斯达半导研究报告：积技以培风，以IGBTSiC大翼将图南.pdf

斯达半导研究报告：积技以培风，以IGBTSiC大翼将图南。斯达半导聚焦于IGBT模块/SiC为主的功率半导体领域，成功研发出全系列IGBT芯 片、FRD芯片和IGBT模块，实现进口替代。其中IGBT模块产品超过600种，电压 等级涵盖100V-3300V，电流等级涵盖10A-3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、 变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。受益于汽车电 气化持续推进，汽车电子成为半导体领域逆势增长代表，800V平台架构下对SiC功 率电子器件需求增长明显，为公司提供中长期强劲增长动力开启第二成长曲线。

技术领先&多领域覆盖，打开新能源汽车/风光储/工控需求增量。斯达半导优势在 于IGBT模块，主要覆盖新能源汽车/风光储和工控领域。2013年斯达半导开始专 注新能源汽车IGBT模块的研发，目前其IGBT电压等级涵盖范围为100V-3300V， 率先实现第七代IGBT产品的研发。（1）车规IGBT模块合计配套超200万套主 电机控制器，欧洲一线Tier1开始大批量交货。2023年，公司应用于主电机控制 器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器， 公司在车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高； 公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V车规级IGBT模块大批量装 车，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的1200V车规级IGBT模块新 增多个 800V 系统车型的主电机控制器项目定点，将对 2024年-2030年公司新能 源汽车 IGBT 模块销售增长提供持续推动力。（2）风光储/工控：风光储业务快速 增长，产品在北美等海外市场批量装机，工控领域已为多家国际企业正式供应商。 公司已是国内多家主流光伏逆变器、风电逆变器企业主要供应商，并且与头部企业 建立了深入战略合作关系，继续发挥技术领先优势为客户提供更高功率、更高效率 解决方案。基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在地面光伏电站 和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；1200V、650V大电流单管 已大批量应用于工商业光伏和储能，处于行业领先地位。在工业控制领域，公司已 为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应商，已是工控行业多家国际企业 正式供应商。

五大优势加速SiC上车，率先卡位打造第二增长极。SiC上车可提供助力实现系统 小型化，增大汽车可用空间；导通及开关损耗减少，从而续航里程增加；减少汽车 重量，有利于轻量化；承受输入功率大，电机扭矩更大，加速能力强；降低电池成 本提升续航里程，降低整车成本等五大优势。受益于汽车电气化的持续推进，汽车 电子成为半导体领域逆势增长的代表，800V平台架构下对SiC功率电子器件需求 增长明显。受益于中国新能源汽车厂商近年来持续投放新车型，销量同步快速增长 的双核驱动，正带动本土SiCMOS供应商市占率稳步提升，仅比亚迪、极氪、吉 利银河、蔚来、理想、赛力斯这几家车企，新能源乘用车SiCMOS主驱功率模块 的国产化率已由2021年的31.89%提升至24Q1的65.57%。随着各品牌车企合作 车型的上市和交付，斯达半导等国内厂商的市占率有望进一步提升。斯达半导作为 国际领先功率器件厂商，在SiCMOS领域具有先发优势，2023 年，公司应用于 新能源汽车主控制器的车规级SiCMOSFET模块大批量装车应用，同时新增多个 使用车规级SiCMOSFET模块的800V系统主电机控制器项目定点，将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。

募投项目有望于24年达使用状态，拓展高压功率/SiC器件，转向Fabless+IDM 模式。2021年公司以非公开发行形式实际募集资金净额34.77亿元，用于高压特 色工艺功率芯片研发及产业化/SiC芯片研发及产业化/功率半导体模块生产线自 动化改造等项目。项目完成后，1）加快高压特色工艺功率芯片领域的布局，丰富 公司产品线，满足智能电网、轨道交通、风力发电行业对高压功率芯片的市场需求； 2）向碳化硅芯片研发及产业化领域拓展，从而达到优化产品结构，完善产品布局 的目的；3）预计形成年产30万片6英寸高压特色工艺功率芯片/年产6万片6 英寸SiC芯片生产能力，新增年产400万片的功率半导体模块生产能力。