2022年东微半导研究报告 专注自主创新，致力功率器件国产替代

一、本土高端功率器件龙头，业绩高速增长

（一）专注自主创新，致力功率器件国产替代

苏州东微半导体股份有限公司（证券简称：东微半导）成立于2008年，是一家以高 性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业。公司凭借优秀的半导体器 件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专 利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。 公司采用较为轻资产属性的Fabless经营模式，自身聚焦于底层结构创新设计和销售 环节，并通过与华虹半导体、粤芯半导体以及DB Hitek等国内外领先的功率器件晶 圆制造平台，以及成都集佳等国内领先封测平台合作，在国产化替代大背景下，强 强联合实现快速的产品迭代和客户导入，持续发力以新能源汽车直流充电桩、车载 充电机、5G 基站电源及通信电源、光伏逆变及储能、数据中心服务器电源和工业 照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域，已成长为国内功率器件创新龙头企 业。

公司由王鹏飞和龚轶先生共同发起设立。以董事长龚轶先生和CTO王鹏飞博士为领 军人物的公司研发团队，拥有多年的半导体行业经验，在功率半导体领域拥有着国 际一流的视野与技术创新能力，是国内专注于对MOSFET、IGBT等先进半导体功率 器件进行底层结构创新设计和生产的先行者。 公司实际控制人为王鹏飞和龚轶先生。截止目前，公司实际控制人为王鹏飞和龚轶 先生，直接或间接控制及通过一致行动人合计共同控制公司约32.21%股份。截至 2022年4月28日，王鹏飞直接持有公司12.07%股份，并通过作为苏州高维的执行事 务合伙人间接控制本公司3.32%股份；龚轶直接持有公司9.96%股份；王鹏飞和龚轶 的一致行动人卢万松直接持有公司3.54%股份。

（二）覆盖高端功率器件领域，持续加大工业车规导入力度

产品结构：立足超结MOSFET，大力拓展IGBT领域。公司产品几乎覆盖全部高端功 率器件，按产品种类划分，主要分为高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、 TGBT系列IGBT以及超级硅MOSFET产品。根据公司年报披露，2022H1收入占比分 别为78.1%、18.1%、3.7%和0.1%。

目前，高压超级结MOSFET以及中低压屏蔽栅 MOSFET产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有 广阔的进口替代空间。同时，公司不断突破创新，注重功率器件底层结构创新，大 力开发以Tri-gate IGBT（TGBT）和超级硅为代表的独立知识产权新型功率器件产 品，迅速扩大新型产品在公司业务版图的比重，并凭借优异的产品性能进入高性能 储能、光伏逆变器、直流充电桩等高效率电能转换系统应用，在多个重点领域实现 出货，未来有望为公司业绩增长的重要推动力量。

下游应用：产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司产品的终端应用 范围包括以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV 电源板、 手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。2022H1，公司汽车及工业级应用的收 入主要来自新能源汽车充电桩、各类工业及通信电源、大功率照明电源、逆变器、 车载充电机领域等，收入占主营业务收入70%以上。细分来看，2022H1年新能源汽 车充电桩领域收入占比约为17%，同比增长约60%；各类工业及通信电源领域收入 占比约为21%，同比增长约58%；光伏逆变器领域收入占比约为10%，同比增长约 300%；车载充电机领域收入占比约为14%，同比增长约14.5倍。

（三）产品结构升级，助推业绩快速增长

收入与利润：受益于下游需求景气度持续，公司进入高速成长期。公司不断丰富产 品结构，同时与行业上游晶圆代工厂商、封装测试厂商保持深度绑定的合作关系， 在多个领域实现持续批量供货，业绩实现快速增长。2022年前三季度公司实现营业 收入7.82亿元，同比增长153.28%；实现归母净利润1.47亿元，同比增长430.66%。

分业务来看，2022H1公司超级结MOSFET实现营业收入3.64亿元，同比增长52.16%； 屏蔽栅MOSFET实现营业收入0.85亿元元，同比增长5.601%；新产品层面，TGBT 产品公司于2021上半年公司开始送样认证并则迅速起量，顺利对基于传统trench-ga te FS-IGBT技术的芯片进行替代，表现出高速增长的态势和持续成长的潜力，2022 H1 TGBT产品线实现收入1710.46万元，约为上年同期收入水平的70倍以上。

