第三代半导体GaN技术洞察报告（发布版）.pdf
- 上传者：潘*
- 时间：2022/01/04
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氮化镓材料定义:氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于23eV,也称为宽禁带半导体材料氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是硏制微电子器件、光电子器件的新型材料
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