碳化硅行业专题报告：衬底产能持续扩充，关注渗透加速下的国产化机会.pdf
- 上传者：小**
- 时间：2024/01/11
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碳化硅行业专题报告：衬底产能持续扩充，关注渗透加速下的国产化机会。材料性能突出，器件优势明显。当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一，SiC材料拥 有高击穿电场、高导热率以及高饱和电子漂移速度等特性，制备的器件相较于Si产品能够降低80%损耗的同时将器件尺寸缩小90%，在新能源汽车、光伏 以及轨道交通等领域具备广阔的替代空间。
SiC为半导体重要新材料，产业链自主可控需求强烈。当前海外对华科技限制持续加码，产业链自主可控刻不容缓，SiC作为半导体领域的重要新材料， 国内外SiC技术代差约为5-8年，相较硅基半导体，具备实现国产替代机遇，国家重视程度将不断上升，有望持续推出利好政策助力国内SiC行业发展，国 内SiC产业链有望迎来快速发展良机。
SiC晶体生长慢且加工难，提升良率和产能是控制成本的关键。SiC器件成本是Si器件的3倍左右，是制约SiC行业快速发展的核心因素之一，造成该问题的 主要原因在于SiC长晶速度缓慢且加工难度大，从原材料到晶圆转换率仅为50%。未来在技术进步和规模经济共同作用下，产线将向8英寸转移，衬底尺 寸扩径将助力产业链降本，预计衬底价格将以每年8%的速度下降，有望进一步加速SiC发展渗透。
降本提效增益明显，下游持续景气带动需求提升。SiC器件能够为新能源汽车以及光伏等关键下游带来明显的效率提升以及综合成本优化，随着SiC渗透 加速，Yole预计2026年全球SiC器件市场规模将达71亿美元，其中，新能源汽车作为SiC器件增长的主要驱动力，近些年整体销量呈现快速增长态势，将不 断带动SiC器件需求，预计2027年全球车用SiC功率器件市场规模将达50亿美元。
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