2022年东微半导主营产品及竞争力分析 IGBT打开东微半导营收增量空间
- 来源:华泰证券
- 发布时间:2022/06/24
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东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业.pdf
东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业。受益于新能源汽车加速渗透,我们测算2021-25年全球充电桩、新能源汽车超级结MOSFET市场规模CAGR分别为34.9%/30.8%,处于高速增长阶段。作为超级结MOSFET国产替代先锋,我们认为东微三大核心竞争优势将助力其把握超级结MOSFET中的高成长性细分领域,并不断稳固龙头地位:1)料号丰富,21年底公司MOSFET料号数达1,791款。产品优值及性能比肩英飞凌,领先国内竞争对手;2)研发团队实力雄厚,21年人均创收逾千万行业领先;3)受益于核心供应商华虹的12寸产能持续扩张,并积极开拓广州粤芯、DBHitek等供应商保障产...
1.东微半导:国内高端 MOSFET 龙头设计公司,独特 IGBT 产品打开成长空间
国内领先的技术驱动型半导体设计企业,专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。2008 年,王鹏飞、龚轶共同出资,设立东微半导体前身东微有限;2012 年,公司凭借出色的自 主研发、创新能力,制造出世界首个半浮栅晶体管;次年,相关技术成功发表于全球顶级 刊物《Science》;随后,公司相继完成了超级结、屏蔽栅 MOSFET 相关系列产品的研发, 并于 2016 年率先量产充电桩用高压超级结 MOSFET 器件,打破了国外企业的垄断,实现 了国产化替代;公司持续发力新产品研发,在不断推动原有产品技术迭代的同时,还推出 了如超级硅、TGBT 等独有创新产品,进一步完善产品谱系;2020 年,公司完成改制,更 名为东微半导体,并于 2022 年在 A 股科创板成功上市。
公司采取 Faless 模式,主营 MOSFET、IGBT(TGBT)等功率半导体器件的设计与销售, 其主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET,SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中 低压屏蔽栅 MOSFET,并进一步开发了超级硅 MOSFET、TGBT、Hybrid-FET、SiC 等新 产品。公司产品以工业、汽车级应用为主,包括新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通 信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。
此外,公司产品也广泛应用于消费级领 域。公司在工业、消费两大领域均已积累全球知名的品牌客户,如英飞源、比亚迪、高斯 宝、美的、视源股份等,并已成为部分行业领先客户认证的国产供应商之一。同时,公司 的上游晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业:在晶圆代工上,华虹半导 体为公司第一大供应商,1H21 引入广州粤芯,进一步保障晶圆供应;在封测服务上,公司 与天水华天、集佳科技均保持了长期稳定的合作关系。

MOSFET 为公司核心产品(2021 营收占比 99.27%):高压超级结 MOSFET 占主导地位(营 收占比 72.70%)。公司的高压超级结 MOSFET 产品主要为 GreenMOS 产品系列,具有开 关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势,可广泛应用于汽车、工业等中高压领域; 中低压屏蔽栅 MOSFET 为公司第二营收贡献点(营收占比 26.30%)。公司的中低压屏蔽栅 MOSFET 包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS 产品系列,主要应用于电机驱动、逆变器 等中低压领域;此外,自主研发的超级硅 MOSFET(营收占比 0.27%),为公司打开消费类 市场,突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈,达到接近氮化镓功率器件开关速度的水平, 第一代已实现批量出货,第二代已开发成功,正着手第三代超级硅 MOSFET 器件的研发。