毛利率与净利率：国产替代大趋势下，公司持续优化产品结构，公司盈利能力连年 攀升。受益于下游需求增长，公司持续开拓新兴市场，通过不断深化与上下游优秀 合作伙伴的合作，持续扩大产能，并不断化产品组合结构。2022年前三季度，公司 毛利率和净利率分别为33.72%和25.32%，同比提升显著。 费用率：2018年到2022年前三季度期间费用率整体稳定。管理费率用方面，公司 2021年管理费用率较高，主要系公司经营规模扩大,为提升治理水平和管理能力，适 度增加管理人员和合理调增薪酬所致。研发费用率方面，公司持续加强研发投入， 2022年前三季度研发费用率为4.57%，高效的研发团队与持续的研发投入使得公司 成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。

二、功率器件需求旺盛，国产替代加速进行

（一）半导体功率器件市场规模稳定增长，高端产品成长潜力强劲

1. 功率器件以MOSFET和IGBT为主，下游应用领域广泛。功率器件是电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元件，MOSFET和IGBT占比 较高。通常用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等功能，主要包括 MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管等。根据Yole数据，MOSFET和IGBT分别占据 功率器件市场规模40%和32%的比重，随着下游新能源领域应用需求的加速放量， 拉动了工作在高压应用领域的超结MOSFET、IGBT等高端功率器件的需求，逐渐成 为最受市场关注的功率器件产品。

全球功率器件250亿美金市场规模，下游应用领域广泛。根据Yole数据，2022全球 功率器件市场规模为204亿美元，预计至2026年全球功率器件市场规模将达到263 亿美元。各类功率器件因其内部结构不同，具有独特的工作频率与工作功率，下游 应用领域广泛。其中IGBT主要应用于新能源发电、新能源车、工业控制、变频家电、 轨交等场景；MOSFET主要应用于消费电子、充电桩、5G通信、工业电源等场景。

2. 超结MOSFET/IGBT工作在高压领域，新能源领域表现优异。相较普通高压VDMOS器件，超级结功率器件具有更高速、FOM值更低的优势。超 结MOSFET在VDMOS基础上于p-body下方加入了p柱，使漂移区中出现了交替的pn 结结构。利用相邻的pn柱之间相互耗尽的原理，将漂移区的浓度提升，使得器件导 通时电阻率降低；而在关态时，p柱和n柱之间可以相互耗尽，使耗尽区尽量扩大， 维持了较高的耐压，显著提升了器件性能。因此，相较于普通硅基MOSFET功率器 件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境。

IGBT融合MOSFET和BJT的优点，是最为先进的功率器件。IGBT是目前最先进也 是发展最快的功率半导体器件之一，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合 全控型电压驱动式功率器件。由于其内部结构特性，适用于中频率高功率的应用场 景，融合了MOSFET和BJT的优点，在高压、大电流、高速等方面性能表现优越， 成为电力电子领域较为理想的开关器件。超结MOSFET/IGBT在新能源领域表现优异，市场景气度逐年攀升。在清洁能源发 电和新能源车领域，超级结MOSFET与IGBT由于其在高压高功率工作环境下的优异 性能，已成为新能源车和清洁能源发电领域的核心器件，下游市场的蓬勃发展推动 功率器件市场景气度逐年攀升，高端功率器件成长潜力强劲。

（二）“双碳”驱动新能源领域半导体功率器件需求

1. 汽车电动化带动单车功率半导体价值量显著提升。各国相继提出减排政策，汽车厂商积极推进电动化进程。为应对恶化的环境，各国 大力推进汽车电动化进程，持续推出了一系列政策来刺激新能源车行业的发展。预 计至2035年，全球主要地区将基本禁止燃油车的销售。与此同时，各大整车厂也在 积极推进新能源车的研发进程，逐步降低燃油车的销售占比，并预计于2035年实现 所有新车销售为新能源车的目标。各国减排政策的相继推出以及车厂的积极响应， 推动新能源车市场高速发展，根据德勤分析的数据，预计至2025年，全球新能源车 销量将达2142万辆，5年复合增长率达37%。

