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第三代半导体行业分析：千亿级黄金赛道，中国“芯”蓄势待发。硅衬底占据主要市场，第三代半导体有望掀起底层材料端革命。第 三代半导体材料为氮化镓 GaN、碳化硅 SiC、氧化锌 ZnO、金刚石 C 等，其中氮化镓 GaN、碳化硅 SiC 为主要代表。在禁带宽度、介电 常数、导热率及最高工作温度等方面氮化镓 GaN、碳化硅 SiC 性能 更为出色，在 5G 通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用 第三代半导体。虽然硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、 市场占比最大的衬底材料，但近年来硅材料的潜力已经开发殆尽， 在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体 衬底材料市场有望迎来快速发展机遇，待成本下降有望实现全面替 代。

发展前景：千亿市场，第三代半导体渗透率逐年提升

我国第三代半导体整体产值超 7100 亿元，2023 年第三代半导体材料 渗透率有望接近 5%。从整体产值规模来看，根据 CASA 数据，我国第 三代半导体整体产值超过 7100 亿。其中，半导体照明整体产值预计 7013 亿元，受新冠疫情影响较 2019 年下降 7.1%；SiC、GaN 电力电 子产值规模达 44.7 亿元，同比增长 54%；GaN 微波射频产值达到 60.8 亿元，同比增长 80.3%。从渗透率角度来看，根据 Yole 数据显示， Si 仍是半导体材料主流，占比 95%。第三代半导体渗透率逐年上升， SiC 渗透率在 2023 年有望达到 3.75%，GaN 渗透率在 2023 年达到 1.0%，第三代半导体渗透率总计 4.75%。

重点公司布局：SiC、GaN 基本均已实现全覆盖，大部分企业处于研 发阶段

衬底→外延→器件→设备各领域全布局，中国第三代半导体将迎来历 史性发展机遇。SiC 领域：目前，国内布局 SiC 的上市公司从产业链 角度可以分为 5 类：1）专注衬底材料，如天岳先进和天科合达（中 止 IPO）；2）器件端 IDM 布局，如华润微、斯达半导、闻泰科技等； 3）从材料到器件一体化布局，如三安光电；4）芯片设计厂商，如新 洁能；5）其他：露笑科技布局设备+材料，中微公司布局外延设备。 GaN 领域：包括 GaN 衬底制造商苏州纳维、东莞中镓；外延制造商晶 湛半导体、江苏能华；设计企业安谱隆、海思半导体；制造企业三安 集成、海威华芯等。此外，新进入厂商不只有传统功率半导体厂商， 更多的是做射频器件出身或者有军工背景的企业进入 GaN 领域，如 主营军工电子的亚光科技，主营 TR 组件及射频模组的国博电子。