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"第三代半导体行业分析" 相关的文档

  • 第三代半导体产业报告.pdf

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    • 2022/07/19
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    • 第三代半导体产业技术创新战略联盟

    第三代半导体产业报告。当前,国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越,并进入产业化快速发展阶段,在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期,全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域,产能大幅度提升,企业并购频发,正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。第三代半导体是我国“十三五”时期重点布局的方向,产业化核心技术取得突破、产业布局较为全面、市场应用逐步开启,自主可控能力逐渐增强,整体竞争力不断提升。

    标签: 第三代半导体 半导体
  • 第三代半导体行业分析:千亿级黄金赛道,中国“芯”蓄势待发.pdf

    • 2积分
    • 2022/05/25
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    • 华安证券

    第三代半导体行业分析:千亿级黄金赛道,中国“芯”蓄势待发。硅衬底占据主要市场,第三代半导体有望掀起底层材料端革命。第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等,其中氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面氮化镓GaN、碳化硅SiC性能更为出色,在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体。虽然硅(Si)是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料,但近年来硅材料的潜力已经开发殆尽,在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场有望迎来快速发展机遇,...

    标签: 半导体 第三代半导体
  • 汽车电子及第三代半导体行业专题研究: 智能化浪潮下,优质赛道掘金.pdf

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    • 2021/12/31
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    • 天风证券

    1)连接器:关注上游铜合金材料博威合金、高速连接器电连技术及高压连接器领域瑞可达、关注中航光电、徕木股份、意华股份、沪光股份等。2)PCB:关注技术突破+产能扩张的景旺电子、世运电路、鹏鼎控股等。3)IGBT&SiC:关注已实现0-1突破+紧握缺货朝下国产化机遇启动放量的相关企业,关注斯达半导、闻泰科技、时代电气、东微半导等。4)激光雷达:行业百亿空间,目前处于高增长起点,关注炬光科技、蓝特光学、舜宇光学科技、湘油泵。5)EMS:关注迎来国六新机遇,进一步实现国产替代的菱电电控。6)元器件:关注早期卡位汽车电子的法拉电子、顺络电子等。

    标签: 汽车电子 半导体 连接器 汽车
  • 第三代半导体行业专题分析:一张图看懂天岳先进.pdf

    • 3积分
    • 2021/12/22
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    • 中信证券

    第三代半导体行业专题分析:一张图看懂天岳先进

    标签: 半导体 天岳先进
  • 第三代半导体行业研究:碳化硅与新能源景气度共振,第三代半导体加速渗透.pdf

    • 3积分
    • 2021/12/13
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    • 国泰君安证券

    碳化硅材料特性带来器件性能优势,直击新能源行业的发展痛点。碳化硅功率器件的耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势可满足新能源行业的发展需求。新能源行业包括电动汽车、光伏、风电、特高压输电、储能等细分领域普遍的发展痛点为开关损耗、导通损耗、热管理、充电速度等,碳化硅功率器件的性能优势直击新能源行业的发展痛点,迎来下游应用需求推动上游供给发展的高速发展阶段。

    标签: 半导体 新能源 功率器件 碳化硅
  • 第三代半导体行业深度报告:下游应用、能源安全、后摩尔时代驱动大发展.pdf

    • 8积分
    • 2021/10/27
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    • 天风证券

    新能源汽车等下游应用需求高起带动第三代半导体在大功率电力电子器件领域起量。快充装置、输变电系统、轨道交通、电动汽车和充电桩等都需要大功率、高效率的电力电子器件,基于SiC、GaN的电子电力器件因其物理性能优异在相关市场备受青睐。AIoT时代,智慧化产品渗透率将迅速提升,智能家居照明的商机空间广阔。GaN在蓝光等短波长光电器件方面优势明显。5G时代驱动GaN射频器件快速发展。GaN器件工作效率和输出功率优异,成为5G时代功率放大器主要技术。

    标签: 半导体 电子器件 AIoT GaN SiC
  • 第三代半导体产业专题报告:产业链概览及投资方向.pdf

    • 4积分
    • 2020/10/20
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    第三代半导体下游应用切中“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域。第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺,国内厂商起步与国外厂商相差不大,有望实现技术上的追赶。

    标签: 半导体 第三代半导体
  • 第三代半导体产业发展报告(2019年).pdf

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    • 2020/03/09
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    2019年全球第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈较高增长态势。产品性能、可靠性趋于稳定,客户接受度提高。材料方面,SiC高品质4英寸衬底全面商业化,6英寸衬底的商业化也在持续推进。GaN,4英寸高纯半绝缘SiC基GaN外延材料为市场主流,6英寸进入试用阶段;Si基GaN外延材料方面,6英寸和8英寸均已量产。SiC功率模块化产品推出速度加快。商业化GaN射频器件供应上量,性能可靠性逐步得到应用端认可。国际企业纷纷加强布局。

    标签: 半导体 氮化镓
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