IGBT(TGBT)有望于 22 年迅速起量,打开公司营收增量空间(2021 营收占比 0.73%): 公司生产的 IGBT 器件采用区别于国际主流、具有独立知识产权的 TGBT 器件结构,能在 不提高制造难度的前提下,同时实现对导通损耗与开关损耗的优化。产品包括低 Vce,sat 系列、高速系列以及逆导型 TGBT 等多个系列,其中第一代 650V TGBT 芯片达到国际主 流第七代 IGBT 技术水平。
同时,公司第二代 TGBT 技术开发,以及基于 12 英寸先进工艺 制程的 IGBT 技术开发均顺利进行。此外,Hybrid-FET 器件基于 TGBT 技术,属于 TGBT 的一个子类,兼具 IGBT、超级结 MOSFET 等功率器件的优点,现已实现批量出货。

王鹏飞及龚轶为公司共同实际控制人,通过直接、间接及一致行动关系共同控股 32.63%, 元禾、聚源聚芯、哈勃投资参投。公司人均创收逾千万,研发人员占比高。截止 2021 年底, 公司员工人数合计 75 人,人均创收达 1043 万元。其中研发人数 33 人,占比高达 44%, 研发成果转换率高。公司管理层资历深厚,实际控制人均有逾 20 年的半导体从业经验。
公 司董事兼首席技术官王鹏飞先生曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师,现为 复旦大学微电子学院教授,其提出并制造出了世界上首个半浮栅晶体管,相关成果成功发 表于《Science》国际顶刊。此外,公司董事长兼总经理龚轶先生曾担任超微半导体公司的 研发工程师以及英飞凌科技的德国研发中心专家。公司今年内暂无大规模限售股解禁,2023 年 2 月首发原股东及战略配售股份解禁后,流通总股数将扩大至现有的近 3 倍。
在“行业景气度持续向好,下游需求旺盛”的背景下,公司近三年营收实现高速增长。2021 年公司营业收入 7.82 亿元,同比增长高达 153.28%,高压超级结和中低压屏蔽栅营业收入均 迎来跨越式增长,分别实现营收 5.69/2.06 亿元,同比增长 128.27%/246.85%,为公司营收 主要构成。
营收的高增长主要系 2021 年度公司所在的半导体功率器件领域景气度持续向好, 受益于充电桩、新能源汽车车载充电机、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求的快速提升。 此外,2021 年超级硅 MOSFET 营收同比增速高达 432.63%,但目前营收额为 214.99 万, 整体销售规模仍较小,未来增长空间广阔;TGBT 产品 21 年首次量产出货,全年实现营业收 入 568.17 万元,相较于上半年 22.95 万元的销售额增幅明显,业务呈现高速扩张态势。
毛利率方面,2021 年公司综合毛利率为 28.72%,同比增加 10.87pct,主要系受下游应用 领域需求增长、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素所致。 同时,公司各细分领域毛利率的变动趋势基本一致,1Q22 进一步提升至 32.93%,进一步 接近海外龙头功率厂商平均毛利水平。净利润方面,2021 年实现归母净利润 1.47 亿元, 同比增长 430.66%,主要系报告期内营业收入大幅上升及毛利率大幅上涨所致。同时公司 由于人员规模较小,管理及销售费用率也相对较低。

2.东微半导: 短期、中长期竞争力分析
我们认为,公司未来营业收入将维持高增速,有望成长为国内乃至国际领先的以高压超级 结 MOSFET、TGBT 等高端产品为代表的功率半导体设计企业,主因有:1)工业及汽车 级应用为主,短期产品价格稳定性强;2)MOSFET 料号丰富,产品性能对标国际龙头;3) 研发团队实力雄厚,人均创收行业领先;4)绑定优质供应链资源,与华虹深度合作,二供、 三供——DB、粤芯保障产能;5)进军 IGBT 领域,打开增量成长空间。
