斯达半导（603290）研究报告：存量替代与增量渗透，硅基与碳化硅基器件多维发展.pdf

斯达半导（603290）研究报告：存量替代与增量渗透，硅基与碳化硅基器件多维发展。斯达半导作为全球 IGBT 模块领先厂商，市占率位列全球第六、国内第一。 斯达半导是我国 IGBT 的领军企业，公司聚焦高性能 IGBT 模块，下游应用覆 盖工业控制、新能源及白电等领域，21 年公司在全球 IGBT 模块市占率排名 第六（占 3.0%），国内 IGBT 模块市场份额第一。2017-2021 年公司营业收 入由 4.4 亿元增长至 17.07 亿元，年复合增速达 40.4%；扣非归母净利润由 0.5 亿元增长至 3.78 亿元，年复合增速达 65.5%。

在工控与新能源应用驱动下，25 年全球 IGBT 市场有望增至 1071 亿元，其 中新能源汽车(占 31.1%)、工业(占 23.7%)、光风储（占 23.4%）为主要市场。 在汽车电动化驱动下，我们预计 21-25 年全球新能源汽车 IGBT 市场将从 99.5 亿元增至 333.2 亿元以上。新能源发电带来电网架构变革，光伏、风 电及电化学储能（光风储）打开 IGBT 应用增量，我们预计 21-25 年全球光 风储用 IGBT 市场规模将由 74.8 亿元增长至 250 亿元。

存量替代与增量渗透，公司技术与市场的先发优势铸就核心竞争力。随着公 司不断开拓，IGBT 模块全球市占率由 17 年的 1.9%（位列第十）逐步提升至 21 年的 3.0%（位列第六）。目前公司掌握了包括基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的车规级 650V/750V IGBT 芯片及集中式光储系统的 1200V IGBT 模块等多项核心技术。在国产替代与新能源增量驱动下，公司 17-21 年 新能源领域营收复合增速达 71.6%；根据 NE 时代数据，22 年 1-11 月新能源 上险乘用车功率模块公司累计配套量超 65.7 万套，国内市占率达 13%。

Fabless 与 IDM 融合互补，高压与碳化硅基器件拓宽发展空间。目前，碳化 硅器件是增速最快的功率器件，21-25 年全球市场复合增速达 42%；公司自 15 年研发出 SiC 模块到 22 年批量装车，在技术与客户积累上保持行业领先。 21 年起，公司建设年产 8 万颗车规级全 SiC 功率模组产线和年产 6 万片的 6 英寸 SiC 芯片产线以加强器件制造能力。此外，在智能电网、风电用高压器 件国产化驱动下，公司推出 3300V-6500V 高压 IGBT 产品并于 21 年建设年产 30 万片的 6 英寸高压功率芯片产线。未来，公司有望随行业渗透多维发展。