2025年斯达半导公司深度研究：功率器件领军企业，AI+汽车推动公司成长

国产功率器件领军企业，业务拓展打开成长空间

（一）发展历程：国产功率器件先行者，持续丰富产品矩阵、拓展制造 能力

斯达半导体创立于2005年，长期致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺 及IGBT模块的设计、制造和测试。公司于2007年推出首款IGBT模块，并于2011、 2013、2015年成功研发工业级模块、汽车级模块和碳化硅模块。受益于工业控制、 新能源汽车等终端需求增长，公司体量快速提升。2020年，公司在上海证券交易所 主板成功上市。2024年，公司完成产能项目建设，实现Fabless向Fab-Lite模式的转 换。同年，公司进军MCU领域，进一步补全产品矩阵。 目前，公司产品分芯片和模块两大类，主要包括IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、 快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等。其 中IGBT模块产品超过600种，电压等级涵盖100V～3300V，电流等级涵盖10A～ 3600A。公司产品已被广泛应用于新能源发电、新能源汽车、工业控制与电源、白 色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。公司是国内 新能源汽车市场主电机控制器用大功率车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，2024年 车规级IGBT模块配套超过300万套新能源汽车主电机控制器。

公司实控人沈华、胡畏合计持股41.66%。截止2025年三季度，公司实际控制人为沈 华、胡畏夫妇。斯达半导的控股股东是香港斯达控股有限公司，直接持有公司41.66% 股份。沈华和胡畏同为实控人，通过香港斯达，对斯达半导的控股比例分别为29.16%、 12.50%。斯达半导体下设多家子公司，其中，嘉兴斯达微电子是斯达半导自建的芯 片制造公司。美垦半导体收购自美的，主要服务公司的白色家电客户。

（二）主营业务：产品覆盖 IGBT、SiC、IPM 模块，服务多个下游领域

公司产品品类丰富，IGBT和SiC是业务核心。斯达半导体的产品包括IGBT模块、SiC 模块、分立器件、IPM模块和二极管模块。IGBT模块由IGBT芯片与二极管或其他分 立器件组装而来。SiC模块属于MOSFET模块，与硅基IGBT相比具有性能优势。IPM 模块同样基于IGBT芯片，通过更复杂的设计提高易用性。公司的IGBT、SiC模块等 功率器件被广泛应用于汽车、工控和家电领域，是公司的收入支柱。

（三）财务分析：下游拓展支撑收入增长，盈利指标初步企稳

斯达立足工控、新能源和家电业务，开拓AI服务器、飞行器等新兴终端市场。2025 年公司前三季度营业收入累计29.90亿元，其中25Q3实现营业收入10.54亿元，同比 增长19.58%，实现归母净利润1.06亿元，同比下降28.39%。分行业来看，2025年 上半年，公司新能源行业营收12.13亿元，同比增长52.82%，其中汽车业务增长 25.80%，发电业务在经历2024年去库存因素影响后，2025年需求开始回暖，收入 同比增长200%以上。在工控方面，收入为50.62亿元，同比下降16.52%。在白电和 其他行业，实现收入2.15亿元，同比增长63.31%。根据公司25年中报，在AI服务器、 数据中心等新兴行业，公司实现突破性进展，飞行器车规级SiC MOSFET模块预期 26年实现批量销售，AI服务器、数据中心所需的IGBT、SiC MOSFET、GaN等产品 预期26年开始推向市场。

公司24年毛利率和净利率承压，25Q3单季度跌幅收窄。2024年，功率器件行业竞 争激烈，部分产品价格降幅较大，导致公司毛利率下降至31.55%，净利率下降至 14.97%。25上半年，公司SiC和高压特色工艺项目产能爬坡，产生的资产折旧等固 定生产成本较高，盈利有所承压，公司25H1毛利率和净利率分别为27.91%和12.17%。 未来，伴随产能爬坡完成，公司盈利能力有望改善。

期间费用以研发为主，支撑公司产品竞争力提升。期间费用方面，研发费用占比较 高，2019-2025前三季度公司研发费用率从7%提升至11%，2025年前三季度公司研 发费用达到3.44亿元。研发费用呈现上升趋势，为公司技术实力提升提供有力支撑。

功率器件前景广阔，汽车和 AI 需求强劲

（一）电力电子核心元件，高端市场国产化趋势明确

功率器件是电子装置的核心元件，用于实现电能转换与电路控制，MOSFET和IGBT 占比较高。功率器件通常用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等功能， 主要包括MOSFET、IGBT、二极管等。根据Global Market Insight数据，2024年， MOSFET和IGBT分别占据功率器件市场规模29%和23%的比重，随下游新能源领域 应用需求的加速放量，拉动了MOSFET、IGBT等高端功率器件的需求。