短期:高压 MOSFET 及 IGBT 高景气,主打工业级应用无惧短期需求波动
1Q22 高压 MOSFET、IGBT 货期进一步拉长,中低压 MOSFET 供需紧张局面出现缓解。 基于 4Q21、1Q22 富昌电子市场行情报告,我们发现全球高压 MOSFET/IGBT 货期整体增 幅较明显,从平均 37/41 周延长至平均 43/46 周,且价格维持上涨态势,整体维持高景气。 同时,中低压 MOSFET 货期整体而言呈现稳定,供给紧张局面已出现一定程度缓解。 公司产品下游领域以工业、汽车为主,短期能明显抵御消费类需求下滑。
一方面,伴随着 交付周期延长,供给紧缺局面进一步加剧,价格上升将为公司带来更高的收入。另一方面, 公司营收主要来自中高压工业级领域,1Q22 消费级应用占比仅 30%,受下游消费类需求 下滑影响有限。由此我们认为公司在短期内将对冲需求波动风险,具有较强的市场竞争力。

中长期竞争力分析
竞争力#1:MOSFET 料号丰富,产品竞争力强
MOSFET 料号近 1800 种行业领先,针对下游不同领域。公司 MOSFET 产品主要包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS/FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET、 以及自主创新产品超级硅 MOSFET,面向新能源汽车、充电桩、基站电源、服务器电源、 光伏逆变器等不同领域。截止 21 年底,公司 MOSFET 产品规格型号共计 1791 款,数量 多于新洁能(1223 种)、华润微(892 种)等知名功率半导体供应商,料号总数国内领先。
我们认为公司 MOSFET 产品市场竞争力主要体现在两方面:
1) 产品性能优异,高压超级结/超级硅国际先进,低压 SGT 国内领先。 MOSFET 产品性能的关键指标是导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积优值 FOM。相同导 通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在相同条件 下,公司高压超级结 MOSFET 产品的 FOM 优值明显优于国内企业对应产品,且与国际龙 头企业差距不大,达到国际领先水平;公司低压屏蔽栅 MOSFET 的综合性能与英飞凌仍有 一定差距,但在国内企业中处于绝对领先地位;公司的超级硅 MOSFET 产品在性能上已优 于 GaN 龙头企业 Transphorm 部分产品,且技术成熟、成本优势明显,市场竞争力较强。
2) 高压超结 MOSFET 未来市场增速超过 MOSFET 整体,公司具备先发及规模优势。 在高压超级结下游市场需求旺盛和中低压 SGT 竞争加剧、市场环境恶化的共同作用下,全 球高压超级结MOSFET 2021-24年市场规模的 CAGR约为 1.56%,增速明显高于MOSFET 整体(0.62%)和中低压 MOSFET(-1.56%),国内市场变化趋势大致相同。在这种情况下, 公司的先发优势和规模优势将有助于公司抢占国内高压超级结市场,具体体现在两方面: 根据我们的统计,一方面,公司的高压超级结 MOSFET 营收规模处于行业前列,营收同比 增速快;另一方面,公司的高压超级结 MOSFET 价格明显高于市场平均价格,侧面反映公 司产品强劲的市场竞争力。

竞争力#2:研发团队实力雄厚,成果转化率行业领先
研发人员占比行业领先,人均创收逾千万。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘 超过十年,具有丰富的研发经验,保证了公司的技术敏锐度和研发水平。截至 21 年底,公 司研发人员占比达 44%,其中硕士以上学历人数占比高达 45.5%,在国内功率半导体企业 中均处于行业前列;公司 2021 年研发费用同比增长 159.07%,为行业中游水平。受益于优 秀的自主研发创新能力,公司 2021 年人均创收实现 1042.79 万元,彰显了公司优秀的研发 成果转换率。凭借杰出的研发实力,公司在主要产品方面均已具备了国内领先甚至国际领 先的核心技术。