汽车电动化成为高端功率半导体增长的核心动力。汽车的电动化将为功率器件带来 巨大的新增市场空间。英飞凌官网材料显示，相比于传统燃油车，轻混车型单车将 新增90美元功率半导体价值量，而强混和纯新能源车则新增超400美元。功率半导 体增量主要用于汽车电动控制系统中，其中约300美金用于主驱逆变器中，约100美 金用于车载充电器、DCDC、辅助功能等应用场景中。细分来看，在主逆变器中，IGBT 的作用为将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电；在OBC中，超结 MOSFET/IGBT的作用为将220V交流电通过OBC整流模块转换为直流，并通过稳压 滤波电容后进入DC-DC转换模块，变换后输出适合电压直流电辅助高压电池充能。

目前新能源车占汽车市场整体的渗透率仍在低位，各地减排政策的持续推动叠加车 企的积极响应，新能源车销量有望持续高速增长，成为拉动IGBT和超结MOSFET 需求增长的核心动力。

2. 充电桩普及市场高景气度拉动高压功率器件需求。新基建时期，我国公共充电桩建设与普及速度迈入新台阶。2020年，充电桩被列入 国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，《政府工作报告》中强调“建设 充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。伴随新能源汽车保有 量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长。根据中国电动 汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布的数据，截至2021年底，全国充电桩 保有量达261.7万台，较2020年新增94万台，同比增长56%。2017-2021年，全国充 电桩保有量从44.6万台增加至261.7万台，5年复合增长率达56%。截至2021年底，全国合计公共充电桩114.7万台，较2020年新增34万台，同比增长42%，其中直流 充电桩47万台、交流充电桩67.7万台、交直流一体充电桩589台。

充电桩按充电能力分类，以响应不同应用场景下的需求。按照不同的充电技术分类， 充电桩可分为四大类：直流充电、交流充电、无线充电、更换电池。其中交流充电 桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放 电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电 动汽车外，与交流电网连接，2-3小时即可将一辆纯电动车电池充满。直流充电桩增长速度更快。我国公共充电桩以直流充电桩和交流充电桩两大类为主， 由于慢充交流桩结构较为简单，技术相对成熟且成本较低，在我国充电桩市场发展 初期被各厂商广泛投放。随着新能源车渗透率持续提升，直流充电桩电桩占比已从 不到三成提升至四成左右。未来随着市场对高效充电速率的需求持续放量，直流充 电桩的占比有望将随相关技术成熟而不断扩大。

超级结MOSFET成为充电桩主流功率器件应用产品。在公共直流充电桩所需的工作 功率和电流要求下，超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、 高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校 正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。 据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元。 随着充电桩建设力度不断加强，直流快充需求持续提升，超级结MOSFET作为核心 功率器件将充分受益于充电桩的快速建设，有望迎来高速发展机遇。

3. 光伏市场方兴未艾，功率器件国产化需求迫切。新能源发电逆变器领域需要IGBT/超结MOS进行功率转换。功率半导体器件是新能 源发电设备中变频器的核心器件，光伏/风电逆变器将组件产生的直流电，通过IGB T /超结MOSFET等功率开关器件的开通和关断，转换成频率可调节的交流电，用于 电网或供负载使用。 以光伏逆变器为例，光伏逆变器主要分为集中式、组串式、集散式和微型逆变器。 目前主流为集中式逆变器和组串式逆变器。集中式逆变器功率较大，将汇总后的直 流电转变为交流电，以功率模块应用为主；而组串式逆变器是将组件直流电转变为 交流电再进行汇总，功率较小，以IGBT单管和超结MOSFET应用为主。

新能源发电规模提升，拉动高压功率器件需求增长。与传统能源相比，新能源发电 在经济性和发电场景上独具竞争力，同时在全球各国相继提出“碳中和”相关规划的背 景下，新能源发电行业发展迅速。根据英飞凌数据，光伏、风电和储能设备装机量 有望实现持续增长，同时其功率半导体含量为2000-5000欧元/兆瓦。新增装机量持 续增加，将有力拉动高压功率器件需求增长。我们认为：随着电动汽车、光伏/风电等领域的需求不断释放，高密度、高电流承受 能力的高端功率器件产品的需求量将加速上升，超级结MOSFET和IGBT将拥有更快 的市场增速。

