2023年东微半导研究报告 延伸布局IGBT和第三代半导体器件

核心观点：

深耕MOSFET十余年，延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低 压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT，覆盖0~1350V电压及0~300A电流；下游应用聚焦在工 业级和消费级领域，2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产，打破国 际垄断；同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源、客户A、高斯宝及视源股份等。 具备从专利到量产的完整经验，高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强。公司的高压 超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显；较普通沟槽栅 VDMOSFET器件，公司的中低压屏蔽栅MOSFET的导通特性与开关损耗等更优。

根据Omdia预测，2024E全球功率半导体522亿美元市场空间，充电桩、5G基站及新能源 汽车赋能需求。功率半导体仍被国际巨头垄断，CR5达43%，但中国功率半导体市场稳步增 长，国产替代需求助推国内厂商发展；根据前瞻产业研究院与EVTank预测，2024E中国充 电桩保有量、新建5G基站数量及新能源汽车销量或达967万台/80万站/405万辆，广阔的应 用市场空间持续驱动MOSFET及IGBT等功率半导体的需求。

1、公司介绍：具备从专利到量产高性能功率器件的完整经验

公司发展历程：技术驱动型的功率半导体公司

技术驱动型的半导体技术公司：东微半导体成立于2008年，采用 Fabless 的经营模式，专 注功率半导体技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。坚持打破国外厂商的垄断：2016年东微半导自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核 心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性 能功率器件设计公司之一，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入 多个国际一线客户。

股权架构：实控人股权集中

实控人股权集中，股权激励绑定人才红利。截至2022年2月9日，公司联合创始人王鹏飞博 士和龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司43.51%股份，系本公司 的实际控制人。公司在2018年、2019年对部分核心员工实施了三次股权激励，公司部分核 心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司3.32%、2.11%权益。

财务分析：产品出货量持续提升

近三年，公司营业收入年均复合增长率达72.30%：公司主营产品广泛应用于新能源汽车充 电桩、通信电源、光伏逆变器、新能源车车载充电机、数据中心服务器电源、快速充电器 等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域需求增长、产能持续扩大、新产品不 断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响。2021年收入达7.82亿元，同比增长 153.28%，扣非归母净利润达到1.41亿元，同比增长588.67%。2022 年上半年公司营收同 比增长。主要产品出货量持续增长，2021年高压超结MOSFET出货量达1.88亿颗，三年复合增长率 为57%，中低压屏蔽栅MOSFET出货量为0.99亿颗，三年复合增长114%。

财务分析：高压超级结MOS和屏蔽栅MOS占据收入主导

近三年营收增长率分别为28.22%、57.51%、153.28%。公司主要产品分为高压超级结 MOSFET，中低压屏蔽栅MOSFET，超级硅MOSFET，TGBT四大类，其中前两者为公司的 主要产品，二者合计占比超过98%，超级硅MOSFET和TGBT处于初期阶段，收入占比较低 ，但是增长趋势良好。公司产品的终端应用聚焦在工业级领域和消费级领域。车规级和工业级应用领域以新能源 汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为主，消 费电子应用领域以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表。

应用领域：应用领域广泛

公司实现大规模销售的主要产品为MOSFET功率器件，包括高压超级结MOSFET及中低压 屏蔽栅 MOSFET等。同时公司已开发了超级硅MOSFET及TGBT等先进功率器件产品，也已处于量产阶段。产品的电压范围0~1350V，电流从0A~300A，应用场景跨度较大。

高压超级结MOSFET：相比普通硅基MOSFET技术优势明显

超级结产品相比普通硅基MOSFET具有显著优势，公司产品 Green MOS 产品系列性能先 进：超级结 MOSFET 产品通常需要更高的技术设计能力及工艺制造水平，能够突破平面型 器件的性能局限性，具备更好的静态和动态特性，可以工作于更大功率的系统之中。公司 产品主要为 GreenMOS 产品系列，是该领域规格较完整的国内厂商之一。

超级硅MOSFET和TGBT：销量大幅增速

超级硅MOSFET和TGBT都是公司最新产品，销量大幅增长：2021年公司超级硅MOSFET的 销量为72.7万颗，同比增长413.06%，TBGT的销量为72.43万颗。 公司超级硅MOSFET和TGBT具有明显技术优势：超级硅MOSFET性能对标氮化镓功率器件产 品，采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势。公司 的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，不提高制造难度的前提下提升了功率 密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗， 具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。

