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2025年英诺赛科研究报告:聚焦氮化镓的第三代半导体领军企业
- 2025/05/12
- 1871
- 国金证券
英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶圆的企业,同时也是全球唯一具备全电压谱系的GaN-on-Si产品量产能力的公司。
标签: 第三代半导体 镓 氮化镓 半导体 -
2023年中瓷电子研究报告:电子陶瓷打造中国“京瓷”,进军第三代半导体
- 2023/08/09
- 2168
- 财通证券
中瓷电子科技股份有限公司前身为中瓷电子科技有限公司,成立于2009年,成立时注册资本1000万元,主要由中电十三所出资850万元,占注册资本85%。公司于2018年先后经历了两轮注资与股权转让,注资后公司的注册资本增至约1479.3万元。
标签: 中瓷电子 第三代半导体 电子陶瓷 -
2023年碳化硅行业研究 第三代半导体适用于高压、高频、高温、高功率领域
- 2023/03/07
- 1527
- 中信证券
2023年碳化硅行业研究,第三代半导体适用于高压、高频、高温、高功率领域。材料是半导体产业发展基石,不断涌现新的材料体系。第一代半导体兴起于20世纪50年代,是以Si、Ge为代表的单质半导体。其中,硅基半导体材料发展时间长、制备工艺复杂度低、技术成熟度高,在电子信息、新能源、光伏等领域运用广泛。
标签: 第三代半导体 碳化硅 -
2023年东微半导研究报告 延伸布局IGBT和第三代半导体器件
- 2023/01/17
- 1156
- 方正证券
2023年东微半导研究报告,延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT,覆盖0~1350V电压及0~300A电流;下游应用聚焦在工业级和消费级领域,2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产,打破国际垄断;同时公司积累了全球知名的品牌客户群。
标签: 东微半导 IGBT 第三代半导体 -
2023年碳化硅行业分析 突破性第三代半导体材料
- 2023/01/12
- 1388
- 安信国际
2023年碳化硅行业分析,突破性第三代半导体材料。SiC是突破性第三代半导体材料:与前两代半导体材料相比,以SiC制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗,是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。SiC下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
标签: 碳化硅 半导体材料 第三代半导体 -
2022年第三代半导体行业深度研究 更先进的材料,更优异的产品特性
- 2022/11/01
- 572
- 中国银河证券
2022年第三代半导体行业深度研究,更先进的材料,更优异的产品特性。第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料,包括了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基,SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势,因此SiC材料具备更高效率和功率密度。
标签: 半导体 第三代半导体 -
2022年功率半导体行业市场规模及发展趋势分析 IGBT和第三代半导体引领功率新发展
- 2022/05/30
- 2237
- 国联证券
2022年功率半导体行业市场规模及发展趋势分析,IGBT和第三代半导体引领功率新发展。功率半导体是半导体行业最重要的细分板块之一,作为电子装置中电能转换与电路控制的核心,在电路系统中起到控制导通、电压频率变换、直流交流转换等功能。
标签: 功率半导体 半导体 第三代半导体 IGBT -
2022年第三代半导体行业发展现状及前景分析 三代半导体有望掀起底层材料端革命
- 2022/05/26
- 3202
- 华安证券
2022年第三代半导体行业发展现状及前景分析,三代半导体有望掀起底层材料端革命。半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分。半导体材料分为制造材料和封装材料。
标签: 半导体 第三代半导体 -
2022年第三代半导体行业发展现状及细分产业分析 碳化硅是功率器件的优质衬底材料
- 2022/06/16
- 1168
- 华安证券
2022年第三代半导体行业发展现状及细分产业分析,碳化硅是功率器件的优质衬底材料。当前,我国新材料产业发展面临着重大战略机遇,以新一代信息技术、航空航天、物联网、新能源汽车和轨道交通等代表的战略性新兴产业快速发展对材料产业提出了更高要求,新材料研发的迫切性前所未有。
标签: 第三代半导体 -
功率半导体行业研究:乘新能源汽车东风而起
- 2021/08/05
- 1149
- 开源证券
第三代半导体材料主要指SiC及GaN,以其制作成的功率器件性能优异,适用于高压、高频、高温的应用场景。在汽车上,以第三代半导体制成的功率器件可以提升电能转换效率,达到省电和提升续航的作用,此外亦可以缩小逆变器的设计尺寸,节省空间。目前已有部分高端车型开始在主驱逆变器、OBC、DC/DC等领域使用SiC功率器件方案。未来随着第三代半导体器件的制造成本下降,性价比进一步提升,在汽车上的渗透有望加速。
标签: 功率半导体 新能源汽车 第三代半导体 汽车 -
第三代半导体专题研究报告:政策红利,衬底破局
- 2021/07/22
- 1253
- 光大证券
第三代半导体大势所趋,新能源汽车为其带来巨大增量:第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等,根据Yole数据,SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金,CAGR约51%。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。
标签: 第三代半导体 半导体 -
第三代半导体GaN产业链专题研究报告
- 2021/05/30
- 1976
- 中国平安
氮化镓(GaN)可同时涵盖射频和功率领域,特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色;可广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域;由于商业化进展快,将领跑第三代半导体市场。
标签: 第三代半导体 GaN 半导体 -
功率半导体行业深度研究报告:行业需求风起云涌,国产替代正当时
- 2021/03/16
- 1300
- 国海证券
功率半导体是电子装置核心器件,应用广泛且分散。功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心,本质上是通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。功能半导体包括功率IC和功率器件,是系统应用的核心器件,战略地位十分突出。功率半导体具体用途是变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等。从产品种类看,根据智研咨询统计数据,2019年功率半导体最大的细分领域是功率IC,占比54.30%,MOSFET占比16.40%,IGBT占比12.40%,功率二极管/整流桥占比14.80%。
标签: 半导体 功率半导体 第三代半导体 -
碳化硅行业专题报告:新能源车快速发展,碳化硅迎来发展良机
- 2021/01/19
- 1554
- 国金证券
性能优异,第三代半导体应运而生。第三代半导体材料具有宽的禁带宽度,高击穿电场、高热导及高电子饱和速,,因而更适合于制作高温、高频及大功車器件。2019年中囯SC、GaN电力电子器伴应用市场中,消费电源是第一大应用,占比28%,工业及商业电源次之,占比26%,新能源汽车排第三,占比1%,未来随着SiC、GaN产品的成本下降,性价比优势开始凸显,将会有更多的应用场景。预测2027年S讠C器件的市场规模将从2020的6亿关元增长至100亿美元,呈现高速增长态势。
标签: 半导体 第三代半导体 碳化硅 -
第三代半导体之GaN专题研究报告
- 2020/12/23
- 2695
- 未来智库
我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化,4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化,8英寸正在进行产品研发。GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。GaN作为一种宽禁带材料,和硅等传统半导体材料相比,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。从结构上看,Si是垂直型的结构,GaN是平面型的结构,这也使得GaN的带隙远大于Si。
标签: 第三代半导体 GaN
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