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天岳先进研究报告：碳化硅衬底领军者，长期增长动能稳固。碳化硅衬底领军者，规模效应初显:天岳先进是中国碳化硅(SiC)半导体衬底材料领域的领军企业，公司从技术攻关起步，逐步实现4英寸至12英寸衬底的产业化突破。2024年，随着上海临港工厂产能的陆续释放，公司营业收入同比增长41.37%，归母净利润同比增长491.56%。2025年第一季度，虽然公司营业收入和归母净利润同比下降，但主要是受研发费用和管理费用影响，短期的投入是为长期的技术卡位蓄力。展望未来，依托于公司的技术优势，随着港股上市与AI眼镜、数据中心等新兴应用的突破，公司或将迎来二次跃升期。

碳化硅--高压高温场景的半导体新王者:1)新能源汽车:乘用车SiC-MOSFET仍有较大渗透空间，新能源工程车规模化。2)充电桩:超级快充技术是当前新能源产业的核心战略方向之一，其背后既有政策强力推动，也源于市场需求和技术升级的必然性。3)光储:在光储装机量持续成长和全SiC方案逐步渗透的双轮驱动下光储用SiC市场规模也将持续成长。4)碳化硅(SiC)在家电、轨交和电网领域同样也通过高频低损、耐高温、能效跃升三大核心优势驱动变革。5)数据中心:打破数据中心“能耗墙”，SiC或将从可选技术变为必然选择。6)AR眼镜:突破AR光学性能天花板，量产破局可期。根据弗若斯特沙利文数据，2024-2030年，碳化硅功率半导体器件市场规模将以35.2%的复合增速从32.4亿美元增长至197.45亿美元。

碳化硅衬底产业链价值量占比高，大尺寸趋势不改:碳化硅(SiC)衬底在SiC器件中占据核心地位，其质量和尺寸直接影响器件性能与成本，技术壁垒和成本结构决定了整个产业的商业化进程。在SiC功率器件成本结构中,衬底占比高达47%。碳化硅衬底制备方法的技术迭代本质是"缺陷-成本-效率"的三角博弈，PVT 法胜在工程化，HT-CVD强在纯度，LPE则以高速率&低缺陷破局。从尺寸看，当前市场仍以6英寸为主，但8英寸正加速渗透，12英寸已进入技术突破期。根据Yole数据，2023年8英寸衬底占比为1.97%，2024年则快速增长至14.77%，2028年将达到 49.66%。

公司优势:从技术实力看，公司2023年6月首发液相法低缺陷8英寸晶体，2024年11月全球首发12英寸导电型衬底,2023年3月再次携3种12英寸碳化硅衬底登场，全面步入国际碳化硅大尺寸竞技场，也在AR虚拟显示领域打响了第一枪。从市场地位和客户优势来看,2024年,公司导电型碳化硅衬底市占率提升至22.8%排名第二;高纯半绝缘领域，公司连续五年全球市占率排名第三，并与超过50%的全球前十大功率半导体企业开展合作。整体来看，天岳先进的优势在于以液相法技术为核心突破材料瓶颈，以8英寸衬底量产能力抢占成本高地，再以全球TOP3市占率绑定头部客户。