2、行业情况：2024E全球功率半导体522亿美元市场空间

功率半导体：中国市场稳步增长，国产厂商增长潜力巨大

功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件 两大类，其中功率分立器件主要包括功率二 极管、晶闸管、高压晶体管MOSFET、IGBT 等产品。中国是全球最大的功率半导体消费国,2019 年市场规模达到177亿美元，Omdia预计 2024年中国功率半导体市场规模达到206亿 美元，2019-2024年的CAGR达3.1%。国际巨头垄断市场：英飞凌、安森美、意法 半导体等前五大国际厂商市场份额达43%。

MOSFET:新技术浪潮到来，有望打破国际厂商垄断

功率 MOSFET 性能提升主要包括三个方面 ：在制造工艺上，线宽制程从 10 微米缩减 至 0.15-0.35 微米.在器件结构改进方面， 功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（ Trench）、超级结（Super Junction）等 器件结构的变化，进一步提高了器件的功 率密度和工作频率。在材料方面，新兴的 第三代半导体进一步提升了器件的开关特 性、降低了功耗，也改善了其高温特性。前五大国际巨头垄断市场，CR5为58%。

超级结MOSFET:大幅提升硅基MOS性能

超级结MOSFET：超级结MOSFET结构设计 的先进技术使该结构具备更好的导通特性，可 工作于更大的电流条件。市场增长迅速：随着5G通讯、汽车电动化、 高 性 能 充 电 器 等 应 用 领 域 的 发 展 ， 根 据 Omdia 与 Yole 的 统 计 及 预 测 ， 超级结 MOSFET的晶圆月出货量由2020年的23.8万 片有望增长至2025年的35.1万片，2020- 2025年的CAGR为8.1%。

IGBT:市场规模提升迅速，应用领域广泛

2019 年，全球整体IGBT 的市场规模为 60.66 亿美元，中国 IGBT 市场规模为 23.98 亿美元，二者均保持稳步增长。在中低电压领域，IGBT 广泛应用于新能源 汽车和白色家电中；在 1700V 以上的高电 压领域，应用于轨道交通、清洁发电、智 能电网等重要领域。

充电桩:保有量大幅上升同时带动超结MOS产量上涨

中国充电桩保有量持续上升，根据前瞻产业 研究院预测，预计2027年或达2284万台， 5年CAGR为35%。充电桩不断建设推动功率器件尤其是超级结 MOSFET 将迎来高速发展机遇。充电桩根据功率可分为三级，最高级的直流 充电桩高达56~60kW，其中。高端三相交 流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PFC ），其中部分功率器件的领先解决方案使用 了超级结 MOSFET。

新能源汽车:汽车功率半导体在新能源浪潮中茁壮成长

新能源汽车中广泛应用功率半导体：车载 OBC,DC-DC,辅助电源，逆变器等部件均 应用功率半导体。 功率半导体占据汽车半导体总成本的39% ，根据英飞凌的估计，单车功率半导体成 本达330美元。 新能源汽车销量节节攀升带动汽车功率半 导体销量上升，EVTank预测2025年新能 源汽车销量达到1200万量。

3、盈利预测

高压超级结MOSFET：在下游光伏、储能以及新能源汽车等需求持续放量的推动下，此 类终端应用对高压超级结MOSFET的需求预计将高速增长。同时公司的高压超级结 MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显；因此我们赋予高压 超级结MOSFET 2022-2024各年分别40%、35%以及30%的营收增速。中低压屏蔽栅MOSFET：公司中低压MOSFET功率器件产品涵盖25V-200V工作电压， 可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。同时较普通沟槽栅VDMOS器件，公司的中 低压屏蔽栅MOSFET的导通特性与开关损耗等更优；叠加下游需求驱动，我们赋予中低 压屏蔽栅MOSFET 2022-2024各年分别30%、25%以及20%的营收增速。

IGBT：公司基于自主专利技术开发出 650V、1200V 及 1350V 等电压平台的多种 TGBT系列 IGBT 器件已经实现量产，批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动 等应用领域的多个头部客户。随着未来IGBT市场规模的迅速提升，公司的TGBT将加速 放量，因此我们赋予IGBT 2022-2024各年分别880%、220%以及95%的营收增速。超级硅MOSFET：公司的超级硅系列MOSFET产品已经研发成功并实现量产出货，同时 公司新一代超级硅 MOSFET 开发成功，进入认证阶段，预计未来将助力放量；叠加下 游新能源汽车以及5G基站等的需求提升，公司的超级硅MOSFET将持续放量，因此我 们赋予超级硅MOSFET 2022-2024各年分别400%、100%以及50%的营收增速。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）