（三）海外龙头占据主要份额，高景气加速国产替代进程

1. 海外龙头占据主要份额，国产替代空间广阔。功率器件供给格局以英飞凌为代表的海外大厂主导，本土厂商替代成长空间广阔。 对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现 国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其 技术及工艺的复杂度，目前以英飞凌为代表的海外龙头仍占据绝大部分市场份额， 国内厂商替代成长空间广阔。根据Omdia数据，举例来看，IGBT模块领域，国内龙 头斯达半导目前全球市占率仅有3.0%，是英飞凌的1/11。在MOSFET领域，国内本 土龙头华润微全球市占率4.0%，是英飞凌的1/7。

2. 中国作为最大下游市场，高景气周期下国产替代窗口打开。本土广阔需求创造国产替代机遇。从需求占比来看，我国在新能源领域总体需求在 全球占比较高。新能源车层面，根据英飞凌年报数据，2022年Q3全球新能源车销量 达280.3万辆，其中我国新能源车销量为178.2万辆，占比超过60%；光伏层面，20 20年全球光伏逆变器厂商排名中，我国公司市占率总和超60%。目前，我国已成为 新能源领域最大的下游需求市场，功率器件国产替代空间被进一步打开。

本土厂商积极扩产加速替代进程。为响应下游蓬勃的需求，打开自身成长天花板， 本土代工厂以及IDM厂商积极扩产。代工厂层面，本土功率器件代工龙头华虹半导 体在21年年报以及22年一季报中表示：“在2022年公司将继续发力12寸产线扩充， 于年底将12寸总产能释放至超过9万片/月”；IDM厂商层面，士兰微以及华润微的12 寸功率器件生产线正处于产能扩张阶段，亦将在年底前贡献有效产能增量。

我们认为，在行业高景气持续，海外厂商供应紧张的背景下，本土厂商的积极扩产 将助力本土功率企业抓住国产替代的黄金机遇，有望在高景气周期下实现对高端功 率器件的加速替代。对于本土功率器件厂商而言，庞大的本土需求有利于厂商与下 游客户之间实现更加顺畅的前期沟通与产品导入；此外，受地缘政治、疫情扰动等 其他外界不确定因素影响，本土新能源领域下游客户为应对在海外厂商供应链具有 不确定性的风险，将加大与本土功率器件公司的合作力度，加速推进产品验证与导 入进度，在高端功率器件层面给予本土企业更大的替代机遇。

三、专注自主技术创新，成就功率半导体技术领导者

功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，制程基本稳定 在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、 封装技术及基础材料的迭代。随着新能源、物联网、云计算等新兴领域的快速发展， 功率半导体行业多细分应用场景需求趋于多元化。所需相应功率器件产品需具备特 定的规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装等技术特点以对下游需求充分匹配， 可交叉组合形成数千种产品型号。 综上来看，功率器件企业的产品是否能在行业内获得足够的市场竞争力，主要取决 于两点：（1）是否具备强大的底层设计与特色工艺技术基础，从而生产出性能卓越 的功率器件产品；（2）产品种类与产品型号是否丰富，以满足下游多元化需求，实 现对下游多行业客户的导入。

（一）研发实力构筑牢固护城河，围绕底层创新推动品类拓宽

公司坚持自主创新的技术研发策略，知识产权实力雄厚。公司作为功率器件设计企 业，凭借多年的研发和产业化经验积累，在功率器件领域积累了深厚的技术并拥有 多项知识产权。公司拥有适用于超级结MOSFET的深槽结构设计及工艺技术；适用 于中低压MOSFET的屏蔽栅结构设计和工艺技术；适用于IGBT的创新性三栅结构设 计和工艺技术等多项核心技术，广泛应用于各类自研功率器件产品中。2022年上半 年，公司共获得专利83项，其中发明专利54项；实用新型专利2项，境外专利27项。

专注于底层结构创新，持续拓宽产品种类。公司凭借功率半导体底层结构和工艺实 现的自主创新能力，持续推进产品品类拓宽进程。公司主要产品结构分别为高压超 级结MOSFET、中低压功率器件、超级硅系列和TGBT四大类。根据公司年报披露， 截止2022H1，公司共计开发产品规格型号1958款，其中涵盖高压超级结MOSFET 产品（包括超级硅MOSFET）1150款，中低压屏蔽栅MOSFET产品710款，TGBT 产品98款，产品图谱处于持续扩张阶段，产品丰富度位居国内前列。

