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2022年第三代半导体产业发展报告.pdf
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- 2023/11/21
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- 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟
2022年第三代半导体产业发展情况。2022年，全球零碳政策深入实施，清洁能源利用增加，带动第三代半导体技术和产业快速发展。为应对气候变化，控制温室气体排放，叠加欧洲能源危机，2022年，各国纷纷加快清洁能源产业发展，推动经济绿色转型发展。中国也积极推进“双碳”目标实现，不断调整产业结构，加速低碳技术应用，提升能源使用效率，加快清洁能源开发。在此过程中，第三代半导体材料和技术在功率电子装置小型化和模块化，提高能源互联网可靠性、可控性，提升电动汽车和高速轨道交通电能转换效率，降低5G基站、数据中心等能耗等方面发挥关键作用，同时绿色低碳产业发展也带动了第三代半导体技术和产业...
标签： 第三代半导体 半导体 -
2023中国功率半导体与第三代半导体行业发展现状及前景分析.pdf
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- 2023/11/16
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- 云岫资本
2023中国功率半导体与第三代半导体行业发展现状及前景分析。
标签： 功率半导体 第三代半导体 半导体 -
中瓷电子研究报告：电子陶瓷打造中国“京瓷”，进军第三代半导体.pdf
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- 2023/08/09
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- 财通证券
中瓷电子研究报告：电子陶瓷打造中国“京瓷”，进军第三代半导体。AI高速成长带动公司光模块陶瓷类管壳业务高增，消费类产品打开第二成长空间：公司光通信器件外壳业务，可用于封装TOSA、ROSA、ICR、WSS等全系列光通信器件，传输速率覆盖2.5Gbps至800Gbps，应用于光纤骨干网、城域网、宽带接入、CATV、物联网和数据中心等场景。据Lightcounting统计数据显示，2021年全球光模块市场规模为73.7亿美元，预计随着未来几年数据通信高速发展，光模块市场将迎来快速增长期，2025年全球光模块市场规模有望达到113.2亿美元，CAGR约为11%。公司新增精密陶...
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碳化硅行业分析：第三代半导体明日之星，“上车+追光”跑出发展加速度.pdf
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- 2023/05/06
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- 国泰君安证券
碳化硅行业分析：第三代半导体明日之星，“上车+追光”跑出发展加速度。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。主要应用于新能源汽车/充电桩、光伏发电、智能电网、轨道交通、航空航天等领域。凭借性能优势碳化硅功率器件有望迎来快速发展。2021年全球第三代功率半导体市场渗透率约为4.6%-7.3%，较2020年渗透率提升约2%。根据Yole数据，2021年全球碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元，2027年全球导电型碳化硅功率器...
标签： 碳化硅 半导体 第三代半导体 -
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星.pdf
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- 2023/04/17
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- 浙商证券
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。工艺难度大幅增加，长晶环节是瓶颈碳化硅制造工艺具有高技术壁垒，衬底长晶存在条件控制严、长晶速度慢、晶型要求高三大技术难点，而加工难度大带来的低产品良率导致碳化硅成本高；外延的厚度和掺杂浓度为影响最终器件的关键参数。下游应用场景丰富，新能源带来最大增长点碳化硅器件下游应用领域包括电动汽车、光伏发电、轨道交...
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第三代半导体行业深度研究：电力电子器件领域，碳化硅大有可为.pdf
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- 2022/11/01
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- 中国银河证券
第三代半导体行业深度研究：电力电子器件领域，碳化硅大有可为。第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性。第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SICSBD器件中，衬底价值量占比达到47%。我们认为，衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节，衬底行业的发展也是未来SiC产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。市场空间仍待开发，产业...
