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  • 碳化硅行业专题报告:高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展.pdf

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    • 2024/01/12
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    • 华宝证券

    碳化硅行业专题报告:高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展。碳化硅物理性能优势明显,适应高温、高压、高频的应用场景。碳化硅作为第三代半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。衬底根据电学性能不同分为半绝缘型和半导电型,分别应用到不同的应用场景上。下游新能源发展对高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长,极大推动了碳...

    标签: 碳化硅 快充
  • 碳化硅行业专题报告:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会.pdf

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    • 2024/01/11
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    • 中国平安

    碳化硅行业专题报告:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会。材料性能突出,器件优势明显。当前Si半导体已逼近物理极限,以SiC为代表的第三代半导体成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一,SiC材料拥有高击穿电场、高导热率以及高饱和电子漂移速度等特性,制备的器件相较于Si产品能够降低80%损耗的同时将器件尺寸缩小90%,在新能源汽车、光伏以及轨道交通等领域具备广阔的替代空间。SiC为半导体重要新材料,产业链自主可控需求强烈。当前海外对华科技限制持续加码,产业链自主可控刻不容缓,SiC作为半导体领域的重要新材料,国内外SiC技术代差约为5-8年,相较硅基半导体,具备实现国产替代机遇,国家...

    标签: 碳化硅
  • 宇环数控研究报告:数控抛磨设备龙头,受益3C复苏和碳化硅高景气度.pdf

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    • 2024/01/10
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    • 华金证券

    宇环数控研究报告:数控抛磨设备龙头,受益3C复苏和碳化硅高景气度。深耕行业近二十年,主营数控磨床和数控研磨抛光机。公司成立于2004年,2006年开始全面布局专业发展数控机床领域主机制造业务。产品主要分为数控磨床、数控研磨抛光机和智能装备系列产品,2022年数控磨床和数控研磨抛光机合计营收占比78%。广泛应用于消费电子、汽车工业等行业领域,2022年营收来看,消费电子占比达77%,汽车行业占比13%。消费电子领域,公司设备可用于智能手机面板玻璃凹槽、VR眼镜镜片凹面+凸面的打磨抛光等领域。自2010年为富士康提供精密磨削设备以来,与苹果产业链公司建立了长期的合作关系。此外也有华为、荣耀、小米、...

    标签: 宇环数控 碳化硅
  • 磨床行业研究:为精加工而生,丝杠、钛合金、碳化硅催化国产成长.pdf

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    • 2024/01/04
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    • 国金证券

    磨床行业研究:为精加工而生,丝杠、钛合金、碳化硅催化国产成长。磨床为精加工而生,技术壁垒较高:磨床为适应精加工和硬表面加工需求而生,以外圆磨床、内圆磨床、平面磨床为主。在一般加工条件下精度等级可达到IT5至IT6级(研磨/抛光能达到更高),而铣削(加工中心一般为铣削)精度等级根据粗铣和精铣在IT7至IT14之间,表面粗糙度也有较大差异。为实现高精、高速加工,磨床具有较高技术壁垒,对结构件(例如磨床用丝杠可达最高精度等级C0级)、功能部件(高精度和电气控制能力)、装配均有较高要求。国内高端磨床进口替代空间较大,下游需求爆发有望催化国产崛起:日、美、德等国家磨床技术实力领先企业发展成熟,以&ldq...

    标签: 磨床 碳化硅 钛合金
  • 碳化硅行业专题报告:碳化硅车型密集发布,关注国产衬底厂商扩产、器件厂商上车进展.pdf

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    • 2023/11/22
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    • 东吴证券

    碳化硅行业专题报告:碳化硅车型密集发布,关注国产衬底厂商扩产、器件厂商上车进展。800V车型密集发布,碳化硅是800V高压快充标配。碳化硅耐高压特性适配800V高压快充车型,同时SiC方案可实现新能源汽车三电系统降本、增效。23年有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市,可见新势力车企的高性能策略已强势拉动碳化硅渗透,未来仍将有同价格段车型如极氪007等上市。碳化硅市场未来将由新能源汽车主导拉动,预计2028年全球市场规模有望达到66亿美元,22-28年CAGR高达32%衬底端,国产产能释放拉动降本,重视各厂商产能实际交付能力。1)SiC价格较高限制应用放量...

