胶

光刻胶是一种光敏感的聚合物，是由聚合物树脂、光敏化合物、溶剂以及添加剂等成分组成的混合液。在 集成电路晶圆制造过程中，光刻胶与其他光刻材料根据工艺先后旋涂于衬底上，通过曝光、显影、刻蚀等工艺 流程，将掩模板上的图形转移至晶圆表面，从而实现细微图形加工。发行人量产供货光刻胶均系半导体光刻胶， 应用于 12 英寸集成电路晶圆制造。半导体光刻胶根据曝光光源波长不同，可分为 g-Line（436nm）、 i-Line （365nm）、 KrF（248nm）、 ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）光刻胶。 光刻胶是光刻工艺核心材料，其性能和品质与芯片良率、可靠性及光刻生产成本密切相关。光刻胶性能指 标包括分辨率、对比度、敏感度、粘度、粘附性、抗蚀性和表面张力等。截至 2025H1，发行人已实现销售的光 刻胶包括 KrF 光刻胶、特殊应用 i-Line 负性光刻胶，ArF 浸没式光刻胶已通过验证并小规模销售，并有多款光 刻胶进入客户验证流程。

（4）其它光刻材料

除上述光刻材料外，发行人进入客户验证流程的光刻材料还包括 SiARC、Top Coating 以及其他光刻工艺配 套试剂等。随着相关产品陆续验证通过，将进一步丰富发行人量产供货的光刻材料产品品类与规模，提升发行 人核心竞争力。 基于集成电路制造中光刻工艺的重要性、复杂性以及精确性，光刻材料通常需根据客户具体需 求进行定制化研发，并在通过客户验证后方可逐步使用。即使是同品类光刻材料产品，也需根据客户工艺需求、 特点、指标、参数等进行配方调整，形成专属于某类客户或某个客户特定工艺环境下的具体产品。因此，光刻 材料定制化特点促使发行人必须充分理解和熟练掌握光刻材料的应用工艺，并融入到生产与研发过程中，以符合终端客户需求和市场发展趋势。

2.5.1.2 前驱体材料

在半导体领域，前驱体材料从化学性质方面系指携有目标元素，呈气态或易挥发液态或固态，且具备化学 热稳定性，同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质，系薄膜沉积工艺的核心材料之一。前驱体材料在 薄膜沉积工艺的气相沉积过程中形成符合半导体工艺要求的各类薄膜层，随着半导体技术节点持续突破，单位 面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需薄膜层数越来越多，对薄膜的材料种类和性 能参数均不断提出新的要求，前驱体的发展为半导体制造迈向更先进制程提供了保障。 发行人自产硅基前驱体材料以 TEOS 为主。发行人子发行人大连恒坤通过与 Soulbrain 合作，引进 TEOS 生产管理技术实现自产，产品纯度达到 9N（99.9999999%）电子级别要求，未来将在客户端逐步置换发行人自 Soulbrain 引进的 TEOS。 TEOS 系一种硅有机化合物材料，半导体用 TEOS 纯度要求达到 9N 电子级别；T EOS 主要用途系在薄膜沉积工艺的化学气相沉积工艺（CVD）过程中生成二氧化硅氧化薄膜，以阻挡污染物和杂质 进入半导体器件，并产生导电层、绝缘层、反射层以及光刻层等，达到隔离不同电路、保护器件、减少光反射 等效果。

2.5.2 引进产品

发行人引进产品包括光刻材料、前驱体材料、电子特气及其他湿电子化学品等。其中，前驱体材料、电子 特气及其他湿电子化学品属于相对标准化的产品，发行人根据客户需求，与境外供应商对接产品引进；光刻材 料属于高度定制化产品，即在产品完成导入前，供应商并不存在无需改良调整即可直接销售的成熟产品。在引 进过程中，发行人需全面跟进客户送样测试、反馈改良以及产品调整等核心环节，并根据客户工艺制程情况， 对产品配方改良、参数调整以及定制开发工作提出技术建议，与供应商合作定制光刻材料产品。定制光刻材料 引进体现了发行人在产品应用方面的核心技术与竞争实力。发行人引进光刻材料相关产品均系替代美日厂商同 类产品，满足了境内晶圆厂关键材料的替代需求。