（二）推进产品升级迭代，产品实力对标海外龙头

1. 超级结MOSFET覆盖宽域电压范围，性能表现优越。公司推出多系列GreenMOS超结产品，近千种型号，可覆盖宽域电压范围。公司采 用独特的专利器件结构和制造工艺，第三代高压MOSFET已实现大规模出货，多款 芯片进入车载领域，第四代高压MOSFET实现批量出货，最小电阻达17mohm，同 时公司已开始启动第五代超级结MOSFET技术研发相关工作。相较常规MOSFET， 公司产品具有更快的开关速度和更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时 大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系 统EMI设计。GreenMOS系列产品额定电压范围为500~800V，覆盖了小1A至大76A 以及不同封装类型的总共近百种芯片规格。

公司第三代GreenMOS已批量上市，器件性能水平可与国际领先厂商最新产品对标。 公司深沟槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设 计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具专利技术创新性与工艺生产 稳定性：技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻，从而降低器件损 耗；同时可以做到内部电场更加均衡，性能更加稳定。

普遍而言，超级结器件由于开关速度快，易产生开关震荡问题，公司的开关震荡栅极结构优化以及缓变电容核 心原胞结构技术能够对此进行有效优化。此外，由于功率器件导通损耗与电阻成正 比，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低，超级结器件在导通损耗方面具有 很大的优势，超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关能量损耗和 驱动能量损耗。在公司在优化器件性能的同时提高了产品的生产良率与工作可靠性， 超结产品性能已可对标海外龙头。

2. 器件结构创新基因助力公司进军IGBT领域，提升新能源领域话语权。公司TGBT（Trigate-IGBT）产品器件结构为三叉戟型，是一种区别于国际主流IG BT的创新型器件结构。产品包括低VCEsat系列、高速系列以及逆导型TGBT等多个 系列。2022年上半年公司基于自主专利技术的多个第二代TGBT产品已进入量产阶 段。

器件结构创新实现关键技术参数大幅优化，消除IGBT技术代差。公司的TGBT产品 在不提高制造难度的前提下，提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电 场与电荷的分布，并优化了导通损耗与开关损耗。公司TGBT产品的导通压降与开关 速度同时得到优化，在关键技术参数上有着大幅的提高，在应用过程中拥有发热低、 效率高的优势，可使整体应用系统的功耗更低，同时，公司TGBT产品拥有高功率密 度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等优势。整体来看，公司TGBT产品整体性能 与国际主流第七代IGBT性能相当，消除多年以来国产IGBT与进口IGBT芯片间的技 术代差。

3.屏蔽栅MOSFET与超级硅产品不断发力创新，丰富产品品类。公司中低压屏蔽栅MOSFET具有高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。基于 硅基工艺与电荷平衡原理，公司屏蔽栅MOSFET具有优秀的导通电阻与器件的乘积 优值以及更高的应用效率。2022H1，公司多款高可靠性SGT器件成功进入汽车电子 领域，主要应用于EPS转向驱动、风机驱动方面。同时，公司正持续拓展基于第三 代低压高密度屏蔽栅MOSFET工艺平台的产品规格，已应用于数据中心服务器电源 等领域。

公司自主研发超级硅MOSFET产品性能可对标氮化镓功率器件产品。公司的超级硅 MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度 瓶颈，具备极快的开关速度与极低的动态损耗。目前，公司超级硅产品正逐渐从充 电器等消费类领域转向工业和汽车领域，目前已通过全球最大微逆变厂商 Enphase 产品验证并被导入量产。未来随着公司第二代及第三代超级硅MOSFET器件的推出， 超级硅MOSFET将可以进入诸如服务器及汽车电驱等更多高端应用领域。

（三）聚焦工业车规应用，积累众多知名客户

公司积累了全球知名的品牌客户群，并已成为部分行业领先客户认证的国产供应商 之一。凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，获得了众 多工业级、车规级产品终端知名企业的认可且维持高度黏性，为公司保持高端功率 器件领域的领先地位奠定基础。在工业及汽车相关应用领域中，公司积累了新能源 汽车直流充电桩领域的终端用户如比亚迪、英博尔、英可瑞、英飞源等，5G基站电 源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域 的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累 了大功率显示电源领域终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。