    标签: 碳化硅
  • 天岳先进研究报告:碳化硅衬底龙头,800V趋势加速公司成长.pdf

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    • 2023/11/20
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    • 广发证券

    天岳先进研究报告:碳化硅衬底龙头,800V趋势加速公司成长。国产碳化硅衬底领先厂商,深耕车规领域。公司深耕碳化硅衬底十余年,是全球少数几家同时在导电&半绝缘型碳化硅衬底产品均具有竞争力的企业。公司导电型衬底持续拓展车规领域,已经与英飞凌、博世等开展了广泛合作。随济南工厂产能的顺利切换,叠加上海临港智慧工厂产量持续爬坡,公司规模效应将逐渐显现,23Q3为公司盈利拐点。海内外厂商积极扩产,衬底市场快速扩容。碳化硅衬底制备难度较大,是产业链中的核心环节。目前衬底市场呈现出高度集中的格局,2021年CR3占据约80%市场份额。随我国碳化硅衬底厂商积极扩产,市场份额在未来有望得到显著提升。根据W...

    标签: 天岳先进 碳化硅 碳化硅衬底
  • 中芯集成研究报告:国产车规级代工龙头,扩产碳化硅、功率IC打开长期空间.pdf

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    • 2023/11/09
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    • 东吴证券

    中芯集成研究报告:国产车规级代工龙头,扩产碳化硅、功率IC打开长期空间。专注于功率、MEMS和射频领域,提供一站式系统代工服务。公司聚焦功率器件、MEMS、射频三大产品方向,提供从设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证到可靠性测试的一站式系统代工服务,产品覆盖新能源汽车、风光储、高端消费等应用领域。业绩方面,产品结构持续优化,23H1车载领域营收占比达52%,同比+511%,已覆盖超过90%的新能源汽车终端客户,风光储等工控领域营收占比达30%,同比+72%,从而拉动公司整体营收快速增长。功率:IGBT稼动率维持高位,拓展碳化硅、功率IC打开长期空间。截至23年中报,公司IGBT、MOS产能分...

    标签: 中芯集成 碳化硅
  • 碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】.pdf

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    • 2023/10/23
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    • 东吴证券

    碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】SiC行业概况:第三代半导体材料性能优越,新能源车等场景带动SiC放量。碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC功率器件市场规模有望达50亿美元,占比高达79%,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC迎来上车导入期。SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%,后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。SiC衬底:材...

    标签: 碳化硅 SiC
  • 天岳先进研究报告:导电型衬底释放在即,国产碳化硅龙头业绩拐点或至.pdf

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    • 2023/09/15
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    • 国海证券

    天岳先进研究报告:导电型衬底释放在即,国产碳化硅龙头业绩拐点或至。天岳先进:国产碳化硅衬底领跑者,产能释放盈利拐点或至。天岳先进成立于2010年,是国内领先的碳化硅衬底生产商。公司通过自主研发,掌握了设备设计、温场设计、粉料合成、晶体生长和衬底加工等核心技术。公司主要生产半绝缘型和导电型碳化硅衬底,广泛应用于微波电子、电力电子、新能源汽车和轨道交通等领域。受益于上海临港新工厂产能释放与济南工厂产能结构优化调整,公司业绩表现有望迎来拐点。公司2023H1实现营收4.38亿元,同比增长172.38%,归母净利润-0.72亿元,亏损同比有所收窄。碳化硅行业:新能源引领需求增长,碳化硅迎来广阔蓝海。相...

    标签: 天岳先进 碳化硅
  • 天岳先进研究报告:国产碳化硅衬底龙头,业绩拐点将至.pdf

    • 3积分
    • 2023/09/13
    • 133
    • 3
    • 东吴证券

    天岳先进研究报告:国产碳化硅衬底龙头,业绩拐点将至。国产碳化硅衬底龙头,业绩拐点将至。公司主营6英寸导电型、4&6英寸半绝缘型SiC衬底,8英寸产品已小批量销售,目前其SiC衬底产品质量、产能产量规模均已进入国际第一梯队,已在国际范围形成品牌优势。业绩端,伴随济南工厂产能转换、临港新工厂产能爬坡,22Q1以来,公司已连续5个季度实现营收环增;23H1营收4.4亿元,同比+172%,毛利率回升至11.3%,同比+21pct,业绩拐点将至。导电型衬底需求高增,公司“技术+产能+客户”已卡位国际第一梯队。根据Yole数据,受汽车电动化趋势主导拉动,全球SiC功率器件市...

