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2025年英诺赛科研究报告：氮化镓功率半导体龙头，引领三代半能源革命新风向
- 2025/05/30
- 2500
- 华创证券
第三代半导体国产化标杆，全球氮化镓龙头地位稳固。英诺赛科自2017年7月成立以来专注于氮化镓（GaN）相关产品，并在2024年12月成功于港股主板上市。
标签： 氮化镓 半导体 功率半导体 -
2025年英诺赛科研究报告：聚焦氮化镓的第三代半导体领军企业
- 2025/05/12
- 1867
- 国金证券
英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆的企业，同时也是全球唯一具备全电压谱系的GaN-on-Si产品量产能力的公司。
标签： 第三代半导体 镓 氮化镓 半导体 -
2025年英诺赛科研究报告：全球氮化镓龙头，产业进入快速成长期
- 2025/04/14
- 686
- 财通证券
公司是全球领先的氮化镓器件IDM（垂直整合制造）厂商，主营业务为8英寸硅基氮化镓器件的研发、设计、生产和销售。氮化镓功率器件是实现高效电能转换与管理的第三代半导体核心器件。
标签： 氮化镓 -
碳化硅行业深度研究报告：能量转换链的材料变革
- 2021/12/31
- 549
- 国信证券
碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。由于碳化硅宽能带（~3.2eV）的物理性质，又称为宽禁带半导体。经过几十年的发展，硅（Si）作为半导体行业的基础材料，完成了全球95%以上的集成电路的制造；随着电子的发展，化合物半导体如砷化镓（GaAs）、碳化硅、氮化镓（GaN）等也逐渐渗透到下游应用中。
标签： 半导体材料 砷化镓 集成电路 氮化镓 碳化硅 -
化合物半导体行业报告：化合物半导体风起云涌，大势所趋大有可为
- 2021/08/05
- 4767
- 国海证券
随着5G、IoT物联网时代的来临，以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，GaAs是手机PA和Switch的主流材料，在5G时代仍占有重要地位，据集邦咨询预测，2023年中国手机砷化镓PA市场规模达到57.27亿美元。再者，以VCSEL为代表的光电器件可用于3D感知、LiDAR等新应用场景，未来亦将成为GaAs增长新的驱动力;GaN高频性能突出，是5G基站与数据中心器件的关键材料，并有望率
标签： 化合物半导体 砷化镓 氮化镓 -
第三代半导体专题报告：大势所趋，国内厂商全产业链布局
- 2020/09/10
- 1059
- 未来智库
第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓因缺乏大尺寸单晶，第三代半导体材料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，碳化硅应用更为广泛。
标签： 半导体 氮化镓
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