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2025年电子行业深度报告：AI DC供电新方案有望助力SiCGaN打开成长空间
- 2025/11/05
- 160
- 东方证券
从通算到智算，高压、高效成为重要趋势。根据华为AIDC白皮书，通算中心的单机柜功率从之前5~8kW区间增加至智算中心(AIDC)的20-50kW甚至100kW以上。
标签： AI SiC GaN -
2022年华峰测控发展现状及产品布局分析 2021年华峰测控GaN功率器件测试机发货量接近100台
- 2022/07/11
- 888
- 招商证券
2022年华峰测控发展现状及产品布局分析，2021年华峰测控GaN功率器件测试机发货量接近100台。华峰测控深耕半导体领域近30年，是国内最大的半导体自动化测试系统本土供应商。华峰测控成立于1993年，专注半导体自动化测试系统领域，主要产品为半导体自动化测试系统及配件，用于测试半导体的电压、电流、时间、温度、电阻、电容、频率、脉宽、占空比等参数，判断芯片在不同工作条件下功能和性能的有效性。
标签： 华峰测控 功率器件 GaN 测试机 -
第三代半导体GaN产业链专题研究报告
- 2021/05/30
- 1975
- 中国平安
氮化镓(GaN)可同时涵盖射频和功率领域，特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色;可广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域;由于商业化进展快，将领跑第三代半导体市场。
标签： 第三代半导体 GaN 半导体 -
第三代半导体之GaN专题研究报告
- 2020/12/23
- 2695
- 未来智库
我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。GaN作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。从结构上看，Si是垂直型的结构，GaN是平面型的结构，这也使得GaN的带隙远大于Si。
标签： 第三代半导体 GaN -
第三代半导体氮化镓GaN行业剖析：5G、快充、UVC助力潮起
- 2020/09/22
- 1132
- 未来智库
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体材料，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（Ga
标签： 射频 5G GaN -
射频GaN行业深度报告：5G、快充、UVC，第三代半导体潮起
- 2020/02/23
- 1829
- 未来智库
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。它们在国际信息产业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛的应用。第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体
标签： 射频 GaN 5G -
2025年第三代半导体SiC/GaN产业链深度研究：全球竞争新战场，国产替代加速突破
- 2025/06/24
- 2411
- 其他
深企投产业研究院最新发布的《2025行业研究系列报告第三代半导体SiC/GaN产业链研究报告》显示，全球半导体产业竞争格局正在发生深刻变革，中国企业在第三代半导体领域的技术突破和产业化进程显著加快，国产替代生态逐步成型。本报告将从市场规模、技术路线、竞争格局和产业链发展四个维度，全面剖析第三代半导体产业的发展现状与未来趋势。
标签： 第三代半导体 SiC GaN
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