东微半导（688261）研究报告：高性能功率器件的技术引领者.pdf

东微半导（688261）研究报告：高性能功率器件的技术引领者。东微半导是国内高性能功率器件的头部设计公司，18-21 年公司扣非归母净 利润年均复合增速达 95.1%。公司专注于半导体器件结构技术创新，拥有多 项半导体器件核心专利，以高压超级结 MOSFET 为代表的产品打破了大功率 直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。公司 18-21 年进入高速成长期，营 业收入年均复合增速为 72.3%；扣非归母净利润年均复合增速为 95.1%。

超级结 MOSFET 国产化率仍低，汽车、新能源与 5G 等应用带来功率器件增量 需求。超级结 MOSFET 是突破“硅极限”的高端功率器件，目前国产化率仅 18%，有较大的存量替代空间。此外，超级结 MOSFET 的耐压特性及导通性能 主要适用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及各类大功率电源中，因此在 汽车、新能源与 5G 带来的增量场景驱动下，25 年全球超级结 MOSFET 市场有 望由 22 年 10.5 亿美元增至 12 亿美元。

公司产品性能比肩国际一流厂商，研发成果转换效率高。公司器件设计能力 强，以公司超级结 GreenMOS 系列产品为例，通过自主器件设计和工艺优化， 产品性能已达国际一流水平，是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功 率器件厂商之一。21 年公司研发人员占比达 44%，人均营收贡献 1043 万元， 远超行业平均水平，研发成果转换效率高。

公司 1H22 汽车与工业级应用占比已超 70%，客户覆盖各领域行业龙头。截 至 1H22，公司直流充电桩收入(YoY+60%)占比超 17%，光伏逆变器收入 (YoY+300%)占比约 10%，车载充电机收入(YoY+1350%)占比超 14%，各类工业 及通信电源收入(YoY+58%)占比约 21%；客户覆盖比亚迪、客户 A、麦格米特、 昱能科技与宁德时代等各领域龙头厂商。在多领域需求驱动下，公司 3Q22 库存周转天数约为 66.4 天，明显低于行业平均水平(111.6 天)。

公司器件产品不断革新，TGBT 与碳化硅等新产品打开多维增长空间。预计 22-25 年全球 IGBT 市场将 12.1%复合增速增长至 136 亿美元，碳化硅器件市 场将以 42%复合增速增长至 43 亿美元，行业处于加速渗透期。公司自主设计 的新产品 IGBT（TGBT）与超级硅已获客户认可并批量应用，碳化硅相关产品 已推出，未来有望随行业发展加速渗透，成为公司新的增长点。