第三代半导体产业发展报告（2019年）.pdf
- 上传者：F*******
- 时间：2020/03/09
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2019年全球第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈较高增长态势。产品性能、可靠性趋于稳定，客户接受度提高。材料方面，SiC高品质4英寸衬底全面商业化，6英寸衬底的商业化也在持续推进。GaN，4英寸高纯半绝缘SiC基GaN外延材料为市场主流，6英寸进入试用阶段；Si基GaN外延材料方面，6英寸和8英寸均已量产。SiC功率模块化产品推出速度加快。商业化GaN射频器件供应上量，性能可靠性逐步得到应用端认可。国际企业纷纷加强布局。
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