2.6 发行人治理分析

发行人治理规范，章程完善。自整体变更成股份公司以来，按照《公司法》《证券法》《上市公司章程指 引》等法律法规的要求，制定了《公司章程》，逐步建立健全了股东会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘 书制度以及专门委员会制度，并制定了公司治理相关的规章制度。发行人治理结构相关制度制定以来，发行人 股东会、董事会、监事会、独立董事和董事会秘书依法规范运作，履行职责，发行人治理结构不断健全和完善。

围绕业务，发行人采取经营举措如下： （1）拓展核心技术攻关及产品应用开发： 发行人承接了国家 02 科技重大专项课题、国家发改专项研究任务等核心技术攻关任务并取得成功突破实现 量产。截至 2025H1，发行人已获得发明专利 36 项，自产产品在研发、验证以及量供款数累计已超过百款。其 中 SOC、BARC、TEOS 等产品技术均达到国际先进水平，具体体现为境内率先在集成电路制造先进制程应用 上实现正式量产供应的企业之一，填补了国内行业空白。此外，发行人光刻胶 i-Line、KrF、ArF 系列产品也取 得了技术突破，多款产品已经通过客户验证并实现批量供应。 （2）重视产品质量，拓展优质客户： 发行人高度重视产品质量，制定了完善的质量管理体系，将质量管理贯穿于产品研发、原材料采购和产品 生产的全过程。发行人凭借多年的生产实践经验、科学的生产工艺以及先进的生产设备，不断提高产品质量的 稳定性。发行人在集成电路关键材料及制造领域积累了良好的口碑和声誉，积累了一批优质客户，涵盖多家中 国境内领先的 12 英寸集成电路晶圆厂，产品质量获得客户广泛认可，并与对方建立了持续稳定的合作关系。 （3）不断引进集成电路领域高层次人才并完善激励机制 截至 2025H1，发行人聚集了一支高学历、高素质、富有开拓进取和创新精神的研发队伍及具有丰富经验的 生产技术专家，核心团队既包括曾任职于境内主流晶圆厂的光刻工艺技术专家，也包括拥有材料专业背景的高 层次人才。在继续加大力度招贤纳才的同时，发行人制定了员工期权、绩效考核等激励机制，通过制定绩效目 标，进行全方位考核并予以相应奖励。

2.7 发行人经营战略分析

发行人未来将持续深耕集成电路关键材料领域，加大技术开发和产业化布局，不断拓展产品线，稳固产品 品质，积极参与客户的定制化开发，为客户提供集成电路关键材料整体解决方案；协同上下游产业链创新发展， 建立安全可控的供应链；打造品牌效应，积极拓展海外市场，力争成为具有核心竞争力，国内领先、国际先进 的集成电路关键材料本土企业。基于此战略，发行人将采取的发展规划及措施如下：

（1）引入高端人才与先进设备，提升核心竞争力

通过专业化的人才自主培养和引进高端人才相结合的模式，培育和壮大先进研发团队，并通过完善的激励 机制，充分调动员工的积极性，为发行人保持产品和市场的核心竞争力提供有力的人才保障。同时，通过引进先进的实验、生产和检测设备，提高发行人产品的研发和生产效率，实现产品的产业化和规模化发展，进一步 提升发行人的核心竞争力。

（2）推进新技术、新产品开发，提升品牌影响力

发行人将持续加大新技术、新产品的开发，不断积累规模化量产经验，稳固产品品质，利用已布局的漳州、 大连和合肥三个生产基地，实现集成电路关键材料的核心技术攻关并实现产业化，在深耕中国境内现有 12 英寸 集成电路晶圆制造业务的同时，进一步布局产品在新应用领域和新市场的业务拓展，提升发行人的品牌影响力。

（3）加强产业链布局，提升综合竞争力

发行人将利用资本市场和资源优势，通过自主研发、技术或股权合作方式，向产业链上游拓展，以专业化 的技术和良好的管理体系为基础，加快布局上游关键原材料，推动产业链上下游协同创新，保障供应链的安全， 进一步增强发行人产品的成本优势与质量稳定性，全面提升发行人的综合竞争力。

2.8 发行人研发技术分析

发行人专注于集成电路关键材料的研发与产业化应用，核心技术均系围绕关键材料的研发和生产展开，并 进一步延伸至对关键材料上游原材料的技术储备。发行人主营业务产品中，光刻材料属于配方型精细化学品， 前驱体材料属于高纯化学试剂，在产品研发过程中需要对客户工艺制程与应用需求充分理解，并根据不同客户 情况对产品进行改良调整；在产品生产过程中需要对产品品质与量产能力全面管控，确保产品品质与生产规模 持续满足客户使用需求。