    标签: 天岳先进 碳化硅 碳化硅衬底
  • 充电桩行业专题报告:从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用.pdf

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    • 2023/08/23
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    • 长城证券

    充电桩行业专题报告:从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用。充电桩行业趋势:高压快充大势所趋,充电设备的高效性和安全性亟待升级。充电时长成影响用车体验的关键因素,提高充电速度迫在眉睫。高电压和大电流可缩短电池充电时间,但高压大功率比大电流方案更有效率。目前,主流车企纷纷布局高压快充车型,2026年预计800V以上高压车型销量将过半。但我国适配高压快充的高压充电桩数量不足,为适应未来大功率高压快充发展趋势,主流车企及充电运营商已经开始布局大功率快充桩。但高压快充对充电桩的高效性和安全性都提出了更高的要求,在设备方面亟需采用更耐高压、耐高温、安全的新型器件。碳化硅对比传统硅材料优势突出,为高压快充桩...

    标签: 充电桩 碳化硅 电力设备 电力 快充
  • 晶盛机电专题报告:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件协同布局铸造高壁垒.pdf

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    • 2023/07/17
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    • 浙商证券

    晶盛机电专题报告:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件协同布局铸造高壁垒。简要:公司为光伏+半导体硅片设备龙头,向光伏耗材、碳化硅材料等领域延伸,空间打开。本篇报告将核心从公司的半导体设备业务进行展开。半导体长晶设备:大硅片时代需求加速,长晶设备国产先行、期待切磨抛国产替代加速1)半导体大硅片设备:受益大硅片需求提升、行业扩产景气。硅片设备主要包括:长晶、切割/研磨、抛光、外延设备,对于12/8寸硅片价值量占比分别为8%/19%、8%/7%、60%/29%、24%/32%,半导体切磨抛设备技术壁垒、价值量远高于光伏硅片设备,是国产替代核心环节。2)市场空间:预计2023-2025年我国半导...

    标签: 晶盛机电 碳化硅 半导体
  • 碳化硅行业专题分析:国内衬底厂商加速布局.pdf

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    • 2023/06/25
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    • 申万宏源研究

    碳化硅行业专题分析:国内衬底厂商加速布局。碳化硅具有耐高温、高压等优势,渗透率提升空间大。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料发展迅速。与第一代半导体材料硅相比,碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导性和热稳定性,更适合在高压、高频、高功率等领域中应用,并且能实现器件小型化、轻量化。根据罗姆官网数据,相同规格下SiC器件体积约为硅基器件的1/10。纵观产业链,衬底占碳化硅器件制造成本47%(中商产业研究院数据)。碳化硅产业链依次分为:衬底、外延、器件和终端应用。1)在制造衬底的多个工序中晶体生长是核心难点,国内衬底良率偏低。由于SiC晶棒生长速度...

    标签: 碳化硅
  • 晶升股份(688478)研究报告:碳化硅和半导体级单晶炉领先者,下游扩产与国产化双加速.pdf

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    • 2023/05/18
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    • 14
    • 浙商证券

    晶升股份(688478)研究报告:碳化硅和半导体级单晶炉领先者,下游扩产与国产化双加速。公司目前已经形成了8-12英寸28nm制程以上半导体级单晶硅炉、6英寸碳化硅单晶炉量产销售,开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技及海思半导体等头部客户。受益下游旺盛需求和头部客户绑定,公司业绩快速增长,2019-2022年营收与归母净利润分别实现复合增速113%、60%。碳化硅单晶炉自给率高,国产衬底厂商扩产带来设备需求扩张碳化硅衬底作为碳化硅产业链核心,2021年国内厂商产出规模占全球市场份额不足10%。目前,国内碳化硅衬底厂商正加速扩产,未来2-5年,国内碳化硅衬底产能有望实现...

    标签: 晶升股份 碳化硅 半导体
  • 碳化硅行业分析:第三代半导体明日之星,“上车+追光”跑出发展加速度.pdf

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    • 2023/05/06
    • 673
    • 57
    • 国泰君安证券

    碳化硅行业分析:第三代半导体明日之星,“上车+追光”跑出发展加速度。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件,具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势,可实现功率模块小型化、轻量化。主要应用于新能源汽车/充电桩、光伏发电、智能电网、轨道交通、航空航天等领域。凭借性能优势碳化硅功率器件有望迎来快速发展。2021年全球第三代功率半导体市场渗透率约为4.6%-7.3%,较2020年渗透率提升约2%。根据Yole数据,2021年全球碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元,2027年全球导电型碳化硅功率器...

    标签: 碳化硅 半导体 第三代半导体
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