此外,公司也持续完善专利布局以充分保护核心技术:截止 2021 年底,公 司拥有累计 38 项发明专利,且已授权专利的 80%集中在器件的结构创新上,专利质量较高。 我们认为,在资历深厚的杰出联合创始人龚轶、王鹏飞先生的带领下,公司已形成以自主 研发、技术创新为要旨的核心竞争力。
竞争力#3:绑定优质供应链资源,与华虹深度合作,DB、粤芯保障产能
公司在晶圆代工、封装测试环节均有优质供应商合作,且不断开拓二供、三供:在晶圆代 工方面,华虹半导体为公司主要 8 及 12 寸供应商,2018-2020 年采购金额占比均超 80%; 向 DB Hitek/中芯集成(绍兴)采购 8 寸超级结 MOSFET/中低压屏蔽栅 MOSFET 晶圆,但 采购规模整体相对较小;2021 年上半年,公司引入广州粤芯,1H21 采购金额占比达 8.9%, 成长为公司第二大晶圆供应商。在封测方面,公司与天水华天、集佳科技、芯哲微等公司 均建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制,其中天水华天为最大封测供应商。
主要合作晶圆厂积极扩产,进一步保障公司晶圆供应。华虹半导体在上海金桥和张江建有 三座 8 英寸晶圆厂,1Q22 末月产能达 17.8 万片,同时在无锡高新技术产业开发区内有一 座产能持续扩充的 12 英寸晶圆厂。4Q21 末合计月产能达 6.5 万片,且拟于 22 年底扩产至 9.5 万片(扩产中包含 1 万片功率器件);根据官网,粤芯半导体 4Q21 末月产能已达到 4 万片,其中月产 2 万片二期项目预计于 4Q22 实现满产,第三期、第四期项目月产能规划 各 4 万片,预计 4Q25 总体月产能有望达到 12 万片;根据官网,DB Hitek 1Q22 末月产能 达 13.8 万片,正着手将陈旧的 8 英寸晶圆设备替换为新设备,截止 1Q22 仅完成 30%的设 备更换,全部更换完成后有望将产能扩大到每月 15 万片。我们认为,在长期稳定的合作关 系下,公司将受益于上游供应商的产能扩张,产品产销量的上升有望进一步推动营收增长。
竞争力#4:进军 IGBT 领域,打开增量成长空间
2025 年 IGBT 全球市场规模有望破百亿元,新能源汽车或将成长为未来下游第一大细分市 场。据芯智讯预计,2025 年全球 IGBT 单管/IGBT 模块/IPM 的市场规模可分别增长至 26.96/61.55/18.04 亿美元,届时全球 IGBT 市场规模有望达到 106.55 亿美元,2020-2025 年 CAGR 为 9.89%。
同时,2020 年全球 IGBT 下游应用领域中工业控制/家电/新能源汽车/ 光伏/风电/储能分别占比 49%/23%/12%/9%/6%/1%,工控为当前 IGBT 最大的下游市场。 然而,根据我们测算,2025 年新能源汽车单车 IGBT 价值量为 156 美元,结合 Marketline 的 2025 年全球新能源汽车销量预测数据 2121.7 万台,2025 年新能源汽车 IGBT 市场规模 有望达到33.09亿美元,将成长为IGBT 最大的下游细分市场。2025年国内新能源汽车 IGBT 市场规模将达 108.12 亿元。

跨代发展缩减代际差距,独特 TGBT 产品达到国际主流七代水平,已积累一批下游优质客 户。公司 IGBT 产品囊括低导通压降、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等多个系列:其 中,根据公司 21 年年报,第一代 650V TGBT 芯片的电流密度为 400A/cm²,达到国际主流 第七代 IGBT 技术水平。未来,公司将以第一代技术为基础,积极推进 650V 及 1200V 的 技术升级,实现 IGBT 器件的国产替代。
此外,2021 年公司快速推进光伏/新能源车电驱/ 充电桩领域的客户导入,根据 21 年年报,2021 年已批量出货优优绿能、新明海等,送测 认证比亚迪、汇川技术、视源股份、古瑞瓦特等客户。当前,公司在手订单饱满,且公司 从测试到交付的平均时间只有 3-6 个月,大大优于行业平均周期,供货能力更强。由此, 我们预计公司 TGBT 销售额将于 2022 年迎来放量。
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