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东微半导（688261）研究报告：高压MOS龙头，TGBT开启新成长曲线。高压 MOSFET 龙头，深度受益新能源快速发展。公司深耕高性能功率器件 领域，产品主攻工业和新能源汽车相关等中大功率的应用。短期来看，我们 看好新能源车、充电桩、光伏及储能逆变等下游的旺盛需求；中长期来看， 公司凭借差异化设计、丰富的料号和出色的产品性能有望在和国内同行的竞 争中保持领先优势，在国产替代进程中实现市占率的提升。

高压超级结、中低压屏蔽栅 MOSFET 性能优异，国产替代市场空间广阔。 高压超级结 MOSFET 主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变 器、服务器电源等，中低压屏蔽栅 MOSFET 主要下游应用为电动工具、逆 变器、UPS 电源、消费电子充电器等。根据芯谋研究，2021 年 MOSFET 国 产化率为 30.5%，预计随着国产替代的加速，至 2026 年 MOSFET 国产化 率将达 64.5%。1H22 公司高压超级结 MOSFET 营收为 3.64 亿元，占比 78.05%。我们预测 2022~2024 年，公司高压超级结 MOSFET 营收为 8.85、11.38 和 14.11 亿元，同比+55.57%、+28.68%、+23.95%。

技术创新丰富产品线，IGBT 开启新的成长曲线。公司创新设计的 650V 三 栅 TGBT 性能已达到国际领先的英飞凌 IGBT 7 代水平，第二代 TGBT 产业 化进展顺利。2021 年公司 TGBT 产品已送测至比亚迪、汇川等工控和汽车 领域客户，批量出货至新明海、欧亚玛等光伏客户。我们测算，IGBT 目前 的国产化率小于 20%，中国 IGBT 市场规模将在 2025 年达到 458 亿元， 2020~2025年 CAGR 为 21%。1H22 公司 TGBT 业务实现营收 1700 万元， 占比 3.67%。我们预计 2022~2024 年，公司 TGBT 业务将迅速扩张，营收 分别为 0.5、1.5 和 3 亿元，分别同比+780.28%、+200.00%和+100.00%。

IPO 情况：新股发行 16.84 百万股，募集资金净额 20.07 亿元，对应发行价 130.00 元/股。资金拟投入超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化、新 结构功率器件研发及产业化、研发中心建设以及科技和发展储备资金项目。