近年来，境内集成电路产业保持蓬勃发展，随着国家战略与行业政策多方位扶持，集成电路产业国产化进 程加速。境内晶圆厂在先进制程的研发创新能力、生产制造能力以及市场开拓能力均不断提升。在境内晶圆厂 研发创新与生产制造过程中，需要与关键材料与关键设备企业紧密合作，并要求相关企业一方面具备持续研发 和自主创新能力，另一方面具备规模生产和品控管理能力。 发行人承担国家 02 科技重大专项子课题与国家发改委专项研究任务系发行人持续研发和自主创新能力的 良好体现，发行人累计超过 40,000 加仑的自产光刻材料销售规模系发行人规模生产和品控管理的有效佐证。截 至 2025H1，发行人自产产品在研发、验证以及量供款数累计已超过百款。发行人与多家中国境内领先的 12 英 寸集成电路晶圆厂均已形成稳定合作机制，为前述晶圆厂升级工艺制程提供国产化关键材料技术支撑，为境内 集成电路产业发展作出重要贡献。

三、发行人募集资金投资项目分析

3.1 募集资金运用概况

发行人本次拟公开发行人民币普通股不超过 6,739.7940 万股，拟募资总额 100,669.50 万元，所募集资金扣 除发行费用后，将按项目建设轻重缓急，投资集成电路前驱体二期项目和集成电路用先进材料项目。

本次募投项目的实施将进一步完善发行人产品线布局，丰富产品种类，推动技术创新，提高发行人核心竞 争力，同时满足客户的国产化需求。发行人本次募集资金投资项目与未来发展战略紧密相连，项目的实施是发 行人未来发展的重要环节。本次募集资金投资项目紧密契合发行人主营业务规模不断扩大的需求，紧跟集成电 路领域关键材料国产化趋势，对于增强竞争优势、落实未来发展战略具有重要意义。

3.2 募集资金投资项目分析

3.2.1 集成电路前驱体二期项目

集成电路前驱体二期项目拟投资 51,911.33 万元人民币，分 60 个月投入；项目建设地点位于辽宁省大连市， 实施主体为大连恒坤新材料有限公司。此投资将用于集成电路前驱体产品的开发和产业化。本项目有利于发行 人在已有的产品和研发基础能力上制造在中国境内领先的集成电路前驱体产品。 项目建成后，预计每年将实现 3.3 亿元集成电路前驱体产品销售额。根据招股说明书（注册稿）披露，项目 顺利建成投产后，达产年预计可实现销售收入 33,099.50 万元，达产年净利润 12,998.59 万元，财务内部收益率 （税后）为 16.83%，税后投资回收期（含建设期）为 7.90 年。

3.2.2 集成电路用先进材料项目

集成电路用先进材料项目拟投资 90,916.74 万元人民币，分 60 个月投入；项目建设地点位于安徽省合肥市， 实施主体为安徽恒坤新材料科技有限公司。此投资将用于 ArF 与 KrF 光刻胶产品的开发和产业化，以及其他光 刻材料的生产。本项目的建成将使发行人具备年产 500 吨包含 ArF、KrF 光刻胶以及其他光刻材料如 ArF BARC、 KrF BARC、SOC 和 Top Coating 的生产能力，产品性能达到国际同类产品先进水平，实现 ArF 和 KrF 光刻胶的 规模化生产以及批量销售。 项目达产年，预计将实现 8.2 亿元集成电路光刻材料产品销售额。项目顺利建成投产后，达产年预计可实 现销售收入 81,626.92 万元，达产年净利润 31,224.00 万元，财务内部收益率（税后）为 18.64%，税后投资回收 期（含建设期）为 7.49 年。