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全球第三代半导体龙头Wolfspeed专题研究.pdf
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- 2022/10/18
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- 复星恒利证券
全球第三代半导体龙头Wolfspeed专题研究。行业：第三代半导体材料随着扩产价格逐渐下降/主要下游领域新能源车市场越来越多车企应用第三代半导体材料/其他领域(如光伏、充电桩、轨交等)需求增加公司：Wolfspeed作为全球第三代半导体龙头，在衬底技术及产能方面领先同业，受益于下游新能源汽车、光伏、充电桩等应用第三代半导体加速。中长期业务成长逻辑：1)Wolfspeed衬底、外延市占率第一，具备定价权；2)Wolfspeed材料产能领先，到2026年相关产能优势明显；3)Wolfspeed资本开支计划高于同业，在第三代半导体领域专利数量领先。
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第三代半导体碳化硅应用前景及投资机会.pdf
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- 2022/09/21
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- 其他
第三代半导体碳化硅应用前景及投资机会。
标签： 第三代半导体 半导体 碳化硅 -
第三代半导体产业报告.pdf
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- 2022/07/19
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- 第三代半导体产业技术创新战略联盟
第三代半导体产业报告。当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段，在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。第三代半导体是我国“十三五”时期重点布局的方向，产业化核心技术取得突破、产业布局较为全面、市场应用逐步开启，自主可控能力逐渐增强，整体竞争力不断提升。
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碳化硅行业研究：冉冉升起的第三代半导体.pdf
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- 2022/06/06
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- 海通证券
碳化硅行业研究：冉冉升起的第三代半导体。碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。衬底为核心，技术瓶颈逐步突破。衬底是碳化硅产业链的核心，一直处于供不应求的状态，行业普遍处于快速扩产，据天岳先进招股书援引CASAResearch，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产。衬底的生长方法主要有物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉积法(HT-CV...
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第三代半导体行业分析：千亿级黄金赛道，中国“芯”蓄势待发.pdf
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- 2022/05/25
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- 华安证券
第三代半导体行业分析：千亿级黄金赛道，中国“芯”蓄势待发。硅衬底占据主要市场，第三代半导体有望掀起底层材料端革命。第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面氮化镓GaN、碳化硅SiC性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体。虽然硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，但近年来硅材料的潜力已经开发殆尽，在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场有望迎来快速发展机遇，...
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第三代半导体GaN技术洞察报告（发布版）.pdf
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- 2022/01/07
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- 智慧芽
氮化镓材料定义:氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于23eV,也称为宽禁带半导体材料氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是硏制微电子器件、光电子器件的新型材料
标签： 半导体 第三代半导体 氮化镓 GaN -
SiC产业深度报告：价格迎来甜蜜点，SiC应用驶入快车道.pdf
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- 2021/11/01
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- 国盛证券
技术进步，产品迭代结构持续优化。自Wolfpseed在2011年推出业内首款SiCMOSFET以来，过去十年受限于SiC电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制，始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面，SiC衬底位错密度下降，SiC功率晶体设计不断迭代，产品性能，可靠性持续提升；主流晶圆尺寸由4英寸向6英寸过渡，领先厂商已经在大力扩产8英寸，主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。
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功率半导体行业研究：乘新能源汽车东风而起.pdf
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- 2021/08/03
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- 开源证券
第三代半导体材料主要指SiC及GaN，以其制作成的功率器件性能优异，适用于高压、高频、高温的应用场景。在汽车上，以第三代半导体制成的功率器件可以提升电能转换效率，达到省电和提升续航的作用，此外亦可以缩小逆变器的设计尺寸，节省空间。目前已有部分高端车型开始在主驱逆变器、OBC、DC/DC等领域使用SiC功率器件方案。未来随着第三代半导体器件的制造成本下降，性价比进一步提升，在汽车上的渗透有望加速。
标签： 功率半导体 新能源汽车 第三代半导体 IGBT 汽车 -
第三代半导体专题研究报告：政策红利，衬底破局.pdf
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- 2021/07/19
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- 光大证券
第三代半导体大势所趋，新能源汽车为其带来巨大增量:第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等，根据Yole数据，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金，CAGR约51％。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，CAGR达44％目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。
标签： 第三代半导体 半导体
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