工业车规收入占比持续提升，下游结构持续优化。根据公司中报披露，2022年上半 年，公司大力发展光伏逆变、储能应用、UPS方面的业务，并持续在工业电源、新 能源汽车车载充电机、直流充电桩、5G通信和基站电源、工业照明、数据中心服务 器电源等领域持续发力，汽车及工业级应用收入占主营业务收入超过70%。 未来，公司将继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载 充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，实现市场的均衡化与多元化；并持续开发更多新技术，以产品性能为第一竞争力迅速 提升超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的销售额，抓住行业快速发展机遇， 夺取广阔的进口替代空间。

（四）深度合作龙头代工厂，加速12寸产能扩充

代工厂产能增量助力公司实现规模升级。通过优秀的产品和技术将产能价值提升， 而获得合作伙伴的支持是公司一贯秉承的做法。公司正与上游核心代工厂在产能上 共同规划，定义技术平台，实现更加深度的合作。随着公司上游晶圆代工合作伙伴 的扩产，公司将持续获得更多产能支持，从而实现市场份额的提升。目前，公司核 心供应商华虹半导体与粤芯半导体正进行大力扩产，公司有望显著受益，实现持续 高速成长。

12寸产能扩充进一步提升公司成长潜力。功率器件制造正处于向12寸晶圆生产线上 升级的趋势中，12寸晶圆单片功率器件芯片产量为8寸晶圆的2.25倍（假设Die Siz e大小不变），并能够有效降低平均成本和并提升芯片的提升一致性可靠性。作为国 内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，公司将进一步利用 平台优势提高现有产品的性能，目前公司基于12英寸芯片代工平台的产品布局已取 得较好成效：截止2022H1，超级结MOSFET产品层面，公司量产产品规格数量在1 2英寸产线持续增加，12英寸和8英寸产线的产品布局得到进一步优化。TGBT产品 层面，公司8英寸及12英寸的先进制造工艺的IGBT技术开发及扩产顺利进行，随着 新产线的扩充及新一代TGBT产品的研发成功，公司TGBT产能将得到迅速增加。

我们认为，公司凭借以华虹为首的代工厂产能支持，持续扩大各类功率器件的产能， 优化8寸产品结构，提升8寸产能的产品技术价值，并加快在12寸线的技术转移，迅 速扩大12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的产品规格与系列，扩大产 能占有率，将有效提升出货量，凭借产能优势实现市场份额的扩张，不断提升市场 占有率。同时，公司持续加大导入工业车规等高端下游领域力度，盈利能力有望持 续提升。

四、盈利预测

公司的主营业务可以分为高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅 MOSFET和TGBT系列。随着新能源车和光伏领域需求兴起，公司汽车及工业类产 品持续导入相关领域头部客户，建立了长期合作关系，未来业绩确定性较强。 （1）高压超级结MOSFET：高压超级结GreenMOS系列产品是公司营收最主要来 源，公司第三代GreenMOS广泛应用于工业电源、新能源汽车车载充电机、直流充 电、光伏逆变储能等下游领域。随公司第四代GreenMOS放量，预计公司高压超级 结MOSFET业务在22-24年同比增长约45%、38%、30%。考虑2022年行业缺货涨 价，以及未来公司芯片产品体积减小带来的成本降低效应，预计毛利率分别为35%、 34%、33%。

（2）中低压屏蔽栅MOSFET：公司中低压屏蔽栅MOSFET技术处于国内领先水平， 同时2021年公司中低压屏蔽栅MOSFET批量导入国内外电动工具与家电应用相关 领域大客户，国内份额将持续提升。考虑行业竞争、以及产品升级迭代趋势，预计 公司22~24年中低压屏蔽栅MOSFET业务收入增速分别约为25%、22%、18%，预 计毛利率维持在30%左右。 （3）超级硅MOSFET：公司超级硅MOSFET自2019年始小量送样出货，目前已导 入enphase等微逆客户中，预计超级硅产品系列毛利率将稳定在34%左右，22~24 年超级硅系列营收分别约为0.15、0.30、0.47亿元。 （4）TGBT：公司 2020 年推出TGBT，性能可与国际第七代IGBT器件对标，并于 2021 年下半年迅速放量，目前在手订单充足，未来销量将持续上升。预计22~24 年TGBT器件营收分别为0.74亿元、1.70亿元、3.57亿元。

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