四、发行人与同行业可比上市公司的投资价值比较

4.1 发行人的可比公司选择

发行人专注于 SOC、BARC、光刻胶等光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售。根据招股说明书，选取 与发行人核心产品相同或较为接近的境内 A 股上市公司进行比较分析，具体来看，选取可比公司的基本情况如 下： （1）彤程新材（北京科华）：公司主营业务包括电子材料、汽车/轮胎用特种材料、全生物降解材料三大业 务板块。其中电子材料主要涵盖半导体光刻胶及配套试剂、显示面板光刻胶、PI 材料及电子类树脂等产品。 （2）晶瑞电材（瑞红苏州）：公司聚焦于半导体及显示面板应用领域，产品技术水平及销售额均处于国内 领先地位，产品主要包括半导体光刻胶、显示面板光刻胶等，其中半导体光刻胶包括紫外宽谱光刻胶、g 线光刻 胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶等，显示面板光刻胶包括触摸屏光刻胶、TFT-LCD 光刻胶等。 （3）艾森股份：公司围绕电子电镀、光刻两个半导体制造及封装过程中的关键工艺环节，形成了电镀液及 配套试剂、光刻胶及配套试剂两大产品板块布局，产品广泛应用于集成电路、新型电子元件及显示面板等行业。 （4）上海新阳：公司主要形成两大类业务，一类为集成电路制造及先进封装用关键工艺材料及配套设备的 研发、生产、销售和服务，并为客户提供整体化解决方案。另一类为环保型、功能性涂料的研发、生产及相关 服务业务，并为客户提供专业的整体涂装业务解决方案。 （5）南大光电：公司是从事先进电子材料研发、生产和销售的高新技术企业，产品广泛应用于集成电路、 平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。 （6）飞凯材料：公司从光通信领域紫外固化材料的自主研发和生产开始，公司不断寻求行业间技术协同， 目前已将核心业务范围逐步拓展至半导体材料、屏幕显示材料和有机合成材料等领域。 从业务覆盖领域来看，上述公司与发行人在一个或数个细分赛道存在相似产品或相似业务，具备较强可比 性，故选择上述六家公司作为可比公司进行进一步比较分析。

4.2 发行人与可比公司的经营情况比较

（1）营业收入

发行人的主营业务收入均来自半导体行业，2022~2024 年间的收入增长速度分别为 127.93%、14.28% 以及 49.01%，实现了持续增长，与同行业可比公司的收入增长变动趋势一致。 2022 年度发行人收入增幅达到 127.93%，高于行业平均的 59.44%，主要由于发行人业务处于发展初期，收 入基数较低，且自产产品收入实现快速增长。2023 年度半导体行业整体较为疲软，发行人依托自身自产产品的 放量增长，在 2023 年取得了 14.28%的收入增长，发展势头较好，在六家可比公司中处于增速的中间档位，快 于晶瑞电材、南大光电和飞凯材料，与行业平均增幅情况相近。2024 年度，随着行业周期回暖，发行人自产产 品继续保持高速增长，收入增幅较 2023 年有所提升，与同行业可比公司变动趋势一致。

（2）毛利率

2022~2024 年度，发行人自产光刻材料毛利率分别为 39.17%、35.70%、33.47%，处于可比公司可比业务毛 利率的中间水平，与平均水平接近。期间由于发行人自产前驱体材料尚处于产能爬坡阶段，产能利用率较低， 单位产品分摊的固定成本较高，毛利率分别为-329.59%、-19.91%和-1.56%，拉低了自产产品的整体毛利率，导 致自产产品毛利率低于可比公司可比业务毛利率平均值。

期间可比公司可比业务毛利率平均值保持基本稳定，而发行人自产产品毛利率呈下降趋势，变动趋势不一 致，主要系发行人自产光刻材料毛利率持续下降所致。发行人自产光刻材料主要客户为客户 A 和客户 B，两者 收入合计占自产光刻材料收入的比例分别为 95.88%、94.61%和 92.34%。 2023 年，发行人自产光刻材料毛利率下降了 3.47 个百分点，主要系发行人相关产品在客户 A 的销售单价 有所降低，当期销售给客户 A 的自产光刻材料毛利率降低了 3.81 个百分点。2024 年，发行人自产光刻材料毛利 率下降了 2.23 个百分点，主要系客户 B 因生产工艺适配原因，在使用发行人自产光刻材料替换进口材料过程 中，单位耗用量较大，发行人为推进国产替代，在产品定价和买赠政策上给予其较大优惠，当期销售给客户 B 的自产光刻材料毛利率降低了 11.80 个百分点。以上原因导致在 2022~2024 年间发行人自产产品毛利率与可比 公司可比业务毛利率变动趋势不一致。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）