IGBT融合MOSFET和BJT的优点，性能优越。IGBT是由BJT和MOSFET组成的复 合全控型电压驱动式功率器件，适用于中频率、高功率的应用场景，在高压、大电 流、高速等方面性能表现优越，是电力电子领域较为理想的开关器件。随着电动汽 车、光伏/风电等领域的需求不断释放，高密度、高电流承受能力的IGBT的需求量有 望加速上升。据Yole数据，2020年全球IGBT市场规模为54亿美元，预计2026年市 场规模将达到84亿美元，2020-2026年CAGR为7.6%，国内厂商成长空间广阔。

SiC功率器件替代需求旺盛，意法半导体、安森美等海外大厂主导市场。SiC具备宽 禁带、高热导率等优良物理性质。与硅基材料相比，SiC器件在功率密度、能量损耗 上大幅优化。在竞争优势下，碳化硅产品充分受益于纯电动汽车需求增长，2023年 全球SiC功率元件市场成长强劲。在市场份额方面，根据TrendForce数据，2023年 前五大SiC功率元件供应商获取了全市场营收的91.9%，其中意法半导体以32.6%市 占率位居第一，安森美则由2022年的第四名跃居第二名，市场份额为23.6%，呈现 出由海外巨头主导的竞争格局。

国产替代持续进行，本土半导体企业有充足机遇。功率器件的稳定运行，关系到现 代电气及电子工业的安全。WSTS机构统计数据显示，2024年全球分立器件市场规 模为315.5亿美元，预计未来将温和增长。在中国市场，国产替代和技术创新是电子 行业的发展主轴，产业链高附加值环节的国产替代尤为重要。我们认为，全球贸易 争端将持续加速中高端功率器件国产化进程，替代逻辑由资本驱动转向“内循环”政策 驱动。更多国内新基建、新能源、数字经济、信息消费场景的终端产品厂商将加速 推进国产芯片及器件的验证和采购，为国产半导体供应商带来一系列发展机遇。

（二）赋能新能源汽车电气系统，终端需求推动销量增长

IGBT模块是新能源汽车的核心组件。新能源汽车的动力系统由电池、电机和电控构 成，其中IGBT模块被广泛应用于充电和电机驱动。在充电环节，IGBT模块将交流电 转换为直流电，升压后输入电池组；在驱动环节，IGBT模块将动力电池中的直流电 变换为交流电，驱动电机运转，并控制其扭矩和转速。此外，IGBT还用于车载空调 等辅助系统。因此，IGBT模块的性能直接决定了新能源汽车的充电效率、能量利用 率与电气系统稳定性，对整车产品力具有显著影响。

新能源汽车销量高增，IGBT需求快速扩容。EV Tank数据显示，2024年全球新能源 汽车销量达到1,823.6万辆，同比增长24.4%，其中中国新能源汽车销量达到1,286.6 万辆，占全球销量的70.55%。EV Tank预计，2025全年全球新能源汽车销量将达到 2,239.7万辆，其中中国将达到1,649.7万辆，2030年全球新能源汽车销量有望达到 4,405.0万辆。推动IGBT正处于需求快速扩容。

SiC MOSFET具备显著性能优势，渗透率将持续提升。与IGBT相比，SiC MOSFET 具备更高开关速度，能够大幅降低开关损耗。在同等导通损耗条件下，将IGBT替换 为SiC MOSFET可分别减少约19%的开通损耗和78%的关断损耗，总体能量损耗降 低41%。此外，碳化硅材料具备更高击穿场强和更优热导率，在高温、高压场景下 表现更佳。基于显著优越的综合性能，我们认为，SiC MOSFET将在部分车用场景 替代硅基IGBT，以性能优势驱动渗透率提升。

（三）800V HVDC 升级趋势明确，打开 SiC&GaN 新空间

800V HVDC供电方案有望引领AIDC供能架构升级方向。随机架功率密度持续提升， 单机柜能耗正由kW级快速迈入MW级，散热与空间限制逐渐成为行业瓶颈。在此背 景下，英伟达提出800V HVDC供电架构，在不增加传输损耗的前提下满足MW级供 能需求。其优势主要体现在：（1）最大程度减少计算空间的电能转换环节与线路路 由体积，同时有效降低数据中心配电损耗及端到端整体转换级数；（2）通过减少电 阻损耗与铜材使用量，实现更高的能效；（3）简化的电力分配设计，具备高效的热 管理能力。

SiC&GaN功率半导体是实现800VDC架构的关键。GaN和SiC因其高耐压能力，且 单位面积电阻低的特点，可实现更高功率密度与能效。在提升系统性能的同时，可 搭配更小的外部元件（如无源元件与电感元件），在相同尺寸下实现更强性能。根 据纳微半导体数据中心电力基础架构白皮书，在高功率密度服务器电源应用中，用 GaN和SiC器件取代硅基MOSFET与IGBT，可显著提升开关频率，实现更高效的功 率转换。

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